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[参考译文] MSPM0G3519：MSPM0G3519 BCR/BSL 配置 NONMAIN 构建/闪存问题

admin
Guru**** 2680595 points

Other Parts Discussed in Thread: LP-MSPM0G3519

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1590959/mspm0g3519-mspm0g3519-bcr-bsl-configuration-nonmain-build-flash-question

器件型号： MSPM0G3519

我似乎对一个概念理解不正确。  我正在实现一个自定义引导加载程序 OTA 更新应用程序、将下载的映像流式传输到 bank1 (0x00040000)、然后执行存储体交换以获取新下载的映像。  我遇到的问题是、这需要更改 BCR/BSL 配置以支持存储体交换、这正是我最终一直锁定 MCU 的原因。  我肯定缺少一个概念、因为我想编写一次 BCR/BSL 配置更改、然后对这个 NONMAIN 区域进行写保护、以避免锁定我的处理器。  

但是、一旦我对 NONMAIN 进行写保护、由于“连接到目标时出错：连接到 MSPM0 内核失败“、我便无法再次刷写映像。  可能的根本原因：1) 使用密码禁用或启用了 NONMAIN 内的调试访问。 2) 外设配置错误（例如看门狗或时钟不正确）。  要查看问题的更详细诊断、请按下“读取引导诊断“按钮。 两种方法。  此时我只能执行出厂擦除操作以再次刷写。  我显然缺少有关如何正确修改 NONMAIN BCR/BSL 配置的关键步骤或概念。  以下是我正在尝试的 syscfg 配置更改：

image.png

image.png

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    TI__Guru**** 2680595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Richard：

    但是、一旦我对 NONMAIN 进行了写保护、由于“连接到目标
    时出错、我无法再次刷写映像

    我认为这是因为您设置了 NONMAIN 保护、还会尝试第二次擦除它作为您的配置、如下所示、如果不想再次修改 NONMAIN、请将其设置为 Erase main memory and test age,谢谢。

    此致、
    彼得

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    TI__Guru**** 2680595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Peter：  

    非常感谢您抽出时间来帮助我。  我已将设置更改为“Erase main memory“、然后收到一条 CCS 闪存错误消息、表明我正在尝试写入 NONMAIN 而不首先进行擦除。  好像您修改了 BCR/BSL 配置后、以后必须始终擦除/覆盖它？  我希望这只是一次操作、我只需覆盖一次、然后就能保护内存。  这非常令人沮丧、因为我只是使用 TI 示例代码作为次级引导加载程序来锁定了一堆 LP-MSPM0G3519 器件套件。