[参考译文] MSPM0L1306：如何生成 dl_flashctl.c 的单个.out 文件

您好、George、

感谢您的帮助。 引导加载程序的要求。 必须保存到单个文件中的闪存驱动程序代码必须下载到 RAM 中。

 当它处于调试状态时、我发现 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM() 在地址 0x20000758 中。

将 RAM 内容保存到文件操作：右键点击并选择具有特殊地址和长度的“Save Memory“、然后选择所需的文件类型。 我已经做到了。 如果您有其他方法、请与我分享。

我现在的问题是：

1、函数 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM() 是在 RAM 中运行的唯一闪存驱动器代码吗？

2、 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM () 的代码是否为地址 0x20000758 至 0x20000BFF（地址来自调试状态下的内存浏览）？ 在我看来、它有点大。

3、函数 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM() 现在包含在代码中。 如何排除此 函数生成的内容？

  在 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM () 中对代码进行注释并将下图的相同注释下载到 地址 0x20000758 是否正常？

尊敬的：

您是否试图 避免使用 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM ()、因为它在应用程序中的“大小“？

我还想说明的是、应用代码加载到闪存中、而不是加载到 RAM 中。

此致、

Owen

尊敬的 Owen：

有 2 个单独的 （应用程序和闪存驱动程序）部分要使用引导加载程序下载。

应用代码下载到闪存中、闪存驱动器被下载并运行到 RAM 中。

客户需要更新应用程序代码时、闪存驱动器会下载到 RAM 中。 在我看来、这是为了安全。

尊敬的：

感谢您的澄清。  我认为这需要修改链接器文件。 我会为您研究此问题、然后返回给您。  

此致、

Owen

尊敬的：

如需参考如何修改链接器文件、我建议查看 SDK 中的 secondary_bsl_uart 示例。 您可以将其与默认链接器文件进行比较、以了解需要更新的内容。

/*
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 * PROCUREMENT OF SUBSTITUTE GOODS OR SERVICES; LOSS OF USE, DATA, OR PROFITS;
 * OR BUSINESS INTERRUPTION) HOWEVER CAUSED AND ON ANY THEORY OF LIABILITY,
 * WHETHER IN CONTRACT, STRICT LIABILITY, OR TORT (INCLUDING NEGLIGENCE OR
 * OTHERWISE) ARISING IN ANY WAY OUT OF THE USE OF THIS SOFTWARE,
 * EVEN IF ADVISED OF THE POSSIBILITY OF SUCH DAMAGE.
 */

-uinterruptVectors

/*----------------------------------------------------------------------------*/
/* Memory Map                                                                 */

MEMORY
{
	FLASH_SBSL_INTVEC(RWX)  :	 org = 0x00001000,      len = 0x00000040,
	FLASH_SBSL_START(RWX)   :	 org = 0x00001040,      len = 0x00000040,
	FLASH_SBSL(RWX)   		:	 org = 0x00001080,      len = 0x00001F80,

    SRAM(RW)				:    org = 0x20000000,      len = 0x00001000,

    BCR_CFG		 		    : 	 org = 0x41C00000,      len = 0x00000080,
    BSL_CFG				    : 	 org = 0x41C00100,      len = 0x00000080,
    FACTORY_CFG		  		: 	 org = 0x41C40000,      len = 0x00000200,
}

/*----------------------------------------------------------------------------*/
/* Section Configuration                                                      */

SECTIONS
{
	.intvecs			: PALIGN(8) {} > FLASH_SBSL_INTVEC
	.sblStart			: PALIGN(8) {} > FLASH_SBSL_START

    GROUP(FLASH_MEMORY) {
        .text          	: PALIGN(8) {}
        .const         	: PALIGN(8) {}
        .cinit         	: PALIGN(8) {}
        .rodata			: PALIGN(8) {}
    } > FLASH_SBSL

    GROUP(SRAM) {
    	.vtable 		: {}
        .data          	: {}
        .bss           	: {}
   } > SRAM

	.TI.ramfunc   : load = FLASH_SBSL, palign(8), run=SRAM, table(BINIT)

    .stack  :   > SRAM (HIGH) SIZE(BSL_CI_stackSize)

