[参考译文] MSPM0L1117：闪存读取、控制复位问题

尊敬的 Harshal：

您能详细说明一下如何保留存储器位置吗？ 您是否启用了硬件 ECC？

此外、当读取零时、您是否能够调试导致复位的原因？ 我怀疑手头有一些 ECC 错误；建议一次写入 64 位、以便同时且完全生成 8 位 ECC；根据您写入闪存字的方式、当您读取 32 位时、我认为可能 会对照完整的 8 位 ECC 进行检查、从而导致问题。 您可以在 TRM 的第 497 页上阅读有关这些细微差别的更多信息。

可以在存储 0 的地址上尝试 DL_FlashCTL_readVerify32 () 吗?

此致、

Sam

您好、Sam、

它现在开始工作。 我使用的是没有 ECC 生成的闪存写入、这触发了 ECC 错误、使其复位。 现在我是

使用 DL_FlashCTL_programMemory64WithECCGenerated 进行写入、这解决了我的问题。

再需要一个输入。 我正在使用以下代码擦除 1kB 的扇区、请确认可以吗？  nvmAdr 是下面代码中扇区对齐的存储器地址。

//清除任何先前的闪存错误标志
DL_FlashCTL_executeClearStatus (FLASHCTL)；

//擦除前取消对扇区/页的保护
DL_FlashCTL_unprotectSector (
FLASHCTL、
nvmAdr、
DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN
)；

//调用低级擦除函数
DL_FlashCTL_eraseMemory (
FLASHCTL、
nvmAdr、
DL_FLASHCTL_COMMAND_SIZE_SECTOR // 1KB 擦除
)；

感谢您的支持。 感谢您的帮助。

Harshal Pawar