[参考译文] AM2612：与闪存擦除相关的问题 AM2612

擦除后、我还可以使用 UniFlash 的 MEMORY 函数来读取闪存地址、特别是  0x60081000 .

我认为外部闪存的存储器读取是无效的 (TI 的 TBC)、因此您看到的数字可能是垃圾的、不代表实际的闪存内容。 请参阅以下内容： AM263P4-Q1：UniFlash 特性请求：OSPI 闪存的存储器读取 — 基于 Arm 的微控制器论坛 — 基于 Arm 的微控制器 — TI E2E 支持论坛

此问题会阻止闪存正确引导

请考虑、由于存储器读取不起作用、原因可能不是闪存内容。

尊敬的 Zhou：

通过 uniflash 擦除后、您可以尝试使用 CCS 中的内存浏览器功能来读取闪存。 为此、您可以运行一个在 SysConfig 中启用了 DAC 模式的 OSPI 示例。

因此、一旦闪存打开完成、在“Memory Browser“中输入闪存地址、闪存内容将会可见。 此步骤可用于确保正确擦除闪存

完成闪存后、可以使用相同的方法来检查闪存内容、以确保代码正确刷写。  

您能在设置中尝试一下吗？

此致、

Aswin

尊敬的 Kier：

    很抱歉、由于一些问题导致延误。 我可能错过了一些补充信息。 我使用自己的控制板、而不是 LaunchPad。 此闪存器可在除此闪存板之外的其他 7 块电路板上正常进行擦除、编程和引导。 大小  OSPI (4S)-四路读取模式  引导、但只有一个板在擦除过程中遇到问题。 我运行了 QSPI_FLASH_IO_am261x 测试程序、结果显示  [Cortex_R5_0]所有测试均已通过！！ 、表示我的硬件工作正常。

尊敬的 Zhou：  

通过 uniflash 刷写内容后、您是否已检查闪存转储？ 请使用启用了 DAC 的 CCS 内存浏览器来检查闪存转储。

此外,在闪烁后,当您尝试引导时,什么是 osbervation ?

此致、

Aswin

尊敬的 Zhou：

在开发引导模式下重新启动后、您可以运行在 SysConfig 中启用了 DAC 的 ospi 示例 (ospi_flash_io)。 电路板驱动程序打开后、只有您应该通过存储器浏览器检查闪存。  

如果您有任何混淆、请告诉我、我将提供详细的操作步骤。

关于闪存擦除、实际需要什么？ 例如、对于闪存擦除、您可以在 ospi_flash_io 示例中检查闪存擦除 API。 该示例确实演示了闪存的擦除

此致、

Aswin

尊敬的 Aswin：

   您的意思是、我通过 UniFlash 擦除闪存后、应该在开发引导模式下重新启动并运行 OSPI 闪存 IO 示例以检查闪存是否已擦除？

是的、您回答正确。 您可以运行示例并 在 打开闪存后暂停。 由于 DAC 在 SysConfig 中保持启用状态、因此您可以在“Memory Browser“中输入闪存地址并查看闪存的状态。

尊敬的 Aswin：

   我尝试使用您之前提到的 examples/drivers/boot/sbl_JTAG_uniflash 中的示例程序来对闪存进行编程。 输入文件地址后、当我输入闪存偏移量 0x81000 时、为什么控制台显示函数地址为 0x70040020？ 如果我输入 1 并按 Enter 键、程序会立即提示验证错误。 完整的控制台输出如下所示：

[Cortex_R5_0]  
 
 ==================
 JTAG Uniflash Menu
 ==================
 
 1: Erase Complete Flash
 2: Write File to Flash and Verify
 3: Verify file in Flash
 
 x: Exit
 
 Enter Choice: 3

 Enter file name along with path to write or verify : C:/A01Projects/A03github/LV_am261x/LV/LV_Release/LV_AM2612.appimage
 Enter flash offset (in hex format) : 0x81000
 Enter below command in CCS scripting console to load the file data to memory.
 AFTER the file load is done, enter '1' to continue ...

 loadRaw(0x70040020, 0, "C:/A01Projects/A03github/LV_am261x/LV/LV_Release/LV_AM2612.appimage", 32, false);
1
 [FLASH WRITER] Verify Failed !!!

闪存编程错误是否由错误的第一个地址引起？ 如果是、应如何修改？ 我注意到 0x70040020 来自  

uint8_t gFileBuf[FILE_MAX_SIZE] __attribute__((aligned(128), section(".bss.filebuf")));。

如果第一个地址正确、为什么无法将程序编程到闪存中？ 如何解决这个问题？ （我也无法使用 Uniflash 对程序进行编程。 即使 Uniflash 显示编程成功、通过 CCS 从 0x60081000 读取的十六进制内容也明显异常。） 谢谢你。

