工具/软件：
尊敬的团队：
我目前正在使用开发一个安全关键型嵌入式应用 TMS570 微控制器 我们可以在这里使用 闪存存储体 7 用于通过实现内部 EEPROM 仿真 F021 闪存 API 。 由于该区域用于存储关键的运行时数据、我们希望了解其可靠性和长期性能特征。
1. 组 7 支持的最大读/写周期数是多少？
2.银行 7 中是否存在内存损坏的风险?
3、银行 7 的最大数据保存时间是多少?
4.如果我在读/写期间禁用了 ECC、是否可以？
5、处理银行 7 的最佳做法是什么？
6.是否有任何诊断 API 来检查闪存组 7 的运行状况?
我感谢您的支持、并期待您的建议
谢谢、
子哈希
尊敬的 Subhash：
[quote userid=“643012" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1564448/tms570ls0914-reliability-of-flash-bank-7 第 7 组支持的最大读取/写入周期数是多少？100K 个写入/擦除周期。 请参阅器件数据表
[quote userid=“643012" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1564448/tms570ls0914-reliability-of-flash-bank-7 银行 7 中是否存在内存损坏的风险？存储器受 ECC 保护：检测并纠正一位错误、检测到两位错误。
[quote userid=“643012" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1564448/tms570ls0914-reliability-of-flash-bank-7 银行 7 的最长数据保留时间是多少？
建议在功能安全应用中启用闪存 ECC。 可以通过调用 HalCoGen 生成的 API 来手动禁用和启用 ECC。
[quote userid=“643012" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1564448/tms570ls0914-reliability-of-flash-bank-7 处理银行 7 的最佳做法是什么？闪存存储体 7 是数据闪存。 不应用于代码。 它可以使用 HalCOGen 生成的收费驱动程序用作 EEPROM。
[quote userid=“643012" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1564448/tms570ls0914-reliability-of-flash-bank-7 是否有任何诊断 API 来检查闪存组 7 的运行状况？是的、您可以刷写自检 API 来手动注入 ECC 错误。
