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[参考译文] AM263P4:与 XIP、闪存、电子保险丝、RBL 相关的一般问题

Guru**** 2524460 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1558607/am263p4-general-questions-related-to-xip-flash-efuse-rbl

器件型号:AM263P4


工具/软件:

OptiFlash、XIP、OTFA、电子保险丝

 

  • 是否可以对 OSPI 闪存进行分区、例如其中的一部分可通过 OptiFlash /XIP 访问、另一部分可由软件免费使用? 理想情况下、我们希望使用相同的 OSPI 闪存来存储固件和文件系统、我们假设 OptiFlash(由 RL2)对闪存执行的缓存如果其作用于存储文件系统的闪存、可能会产生不利影响。 最多情况下、这会降低闪存中代码执行的质量、因为缓存将包含文件系统中的扇区;最糟糕的是、除非我们在访问文件系统时仔细执行 RL2 上的缓存维护操作、否则这会导致使用文件系统出现问题。
  • 在 TRM 的“13.3.2.2.7.1.2 不支持的功能“部分下、提到“OTFA 不允许并发活动读取和写入、在切换时间 (sic) 之前必须处于空闲状态“。 在上述讨论的场景中、在同一 OSPI 闪存中使用文件系统时、这对性能有什么影响?
  • 当对 MAC(例如 AES-GCM)使用任何加密模式来加密外部闪存时、都会使用一些存储器来存储 MAC。 相反、OTFA 会执行自动存储器地址转换(如“13.3.2.2.8.5 存储器地址转换“中所述)来获取数据。 结果是数据的实际地址远低于 CPU 请求的地址。 我们假设、对于闪存擦除操作、软件必须自行执行地址转换、以确保写入的数据将在擦除的扇区内。 该假设是否正确?
  • OTFA 使用的 AES 内核是否专用于 OptiFlash? 我们想知道是否可以同时使用 HSM 安全服务和 OTFA、而不出现性能问题、或者存在任何相关问题。
  • 从存储器映射中、我们可以看到 eFuse 区域位于 0x53600000、大小为 1KB。 不过、大概可以使用其中的一些位来配置多个引导设置、例如 dual_core_boot_enable、dual_core_switch_disable、软件版本、电源正常模块的修整值等 硬件和 RBL/HSM 使用多少个位? 软件是否可以利用 eFuse 区域的某些部分来存储密钥和其他不可更改的数据?

 

ROM 引导加载程序

 

  • 在“5.5 冗余引导支持“部分中、有一条注释指出“[成功【成功】引导的闪存映像偏移地址在地址 0000x84100 (sic) 中可用“。 我们推断、从 OSPI(位于 R5SS0_CORE0_TCMB_RAM 中)成功引导后、我们可以读取四个字节 、即[00 00 00]、[00 00 02 00]、[00 04 00]或[00 00 06 00](小端字节序值 0、0x20000、0x40000、0x60000)、具体取决于用于引导的区域。 这种理解是否准确?
  • 在同一节中、注释还说明 SBL 的最大映像大小为 256KB(支持冗余映像)。 但是、上表中列出的地址 (5-11) 相隔 128KB。 由此、我们了解到、当使用 128K 及以下的 SBL 映像时、可以使用 4 个副本、但当使用>128KB 的映像时、只有两个副本可用。 这个结论正确吗?

此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    在“5.5 冗余引导支持“部分中有一条注释、说明“[成功【成功】引导的闪存映像偏移地址位于地址 0000x84100 (sic)“中。 我们推断、从 OSPI(位于 R5SS0_CORE0_TCMB_RAM 中)成功引导后、我们可以读取四个字节 、即[00 00 00]、[00 00 02 00]、[00 04 00]或[00 00 06 00](小端字节序值 0、0x20000、0x40000、0x60000)、具体取决于用于引导的区域。 这种理解是否准确?

    是的、这是正确的、成功引导的 SBL 位置可用于 AM263Px 中的参考。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [报价 userid=“620195" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1558607/am263p4-general-questions-related-to-xip-flash-efuse-rbl
    • 在同一节中、注释还说明 SBL 的最大映像大小为 256KB(支持冗余映像)。 但是、上表中列出的地址 (5-11) 相隔 128KB。 由此、我们了解到、当使用 128K 及以下的 SBL 映像时、可以使用 4 个副本、但当使用>128KB 的映像时、只有两个副本可用。 这个结论正确吗?

    [/报价]

    是的、这种理解也是正确的。

    无冗余引导时的最大 SBL 大小为 960KB

    如果使用的 SBL 超过 128KB、则可以使用两个冗余位置。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢您的回答,这真的有助于有一个坚实的了解引导过程.

    关于 OTP、我们发现有一个文档建议有一个可供客户使用的存储器区域。  /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/AM263X_5F00_OTP_5F00_Keywriter_5F00_User_5F00_Guide.pdf.但是、我们没有发现任何关于如何访问内存部分的说明。

    关于其他问题、我们仍想知道:1) OTFA 读取和写入之间的“切换时间“主要消除了什么;2) 在将 OTFA 用于 MAC 加密方案时、如果软件必须进行手动地址转换以进行擦除操作、3) OTFA 使用专用 AES 内核进行操作或使用 HSM 使用的同一个内核。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Adam:

    关于 OTP、我们发现有一个文档建议有一个可用的存储器区域“供客户使用“。  /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/AM263X_5F00_OTP_5F00_Keywriter_5F00_User_5F00_Guide.pdf.但是、我们没有发现任何关于如何访问内存部分的说明。

    您可以使用 OTP Keywriter 或 HSM 客户端服务对扩展 OTP 区域进行编程、以实现扩展 OTP 编程:

    software-dl.ti.com/.../DRIVERS_HSMCLIENT_PAGE.html

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    关于其他问题、我们仍想知道:1) OTFA 读取和写入之间的“切换时间“的主要作用是什么;2) 如果软件在使用 MAC 加密 OTFA 时必须进行手动地址转换以进行擦除操作;3) 如果 OTFA 使用专用 AES 内核进行相同的操作或使用 HSM/quote 操作。

    我会得到这些问题的答案。