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器件型号：MSPM0G3519工具/软件：
尊敬的 champs：
我向我们的客户询问这个问题。
我们知道擦除命令包括 DL_FLASHCTL_COMMAND_SIZE_SECTOR 和 DL_FLASHCTL_COMMAND_SIZE_BANK。
用户希望擦除大多数扇区、但如果逐个擦除扇区、则会花费太多时间。
1.可以在一条命令中擦除一个存储体并屏蔽某些扇区？
也就是说、在一条命令中擦除 bank1 并掩蔽其第一个 64kB？
2.在这种情况下,总擦除时间应该仍然是存储体擦除时间?
即 220ms (max)。
3.如果不是,你会问如何快速擦除一个银行,除了它的第一个 64kB 吗?
4.我们是否有任何文档/代码来展示如何使用与闪存相关的 API,特别是用于存储体擦除?
