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[参考译文] MSPM0L2228:Rev.B 器件上的 VBAT 功耗较高

Guru**** 2502205 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1545147/mspm0l2228-vbat-power-consumption-is-high-on-rev-b-silicon

器件型号:MSPM0L2228


工具/软件:

您好、

我的客户报告使用 Rev.B 器件时、VBAT 功耗高于预期。
请参阅以下测量结果。 单位为[uA]。 红色的超出规格范围。

温度

样本编号

规格要求。

3.

4.

5.

6.

典型值

最大值

–40℃

1.583

1.576

1.686

1.517

1.1.

1.6

23℃

1.584.

1.578.

1.686

1.517

1.1.

1.7

80℃

1.679

1.663

1.706.

1.645.

1.2.

1.8

L2228 数据表:


有一个已知的错误 (LFSS_ERR_01)、但在修订版 B 中已得到修复  



谢谢。此致、
田代浩一郎

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    芯片 5 的平均功耗似乎高于其他芯片。

    您想问什么问题?

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    您好、Helic、

    您想问的任何问题?

    请检查以下两点。
    1)  LFSS_ERR_01 在修订版 B 中确实是固定的吗?
    2) 是否有其他问题(如生产测试失败)?

    谢谢。此致、
    田代浩一郎

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    1)  LFSS_ERR_01 在 Rev.B 中确实修复了?

    您能否帮助确认异常结果 1.686、芯片 VBAT 是否大于 Vcc?

    2) 是否存在任何其他问题(例如生产测试失败)?

    首先需要进一步确认测试条件。

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    您好、Helic、

    您能否帮助确认异常结果 1.686、芯片 VBAT 是否大于 Vcc?

    是的。 VCC 关闭。 只有 VBAT 由备用电容器供电。

    谢谢。此致、
    田代浩一郎

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    您好、  San

    1)  LFSS_ERR_01 在 Rev.B 中确实修复了?

    固定的

    2) 是否存在任何其他问题(例如生产测试失败)?

    需要有关此案例的更多信息。

    您能告诉我您的测试方法吗?

    您测试了多少个芯片、有多少芯片存在此问题?

    可能存在一些测量误差、例如电流表的分辨率等。

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    您好、Helic、

    您能否向我展示您的测试方法?

    下面是测试设置。 VBAT 由 3.0V DC 供电。
    数字万用表连接在电源和 VBAT 之间。

    则关断 VDD 以模拟断电情况。
    使用万用表直接测量 VBAT 电流。

    您测试了多少芯片、有多少芯片存在此问题?

    四个芯片经过测试、一个芯片超出规格。 (请参阅我的第一篇文章中的表格。)
    您可以看到、所有芯片显示的值都高于典型值。

    顺便说一下、客户代码中没有将器件置于待机状态。
    而是手动关闭 VDD。
    在这种情况下、数据表中显示的 VBAT 电流是适用的?
    否则、断电情况下的 VBAT 电流预期是多少?

    谢谢。此致、
    田代浩一郎  

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    让我检查一下这些内容。

    然后运行一些测试。

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    我侧没有那么大的电流。

    我在最新的 Launchpad(2025 年 8 月)上进行测试。

    并移除 MCU 侧的所有跳线、我可以在 STANDBY0 下 25°C 时得到 1.2uA。

    顺便 说一下、客户在其代码中没有将器件置于待机状态。

    我也从代码中删除 WFI、不会影响消耗。

    最重要的一个:!!!!!!!!</s>! !!!!!!

    请尝试为 LFXT 设置低电流:

    如果晶体振荡器质量较差或 PCB 布局较差、此选项可能会导致晶体振荡器无法启动。

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    您好、Helic、

    我将在 2025 年 8 月的最新 Launchpad 上进行测试。

    在使用最新器件之前、生产测试是否存在任何差异? 客户使用 2025 年 2 月测试的样片。

    并移除 MCU 侧的所有跳线、我可以在 STANDBY0 下 25°C 时得到 1.2 μ A 的电流。

    客户使用自己的电路板、而不是 LaunchPad、因此无法移除所有跳线。
    这有多重要吗?

    请尝试为 LFXT 设置低电流:

    他们使用四种设置进行了测试。

    以下是结果。 最低显示更好的结果、但较低、较高和最高之间没有差异。 为什么?

    LFXT 驱动强度 最低 降低 大约 50% 最高
    示例 2 1.302. 1.651. 1.651. 1.650

    谢谢。此致、
    田代浩一郎

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    在最新器件之前、生产测试是否有任何差异? 客户使用 2025 年 2 月测试的样片。

    这些信息。

    客户使用自己的电路板、而不是 LaunchPad、因此无法移除所有跳线。
    它是否重要很多?

    根据硬件的不同、是否存在任何其他会导致更多电流消耗的周围元件。

    下面是搜索结果。 最低显示更好的结果、但较低、较高和最高之间没有差异。 为什么?

    最低将为外部 OSC 输出较低的电流。 此配置专为低功耗应用而设计。

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    您好、Helic、

    最低将为外部 OSC 输出较低的电流。 此配置专为低功耗应用而设计。

    我知道最低功耗是最佳功耗。
    我的问题是、为何低、高和高之间没有差别。
    这是预料之中的吗?
    我认为电流应该最低<较低<较高<最高、但结果最低<较低=较高=最高。

    谢谢。此致、
    田代浩一郎

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    我的问题是为什么在较低、较高和最高之间没有差异。
    这是预料之中的吗?
    我认为电流应该最低<较低<较高<最高、但结果是最低<较低=较高=最高。

    明白。

    但我这边没有这样的测试结果。

    这并不是帮助弄清楚客户测试电流消耗如此高的原因的关键点。

    我们可以在此处获得解决方案:

    1.基于–40C 内的 Launchpad 进行测试、并移除板载所有跳线。

    2. 对 LFXT 使用低电流设置。

    是否有与此问题相关的问题?

       

    修订版 B 器件上的 VBAT 功耗较高

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    是否存在与此问题相关的任何问题?

    编号 这与 VBAT 电流消耗问题没有直接关系。
    客户只是想要隐藏任何其他硬件问题、例如 LFXT 驱动强度配置不适用于较低和较高的应用。
    我将为此项目提交新主题。

    谢谢。此致、
    田代浩一郎