此致

尊敬的 Zhou：  

因为我是 OOO、所以很抱歉耽误了我的时间。

1.我假设闪存配置是正确的,如前面的答复中所述。  

使用 SBL JTAG uniflash 时、电路板处于哪种引导模式？ 是设备引导模式还是 ospi 引导模式？

根据引导模式的不同、刷写过程也不同。 如果是开发引导模式、则该过程很简单。

2.输入闪存偏移并按 Enter 键时,应用程序会要求粘贴加载原始命令。 是否从脚本控制台执行了 loadRaw 命令？

在工程内部、当发出命令 3 时、选择操作类型作为闪存验证。 根据类型发出需要在脚本控制台上执行的命令。

loadRaw 命令中打印的地址实际上是 RAM 中保存数据的缓冲区的地址。 这不是进行刷写的地址。  

3.从 uniFlash 刷新时遇到的问题是什么? 工具是否显示成功刷新？ 是否使用了正确的闪光灯？ 用于擦除的那一个。 您也尝试使用 uniflash 多次刷写映像。 擦除闪存后、该工具可能无法成功刷写首次闪存。  

此致、

Aswin

尊敬的 Aswin：

   我的电路板处于开发模式。  抱歉、我可能没有仔细检查。 我需要复制程序提供的 load Raw 命令。 我尝试这样做：首先复制了程序提示的 load Raw 命令、然后输入 1、但得到了相同的结果。

[Cortex_R5_0]  
 
 ==================
 JTAG Uniflash Menu
 ==================
 
 1: Erase Complete Flash
 2: Write File to Flash and Verify
 3: Verify file in Flash
 
 x: Exit
 
 Enter Choice: 2
Enter file name along with path to write or verify : C:/A01Projects/A03github/LV_am261x/LV/LV_Release/LV_AM2612.appimage
Enter flash offset (in hex format) : 0x81000
Enter below command in CCS scripting console to load the file data to memory.
AFTER the file load is done, enter '1' to continue ...
 
loadRaw(0x70040020, 0, "C:/A01Projects/A03github/LV_am261x/LV/LV_Release/LV_AM2612.appimage", 32, false);
loadRaw(0x70040020, 0, "C:/A01Projects/A03github/LV_am261x/LV/LV_Release/LV_AM2612.appimage", 32, false);
1
[FLASH WRITER] Write Failed !!!

当通过 UniFlash 刷写闪存时、进度条甚至在发生错误之前都不会向前移动。 我已经尝试过几次、问题仍然是一样的。 用于擦除闪存的文件是 SDK 中的“flasher_JTAG_uniflash_am261x_LP"工程“工程。 错误消息如下所示：

[11/13/2025, 5:28:37 PM] [ERROR] Cortex_R5_0: Error Code 40000001
[11/13/2025, 5:28:37 PM] [ERROR] Cortex_R5_0: Error Loading the data...
[11/13/2025, 5:28:37 PM] [ERROR] Cortex_R5_0: Run failed...
[11/13/2025, 5:28:37 PM] [ERROR] Cortex_R5_0: File Loader: Memory write failed: Algorithm indicated it failed to flash the data
[11/13/2025, 5:28:38 PM] [INFO] Cortex_R5_0: Writing 1 chunk at offset 0x0
[11/13/2025, 5:28:38 PM] [ERROR] Cortex_R5_0: Error Code 40000001
[11/13/2025, 5:28:38 PM] [ERROR] Cortex_R5_0: Error Loading the data...
[11/13/2025, 5:28:38 PM] [ERROR] Cortex_R5_0: Run failed...

此致

尊敬的 Zhou：  

我想再次确认闪存配置是否对齐。 您是否能够在定制板上运行 ospi_flash_io 示例？

完成该操作后、如果闪存器的闪存配置也对齐、则不应该出现问题。

此外,我们可以打电话来检查问题吗?

此致、

Aswin

尊敬的 Aswin：  

   抱歉、我实际上 6 天前没看到您的消息、可能是因为没有收到 TI 的通知、或者我错过了您的消息。 巧合的是、本周我还忙于其他事情、因此我可能需要在下周解决这个问题。 我之前曾尝试运行过 ospi_flash_io 示例、但它有效、但我会再试一次。 我也希望安排电话来解决这个问题,虽然它将不得不等到下周。 谢谢你。

此致。

尊敬的 Zhou：

没问题。 我们可以在下周致电、看看问题。 同时、您能否告诉我们正在使用哪个闪存部件？

此外,是可能的,你分享我正在使用的 sysonfig. 我只想查看闪存配置

此致、

Aswin

感谢您共享闪存器件和 SysConfig。

尊敬的 Aswin：

  很抱歉这些天被另一个项目占用。 您是否会有时间对此星期四或星期五进行简要讨论？ 我是否需要提前准备其他测试？ 或者、我们可以通过电子邮件进行简短沟通吗？ 至少我认为它会比网站更有效:)

此致

尊敬的 Zhou：  

如果我们能就星期一展开讨论、可以吗？ 这是否可行？ 是的、我们可以通过电子邮件进行沟通。

此致、

Aswin

尊敬的 Aswin：

  请提供您的电子邮件地址吗？ 我有一些新的测试结果要分享。

此致。

尊敬的 Zhou：  

我已经向您发送了一封电子邮件。 请检查它。

此致、

Aswin