[参考译文] MSPM0G1105：关于 HFXT 的负载容量

 Hiroshi、

纠正我如果我对您的问题的理解有误、如果您要在 HFXT 的两侧选择正确的电容器、可以参阅 以下计算公式。

其中 CL 是晶体的负载电容、可在所选晶体的数据表中找到。  Cs 是 PCB 的杂散电容、与电路板布局有关、一般经验值为 35pF。 Cg 和 CD 是两个端子上的两个外部电容器、通常、我们选择 Cg 和 CD 相同。

此致、
彼得

您好、Peter：

感谢您发送编修。

我很抱歉、我问这个问题的方式很差。

我理解以上公式。

简单地说、就像上面的公式一样、MSPM0G1105 所需的 CL 值是多少？

我认为不是 1pF。

我错了吗？

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、

我认为 CL 是晶体所需的总负载电容、而不是 MCU、就像在选择使用 Murata 的“CSTNE8M00G550000R0"时“时那样为 16pF。 和集成的有效负载电容 (CL、eff​) 将包含在中  CS 杂散电容还可能包括其他寄生电容 （例如 PCB 布线电容或某些寄生电容） 、我认为通常我们在 公式中选择 Cs 为 3-5 pF 进行计算 、因为我们还​ 考虑了 CL、eff。

此致、
彼得

您好、Peter：

感谢您发送编修。

到目前为止、我一直负责此设计、但晶体单元和连接侧 (MSPM0G1105) 的负载电容 (CL) 需要匹配。

我认为有必要使用电容器来调整晶体单元侧的负载、使其与连接侧所需的负载电容相匹配、并使用之前所示的公式 PETER-San。

我错了吗？

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、

是的、我认为这正是公式想要告诉我们的。 这表明了如何将电路板寄生电容相结合、并在振荡器的两侧添加外部启动电容、以实现电容匹配、从而完成正常振荡。

与我们在 LP-MSPM0G3507_UserGuide 中提供的原理图、C12 和 C10（对应于公式中的 Cg 和 Cd） 、最好 先根据公式计算它们的值、并进行测试、以确保晶体可以稳定振荡。

此致、
彼得

您好、Peter：

感谢您发送编修。

我明白你在说什么。

请告诉我 MSPM0G1105 的负载电容值 (CL)。

同样、这通常写在您连接的器件上、对吧？

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、

“我知道,我不会告你状的。 变得轻松 之前的负载电容器、数据表中列出了所有相关规格、如果没有、则表示目前尚无该规格。  在我附加了 IO 端口的输入电容之后、您是否担心负载电容？ 但即便如此、我认为正常数字 IO 引脚的输入电容与特定晶体输入引脚相同、可能仍需要 ​根据数据表参考集成有效负载电容 (CL、eff) 1pF。

此致、
彼得

您好、Peter：

感谢您发送编修。

即使在另一个工程中使用 AM5708、您也可以指定要连接的晶体谐振器的负载容量。

我想我们将尝试将外部电容器连接到晶体谐振器以匹配该容量。

为了实现最终匹配、IC 匹配测试由石英谐振器制造商执行。

这是一个实施并确定确切的负载能力的故事。

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、

是的、感谢您提供信息、我认为这正是我之前提到的意思、 这是的电容器  主要由晶体的负载电容器决定 、不适用于 MCU 、其含义与上一个公式中的 CG 和 CD 相同。 我认为它根据数据表给出了一个粗略的范围、还需要通过实验选择合适的电容、因为它可能仍然受电路板的寄生电容、引脚的输入电容器等的影响

此致、
彼得

您好、Peter：

感谢您发送编修。

我不确定我的想法是不是错的,或者我没有得到我的观点在英语,但它似乎是不在同一页.

我想说的是、晶体振荡器 (Cf1 和 Cf2) 所需的负载是 12pF 至 24pF。

晶体振荡器的数据表还列出了确保正常工作的负载。

简而言之、您需要选择一个在 12pF 至 24pF 电容下正常运行的晶体振荡器。 例如、如果在 8pF 下连接合适的晶体振荡器、我认为您会遇到无振荡等问题。

相反、我认为您在大约 8pF 的负载下也会遇到同样的问题、这是晶体振荡器的规格。

在这种情况下、我认为 12-24pF 是所连接器件（在本例中为 AM5708）的所需规格。

我错了吗？

很抱歉问过很多次。

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、

是的、如果  由于某种特殊结构、AM5708 有严格的要求 (Cf1 和 Cf2 为 12-24pF)、则 根据该公式、晶体的负载电容器应限制在 6pF-12pF 范围内、则 需要严格遵循数据表并仔细选择晶体。 但是、由于 M0 的数据表中没有提到任何这方面的信息、因此我认为只需满足公式、 根据实际情况对电容值进行微调就足以实现最佳的振荡效应。

