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[参考译文] TM4C1230C3PM:原理图审阅

Guru**** 2445440 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1549441/tm4c1230c3pm-schematic-review

器件型号:TM4C1230C3PM


工具/软件:

尊敬的专家:

请帮助查看下面的原理图、谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

     有几条评论。  

     -我在 VDDC 上没有看到足够的 LDO 滤波电容器。 建议值为 3.3 μ F 至 3.4 μ F。 我在您的原理图上只看到 0.3uF。  

     - VDD 上有大容量电容吗? 我仅在每个 VDD 引脚上看到 0.1uF 去耦电容。  微控制器的 VDD 和 VDDA 大容量电容组合通常位于 2μF 和 22μF 之间。 您可能会在另一个原理图页面上介绍这些原理图。  

     -如果 JTAG 信号远离 MCU ,建议在 TCK/TMS/TDI 上安装上拉电阻器,因为它可能会拾取噪声。 否则、MCU 已经具有内部上拉电阻。  

     有关最佳原理图/布局实践、请参阅此 TM4C123 系统设计指南。  https://www.ti.com/lit/pdf/spma059