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[参考译文] AM263P4-Q1:使用 Uniflash 刷写期间的 µC μ V 行为

Guru**** 2538955 points
Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1566462/am263p4-q1-c-behaviour-during-flashing-with-uniflash

器件型号:AM263P4-Q1
Thread 中讨论的其他器件:UNIFLASH

工具/软件:

嘿、专家、

 µC 与使用 Uniflash 进行刷写期间的 μ V 行为相关的问题。
IAM 使用:
CCS 12.8.1.00005
SDK 10_00_00_35
Uniflash 8.1.4983

当我通过 JTAG 将 XDS110 调试探针连接到代价 PCB 时、μ µC 会复位、运行一个位、然后停止。 µC、在使用 Uniflash 进行刷写期间、my n ü r 会重置、并且状态会运行一段时间。 他甚至在闪光时多次这样做。  

在哪里可以找到用于设置 µC μ s 刷写行为的选项? 我希望 μ µC 在刷写过程中处于安全状态、就像复位时一样、这样在刷写过程中不会发生不可预测的情况。

此致

Marcel

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    此外、在使用 Uniflash 刷写期间、我的 μ µC 会重置、并且状态会运行一段时间。 他甚至在闪光时多次这样做。  [/报价]

    在 UC 且没有内部闪存的情况下、闪存器写入器(例如,am263px_cc_flasher.out)由 UC 本身在 RAM 中执行。 JTAG 对 OSPI 闪存没有低级访问。 当闪存器在 UC RAM 上运行时、它 从 UniFlash 工具接收应用(或 SBL)文件、然后将其写入 OSPI 闪存。 因此、如果 UC 正在复位、则不太可能正确完成刷写。

    在哪里可以找到用于在刷写期间设置 μ µC 行为的选项? 我希望 μ µC 在刷写过程中处于安全状态、比如在重置过程中、这样在刷写过程中不会发生不可预测的情况。

    刷写期间的行为由 UnifFlash 闪存闪存器程序 (例如 am263px_cc_flasher.out) 的设计决定。  

    我想第一个问题是:您的定制 PCB 是否使用与开发板相同的 OSPI 闪存 IC: am263px-cc 或 am263px-LP? 如果是、则可以使用 UniFlash 提供的闪存器程序。

    否则、您可能需要制作定制闪 存器:AM263Px MCU+ SDK:Uniflash 定制闪存写入器

    [/quote]
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    我使用  am263px_lp_flasher.out 的修改版本(与 64MB 而不是 256 的闪存 IC 相同,因此我只更改了闪存设置)。
     am263px_lp_flasher 不会调用任何复位。 闪存器完成后会发生什么情况?

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    此问题已从“µC 使用 Uniflash 进行刷写时的行为“更改为“闪存器完成后会发生什么?“。

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    取决于刷写的定义。  
    我对闪烁的定义是:  
    -连接调试探针
    -运行 Uniflash 并点击 flash botton
    - uniflash 后显示  [Succes]Program Load completed successfully。 拔下调试探针。

    现在可以观察到、在 uniflash 输出此值时:

    μ µC 会复位并启动应用程序几次。 这表明我在应用中输出了 PWM。 这会在我的硬件中产生噪音、我可以听到。

    所以我不确定闪存过程是否与信息文本分配,我可以在 uniflash 中看到或不。 我只能告诉你,它发生在这个信息文本被写。

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    发现这是一个硬件问题。 TRST 被连接至 µC μ A 而非 nRST 的复位。