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部件号： RM46L852
我正在努力验证闪存内容。
在刷写一个 4K 数据块后、我会进行回读、结果会失败。 但是、当查看调试器中的数据时、它已正确刷写
闪存数据和回读之间是否存在需要注意的一些延迟？ （我正在使用闪存 API）。
如果我跳过整个验证过程、一切都正常、但我觉得这是错误的。 我尝试了仅对数据部分进行编程、还尝试了自动生成具有相同结果的 ECC 位。
代码：
//刷写数据块：（重复此过程直到刷写 4K）
uint32_t flashload_programBlock (uint32_t *flashAddress、uint8_t *data)｛
Fapi_Flash 状态类型 状态；
uint8_t i；
//编程 16 个字节
状态 = Fapi_issueProgrammingCommand (flashAddress、 data、 16 、0、0、 Fapi_Auto EccGeneration)；
if (Fapi_Status_Success ！= status)｛
返回 FAPI_PROGRAMMING_COMMAND_FAILED；
}
waitFlashReady ();
if (0！= FAPI_GET_FSM_STATUS)｛
返回 FAPI_FSM_not_zero；
}
返回 成功；
}
//验证：
uint32_t flashload_verify (uint8_t *地址、 uint32_t noOfBytes)｛
uint32_t i；
for (i = 0； i < noOfBytes；i++)｛
if(*address++ ！= flashload_rxbuf[i]){
返回 write_verify_error；
}
}
返回 成功；
}
