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[参考译文] AM2434:如何在 TI SysConfig 工具中更改 PHY 调优数据的".phyTuningOffset&quot?

Guru**** 2693225 points

Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH, SYSCONFIG

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1597381/am2434-how-to-change-phytuningoffset-for-phy-tuning-data-in-ti-sysconfig-tool

器件型号: AM2434
Thread 中讨论的其他器件: UNIFLASHSYSCONFIG

您好:

我注意到、TI UniFlash(类似于 OSPI 引导加载程序)在应用程序刷写期间存储并使用闪存中的某些信息、特别是 PHY 调优数据--operation=flash-phy-tuning-data ()。 用于存储这些数据的偏移量当前设置为闪存的中间、如 Profinet 演示工程中 TI SysConfig 工具生成的结构所定义。

TI SysConfig 工具会根据其配置自动定义和重新生成所有这些全局结构。 但是、出于应用特定的原因、我需要将 PHY 调优数据的存储位置重新定位。 很遗憾、我在 TI SysConfig 工具中找不到任何用于更改此设置的选项。

您能否建议如何.phyTuningOffset使用 TI SysConfig 工具修改生成的结构中的值? 是否有支持的方法来配置此偏移?

感谢您的帮助。

此致、
维特·特里斯卡

obrazek.png

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    尊敬的 Vit:

    PHY 调优数据必须写入的偏移不应改变、请参阅此常见问题解答、了解--operation=flash-phy-tuning-data 的用途是什么: (+)【常见问题解答】SK-AM64B:--operation=flash-phy-tuning-data 的用途是什么? -处理器论坛 — 处理器- TI E2E 支持论坛

    此致、

    会面。

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    尊敬的会议:

    感谢您的回复以及分享解释 Phy 调优数据用途的常见问题解答链接
    但是、您仍然没有阐明为什么将恰好 128 字节放置在存储器中间被视为理想位置。 我需要将它们存储在其他位置(例如,在闪存开头或更靠近闪存开头的位置)。

    您能否解释一下推荐放置方式背后的技术原因?

    谢谢、此致、
    维特·特里斯卡

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    尊敬的 Vit:

    我将检查此失调电压是否可以修改、然后返回给您。

    此致、

    会面。

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    尊敬的 Triska:

    该偏移的目的是确保在没有其他二进制文件刷写或重叠的位置定义它。

    尽管不建议更改、但如果您看到整个应用或最终用例未使用闪存的最后一个块、您可以更改此偏移量。

    更改的正确方法是修改函数:

    Flash_getPhyTuningOffset

    此致、

    Vaibhav

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    您好:

    此函数是预先编译的 MCU+ SDK 的一部分、位于“board.am243x.r5f.ti-arm-clang 中。 lib“。

    1) 我不允许重新编译任何 TI SDK 库(必须保持不变)。
    2) 实施是很好的事实上,如下所示...

    但是、我想手动设置“phyTuningOffset"值“值。 通常、我无法这样做、因为它是由 TI SysConfig 工具生成、定义和覆盖的。

    您是否有任何替代解决方案或建议?
    或者如何在纯 C 语言中覆盖此函数?

    此致、Vit


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    尊敬的 Vit:

    您可以通过在 应用程序的 main.c 中调用 Board_driversOpen 之前添加这两行来更改此偏移量:

    此致、

    会面。