Other Parts Discussed in Thread: SYSCONFIG, UNIFLASH
器件型号: LP-AM261
Thread 中讨论的其他器件: SYSCONFIG、UNIFLASH
您好:
我正在使用以下环境:
- 器件:AM261x LaunchPad
- SDK:motor_control_sdk_am261x_10_02_00_07
- IDE:CCS 12.8.1
我的目标是在使用 QSPI 闪存器件的定制电路板上运行 SBL。
为实现这一目标、我将按照以下步骤操作:
验证 OSPI 闪存是否可在 LaunchPad 上的单路 (1S-1S-1S) 或四路 (1S-1S-4S) 模式下访问。
2.在定制电路板上验证相同。
3.将工作配置应用于 SBL 并在定制电路板上运行该配置。
第一步、我使用以下示例工程测试了闪存操作:
ospi_flash_dma_am261x-lp_r5fss0-0_nortos_ti-arm-clang
问题
1.此示例是否仅在八进制模式下工作?
我将 SysConfig OSPI 闪存设置更改为单 (1S-1S-1S) 模式。
但是、当我运行该示例时、会出现以下错误:
[Cortex_R5_0]错误:FLASH_NOOspiOpen:1316:FLASH_NOOspiOpen:PHY 启用失败!!! 在没有 PHY 的情况下继续...
错误:Board_flashOpen:196:闪存打开失败、例如 0!!!
我可以通过在 OSPI 设置中禁用“启用 PHY 模式“来避免此错误。
但随后闪存读取/写入操作不起作用。
在四通道模式 (1S-1S-4S) 下也会出现相同的行为。
您能否建议如何在单通道或四通道模式下正确运行示例?
2.可以禁用“Enable PHY Mode“吗?
当我在禁用 PHY 模式的八路模式下运行示例时、
闪存操作无法正常工作。
例如:
- 写作似乎取得了成功
- 但读回存储的数据会显示不同的值
此问题是否与单模式和四模式也会发生故障的原因有关?
即使在单路/四路操作下、闪存器件或 OSPI 控制器也是否需要 PHY 模式?
感谢您的支持。
此致、
