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[参考译文] MSPM0C1104:从 RST 或 BOR 事件唤醒并进入工作模式的时间

Guru**** 2439560 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1545643/mspm0c1104-wake-up-time-from-rst-or-bor-event-to-active-mode

器件型号:MSPM0C1104


工具/软件:

您好的团队、

您能告诉我 从 RST 或 BOR 事件唤醒并进入工作模式的时间吗?

μs 状态下、启动后处理上电需要多快、并且从完全断电中恢复电力是否困难几十 μ s?

此致、

Kenley

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    您好  Kenley

    Janz 生病了。 他将很快回答这一问题。 谢谢

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    尊敬的 Xiaodong:

    感谢您告诉我。

    明白。

    此致、

    Kenley

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    您好 Kenley、

    M0 冷启动过程的详细信息、请参阅下图。 实际上、它是 MSPM0L 器件、因为 M0C 主要时钟为 24MHz、其 Vcore 电容器在内部、运行启动代码时间和 VCORE 充电时间可能与 L 系列略有不同。 但过程是一样的。  

    实际上、在我们的 C1104 数据表中、我们提供了 VDD 越过 BOR+到用户程序的第一条指令所用的时间。 如果客户需要这些数据、我建议使用以下数据。

    此致、

    Janz Bai

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    尊敬的 Janz:

    感谢您的支持!

    Kenley

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    欢迎您、Kenley

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    尊敬的 Janz:

    是否可以支持 Max..200μs?  

    客户正在考虑使用 CPLD、而它是最大 200μs。

    我知道典型值 是否为 210μs、但我们可以通过任何可能的方法将其更改为最大 200μs 吗?

    如果我们可以清除此情况、客户可以考虑使用 mspm0。

    此致、

    Kenley

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    您好 Kenley、

    很抱歉、数据表中的该值无法通过任何其他权变措施进行更改。 由 MCU 设计本身决定。 它与 MCU 设计层面有关。  

    此致。

    Janz Bai

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    尊敬的 Janz:

    已注意。 我明白。

    谢谢您、

    Kenley

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    欢迎您、Kenley。