Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357
器件型号： TMS570LC4357
在 TMS570LC4357 器件写入 F021 闪存的第 7 组时遇到了问题、希望您给予支持以了解该行为。 我正在使用 F021 闪存 API 将数据编程到闪存组 7 中的特定地址。 在第一个编程周期中、数据被正确写入、闪存内容反映预期值。 但是、在第二个编程周期中、当我在执行闪存擦除后尝试重写相同的地址时、更新的数据不会反映在闪存中。令人困惑的是、在第二个周期中、所有闪存 API 调用（包括擦除和编程命令）返回 Fapi_Status_Success、
尊敬的 Prasanna：
我已经在下面的 e2e 中附加了一些经过测试的示例、因此请浏览一次：
--
此致、
Jagadish。
尊敬的 Prasanna：
根据我的理解和当前实现、闪存架构仅支持扇区级和存储体级擦除操作、并且似乎没有任何字级或短语级擦除的规定
不仅仅是该闪存、大多数闪存存储器仅支持扇区的简易粒度。 我们无法通过在闪存存储器中进行字节擦除来完成。
我认为使用 EEPROM 就可以做到这一点。
但是、我们有付费模块、即闪存仿真 EEPROM。 我的意思是、在这里我们将闪存仿真为 EEPROM。 这意味着您也可以通过字节重写来执行字节重写操作、而无需完全执行扇区擦除。
有关其操作的更多详细信息、请参阅以下文件：
e2e.ti.com/.../2570.TI-FEE-User-Guide.pdf
在此处可以找到与此相关的示例：
也许这将有助于满足您的要求。 请仔细检查一下、进行验证。
--
此致、
Jagadish。