    .factoryConfig          : {} > FACTORY_CFG
    .BCRConfig              : {} > BCR_CFG
    .BSLConfig              : {} > BSL_CFG
}

我认为要在 RAM 中存储闪存驱动程序代码、您只需使用“FromRAM"DriverLib 函“ 函数。 例如、当运行 DL_FlashCTL_eraseMemoryFromRAM 时、代码将从闪存加载到 RAM。

如需更多有关此主题的信息、请参阅 MSPM0 引导加载程序用户指南和 MSPM0 引导加载程序实施指南。

此致、

Owen

烤箱、

我在您的重播中学习了链接。 谢谢！

RAM 中的闪存驱动器代码正常。

  地址 0x20000758 和 0x20000BFF 之间的 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM () 代码（地址在调试状态下来自 Memory Browse，请参阅下图）。

 在函数中的内容被注释掉后、DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM() 的内容仍包含在 RAM 中（与下图相同）。

我想实施：

  MCU 运行后、地址 0x20000758 和 0x20000BFF 之间的内容为空白。

0x20000758 和 0x20000BFF 中的内容与从 LIN 接收到的数据一起写入。

如何注释  DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM() 中的内容？

尊敬的：

我不知道为什么函数没有从该存储器区域中清除。 如果调用 FromRAM DriverLib 函数、则可能会调用 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM () 函数。

您的 LIN 数据是否必须介于  0x20000758 和 0x20000BFF 之间？ 如果可能、我建议将 LIN 数据存储在不同的地址。 用户可以调整链接器文件、以便为此分配存储器区域。 在代码中、您也可以只使用指针而不是指定 RAM 地址。

此致、

Owen

尊敬的 Owen：

LIN 数据地址是自动生成的、我不知道如何 定义地址。 您对此有一些想法吗？

谢谢

Johnny

尊敬的：

LIN 数据存储在外设寄存器中、而不是存储在闪存或 RAM 中。 技术参考手册中规定该区域的开头为 0x4000.0000：

在 UART 寄存器表中：

您还可以参考 SDK 示例 lin_commander 和 lin_responder 进行实现。

这是你想要的吗?

此致、

Owen

尊敬的 Owen：

不是关于 LIN。

我想执行以下步骤：

1、    在当前代码中、DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM () 的 RAM 地址介于 0x20000758 和 0x20000BFF 之间。 然后 将整个地址的内容保存到“flashdrv.hex"中“中。

2、接下来我 注释 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM () 和编译器传递中的内容

3、接下来将“flashdrv.hex"下载“下载到 RAM 地址 0x20000758 和 0x20000BFF 中。

上部操作是否存在任何风险？ 如果是、请给出您的建议。 谢谢！

BR

Johnny

尊敬的：

我不确定我是否理解这些步骤、但下面是我如何解释这些步骤。

•  是否要将 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM() 函数另存为十六进制文件？
  
  
• 您为什么要评论该功能的实现？ 这将进行编译、但代码不会按预期执行。
  
  
• 是否要将代码放回地址中？
  
  
• 这样做背后的想法是什么？

在我看来,你试图删除的东西只是把它放回同一个地方吗?

此致、

Owen

尊敬的 Owen：

•  是否要将 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM() 函数另存为十六进制文件？ 是的
  
  
• 您为什么要评论该功能的实现？  是的。 这将进行编译、但代码不会按预期执行。  
  
  
• 是否要将代码放回地址中？ 是的、代码的执行将与之前的 DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM () 注释相同。  
  
  
• 这样做背后的想法是什么？  这是客户的要求。 当应用程序代码需要重新刷写时、必须将闪存驱动程序下载到 RAM 中。
• 在我看来,你试图删除的东西只是把它放回同一个地方吗?  是的

尊敬的：

感谢您的澄清。 我想我现在已经开始理解了。

您是否尝试从 RAM 运行闪存加载程序？

我遇到了 这个 E2E 主题、该主题涉及在 RAM 中运行。 这对您有帮助吗？

由于编译器并不会自然地将代码放入 RAM 中、因此我认为您也可以更新链接器文件来执行此操作、但这是我需要研究的。 您甚至可以将程序加载到闪存中、生成十六进制文件并将该十六进制文件加载到 RAM 中、但可能存在一些寻址风险、因为它会在与构建目标不同的位置运行。

此致、

Owen