[参考译文] AM2634：如果不刷新存储器、则无法检测到 SECDED ECC。

尊敬的  TIMCM：

您是如何刷新整个内存的？  

我对 MSS 存储器运行 ECC 测试、并且所有测试（1 位和 2 位 ECC 错误注入）都通过了、没有 持续刷新存储器。

尊敬的 Wang：

在您使用的代码中、整个存储器正在刷新（即读回和写）

ecc_funcTest -> ecc_example_init -> sdl_ecc_initMemory (sdl_example_ecc_aggr、sdl_example_ecc_ram_ID)

-> sdl_ecc_memoryRefresh ((uint32_t *) memConfig.memStartAddr、(size_t) memConfig.size)；也可以在中进行设置  

ecc_sdlFuncTest->sdl_ecc_initMemory (sdl_example_ecc_aggr、sdl_example_ecc_ram_ID)；->sdl_ecc_memoryRefresh ((uint32_t *) memConfig.memStartAddr、(size_t) memConfig.size)；

在该函数中、将读取和回写整个存储体、如果未调用刷新 fn、则 ECC 测试失败。

此致、

EMC

尊敬的 TIMCM：

需要使用 sdl_ecc_memoryRefresh() 来计算 ECC 值并将 ECC 值写入 ECC 空间。

尊敬的 Wang：

您能解释一下存储器 ECC 值何时更新、是否只有在我们刷新整个存储器时才更新？

如果是、在存储器用于连续读取和写入的实时应用中、应该如何保护存储器。

 如果不是、 我们需要刷新的错误注入地址之后的最小地址块是什么、以便检测到 SEC/DED 错误。

例如、如果存储器中的某个位损坏、则仅当程序手动刷新了整个存储器时才会发出 SEC 错误。 否则、ECC 不会检测到错误。 这是正确的还是我的误解？

此致、

EMC

尊敬的 TIMCM：

如果启用了 ECC、则向存储器写入值将计算 ECC 并将其编程到相应的 ECC 位置。 如果已对 ECC 进行编程并启用的存储器中的某个位损坏、则读取该存储器位置将导致 SEC 错误。

尊敬的 Wang：

如果启用了 ECC、则向存储器写入值将计算 ECC 并将其编程到相应的 ECC 位置

那么为什么在没有刷新存储器的情况下即使在错误注入、然后写入或读取该存储器之后也无法检测到 ECC、

尊敬的 TIMCM：

明天上午我将再次检查。

尊敬的 Wang：

我们正在等待您的回复

尊敬的 TIMCM：

我在禁用刷新后重现了该问题。

我正在学习 SDL 中的 ECC 驱动程序、看看我们是否错过了测试用例配置中的任何内容。  

尊敬的 Wang：

感谢您的答复、

 如果 有任何关于此问题的新发现或更新、请告知我们。  

此致、

EMC

我在不使用 SDK 函数的情况下测试了 ECC 自检 (SEC 和 DED)。 我必须将数据编程到整个银行、以便进行自检。 这可能是仅 ECC 注入模式的限制。

需要更多时间进行调试。 感谢您的耐心。  

尊敬的 Wang：

当出现有关此问题的任何新更新/发展/结论时、请更新我们。

我会随时更新您的最新信息。

尊敬的 Wang：

是否有关于此问题的任何更新？

尊敬的 TIMCM：

我要求 SDK SBL 专家在 MSS-L2 上运行 ECC selfttest（在我的测试中，TCMA 和 TCMB 工作正常）、但我还没有收到反馈。

尊敬的 Wang：

TCMA 和 TCMB 在我的测试中工作正常

即使没有刷新,他们工作正常吗?

我还没有收到反馈。

您可以跟进 SDK SBL 专家吗？

即使没有刷新、它们也能正常工作吗？

是的、您是否在 TCMA 和 TCMB 上尝试过 ECC 自检？

是的、我们已经在 TCMA 和 TCMB 上尝试过 ECC 自检、但没有刷新内存就没有尝试过。 目前我们未使用 TCM、因此主要问题是 L2 RAM。

明白。 我将促使我们的 SDL 专家再次检查 MSS-L2 上的 ECC selfttest。