此致、
彼得

嗨、 Hiroshi、

您使用的晶体振荡器两侧的电容值是多少、也可以直接 为我提供该晶体器件的原理图。

我还想问、由于振幅不是您的预期值、它是否会对系统产生任何影响、例如、您的正常应用中是否会出现任何使您怀疑这是晶体振荡器问题的问题？

我将从我这边测试晶体的振幅、稍后会更新给您。

此致、
彼得

 

您好、Peter：

感谢您发送编修。

我随附了电路图。

我使用的 Murata 制造陶瓷谐振器的 URL 如下所示。

https://www.murata.com/products/productdata/8801161740318/SPEC-CSTNE8M00G550000R0.pdf?1559743212000

MSPM0G1105 已冻结、因为振幅较小。

感谢您的合作。

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、

我在 Launchpad 中进行了一个测试、  HFXOUT 和 GND 之间的振幅~410mV、所有功能均正常执行。 因此、我认为 、如果您的原型约为 400mV、这应该是合理的。

此外、如果我们按如下所示尝试断开该电阻器并再次进行测试以检查 MSPM0G1105 是否 已 冻结、会怎样？ 顺便说一句, 冻结意味着什么? 这是否意味着 MCU 未按预期执行功能、例如切换 LED 或某些 LED、或任何其他奇怪现象？

此外、如下所示、这两个电容器的值是多少？

此致、
彼得

您好、Peter：

感谢您发送编修。

感谢您的检查。

红色框中的电阻器未安装。 (N.M)=未装入

关于冻结、此问题出现在连接了调试探针 XSD110 的调试环境中、但 XDS110 收到错误消息、指出它无法找到 MSPM0G1105？ 无法连接？

之所以会冻结、是因为 MSPM0G1105 根本无法工作。

另一个问题与 Murata 陶瓷谐振器中的电容器有关。 它指的是我之前联系过您的数据表中的部分、“内置 L 或 dCapacitance (1MHz 处的 C1、C2)：33pF±20%/最大值“。

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、

如果我的理解正确、这是数据表中的最大值、您是否曾尝试过降低电容值并进行一些测试？  问题能否解决？ 最好还测量晶体的波形以检查它是否正常。

此外、相应的调试错误信息是否有任何屏幕截图？  

此致、
彼得

您好、Peter：

感谢您的答复。

Murata Manufacturing 具有内置的陶瓷谐振器负载 (C1、C2)、因此更改它们需要更换元件、所以我没有这样做。

我之前曾询问过使用 MSPM3507 的评估板中使用的晶体、并被告知它使用“精工爱普生 TSX-3225“。

它具有 40MHz、CL=12pF 的规格。

很难获得,所以我考虑使用目前的村田陶瓷谐振器,并在论坛上询问,这似乎表明没有问题,所以我用它。

回顾一下、C1=C2=33pF 可能有点大、因为 CL=16.5pF。

我没有屏幕截图。 我可以设置环境并进行检查、但这在不久的将来是不可能的。

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、

回顾一下、C1=C2=33pF 可能有点大、因为 CL=16.5pF。

是的、我认为也许可以将电容值降至约 28pF 以进行测试。

此致、
彼得

您好、Peter：

感谢您发送编修。

在不久的将来很难确认这些变化、所以我稍后会考虑。

Peter-San 评论说、如果原型的振幅约为 400mV、则是合理的。

如果是、是否有其他因素在发挥作用？ 如果是、请告诉我们它们是什么。

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、

您可以进行一个比较实验、使用内部 SYSOSC 晶体而非外部晶体来查看所有功能是否正常、以便进一步确定这是否只是外部晶体振荡器问题。

除了硬件设置外、还可能存在软件问题。 我们在 SDK 中提供了一个相关的 HFXT 代码工程（您的 MSPM0_SDK 下载文件夹\mspm0_sdk_xxxx\examples\nortos\LP_MSPM0G3507\driverlib）、您可以进行测试。

此致、
彼得

 您好、Peter：

感谢您发送编修。

我已经切换到内部时钟并进行了检查。

结果还可以。

但是、有一个单元无法连接到 XDS110、无法切换。

因此、我认为这个问题与外部振荡器有关。

我需要与负责该软件的人员核实。

我有一个问题。

我想您说过、约 400mV 的外部振荡器振幅没有异常、但这是正确的吗？

在这种情况下、我认为这可能是软件设置（registers？）的问题。

此致、

山田浩史

嗨、 Hiroshi、  

[引述 userid=“568430" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1543385/mspm0g1105-regarding-the-load-capacity-of-hfxt/5963185 ]我想您说过约 400mV 的外部振荡器振幅没有异常、但正确吗？

我再次测试了不同的 Launchpad 板、振幅都在 400mV 左右、功能正常。

在这种情况下、我认为这可能是软件设置（registers？）的问题。

如果您通过 SysConfig 配置时钟、也许可以检查时钟树设置部分。

此致、
彼得