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[参考译文] MSPM0G3519:闪存写入

Guru**** 2694785 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1596006/mspm0g3519-flash-write

器件型号: MSPM0G3519

大家好、E2E 专家:

在写入之前、我尝试通过 UART 在闪存中写入一些数据、而是刷写在该位置上包含 0xFF 的.S19 或 elf 文件。 我试图在第一次写入数据时写入我发送的数据。 在第二次前往/第三次/...n 次上、如果我发送 FLASHCTL 状态会显示 INPROGRESS:Completed PASS:PASS (1)、DONE:1 (DONE)。  

根据我的理解、在擦除闪存之前我们无法写入、如果我写入、会出现一些例外情况。 但我怎么能够写第一次,然后我不会得到错误/异常在进一步的写操作?

此致、

公务员制度委员会

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 CSC:

    您不能直接将值写入已使用 0xFF 编程的闪存地址。

    当它使用 0xFF 编程时、则闪存不为空(ECC 值使用 0xFF 闪存值编程)。

    然后、下次闪存写入将成功但仍然是闪存地址中的 ECC 错误、并且下次从该闪存地址读取时、可能会触发 FLASHDED(取决于 ECC 校验,因为它只能检测双位错误)并进入 NMI 中断。

    始终使用其闪存值和 ECC 值写入闪存都是 0xFF。

    B.R.

    Sal