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[参考译文] MSPM0G1506:能够在擦除闪存或写入闪存时读取 VCC 总线(更喜欢在任一期间读取)

Guru**** 2551110 points
Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G1506

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1570284/mspm0g1506-able-to-read-vcc-bus-while-erasing-flash-or-writing-to-flash-prefer-able-to-read-during-either

器件型号:MSPM0G1506


工具/软件:

我们的 MSPM0G1506 设计由电池供电、并在运行时的标称运行电压为 4MHz。

在电池的定义寿命期间、VCC 范围为 3.0-2.2V

在闪存擦除/写入处于活动状态时读取 VCC 电源轨(通道 7)是否可行?  

本质上、由于闪存擦除/写入是我最耗电的事件 (10mA 为 3.3)、因此我想看看在该负载期间电源轨的下降程度。 (如果可能)

OBTW — 随着 VCC 变低、擦除/写入电流会发生什么情况?

感谢您的答复!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Roger:

    由于 M0G1506 中只有一个闪存存储体、因此我们无法在进行闪存擦除/写入操作时执行闪存编程。 但您可以在 SRAM 中加载“Read VCC Voltage“程序、以确保它在 SRAM 中运行、正常运行。

    M0 支持 3.0-2.2V 范围的电源电压范围、但我们需要避免在闪存操作期间出现快速下降、以避免擦除或写入失败。