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器件型号：MSPM0G3507工具/软件：
您好、
我使用 MSPM0G3507 Launchpad 进行开发。我遇到了与闪存相关的示例代码。
我实现了闪存写入的基本驱动程序：
1.阅读整个行业。
2.修改字节
3.擦除扇区
4.更新行业
这是我使用的顺序。 我将共享代码片段。 它也在工作。
但我认为没有优化。 是否只需修改一个字节的任何其他方法？
#define FLASH_WORD_SIZE 8.
#define FLASH_SECTOR_SIZE 1024
/******************************************************************** */
int8_t Flash_Update 扇区 (uint32_t sectorAddr、uint8_t *newData)
｛
DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS gCmdStatus；
//擦除扇区
DL_FlashCTL_executeClearStatus (FLASHCTL)；
DL_FlashCTL_unprotectSector (FLASHCTL、sectorAddr、DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN)；
gCmdStatus = DL_FlashCTL_eraseMemoryFromRAM (FLASHCTL、sectorAddr、DL_FLASHCTL_COMMAND_SIZE_SECTOR)；
If (gCmdStatus == DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS_FAILED)
返回 BOARD_FLASH_ERROR；
//编程后扇区（逐字编程）
对于 (uint32_t offset = 0；偏移< FLASH_SECTOR_SIZE；偏移+= FLASH_WORD_SIZE)
｛
DL_FlashCTL_executeClearStatus (FLASHCTL)；
DL_FlashCTL_unprotectSector (FLASHCTL、sectorAddr + OFFSET、DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN)；
gCmdStatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM64WithECCGenerated (FLASHCTL、sectorAddr + offset、
(uint32_t *)&newData[offset])；
If (gCmdStatus == DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS_FAILED)
返回 BOARD_FLASH_ERROR；
}
Return Board_FLASH_OK；
}
int8_t Flash_Write_Bytes（uint32_t 地址、uint8_t *pData、uint32_t 长度）
｛
uint32_t sectorAddr = address 和~(FLASH_SECTOR_SIZE - 1)；//扇区基址
uint8_t buffer[FLASH_SECTOR_size]；
//将整个扇区复制到 RAM 缓冲区
memcpy (buffer、(void *) sectorAddr、FLASH_SECTOR_SIZE)；
//修改所需的字节
对于 (uint32_t i = 0；i < length；i++)
｛
Buffer[(address - sectorAddr)+ i]= pData[i]；
}
//重新编程整个扇区
返回 Flash_Update 扇区 (sectorAddr、buffer)；
}
