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[参考译文] AM623：AM6234 引导 FAIL_QSPI NAND（2 平面）

admin
Guru**** 2826855 points

Other Parts Discussed in Thread: AM623

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1597007/am623-am6234-boot-fail_qspi-nand-2-plane

器件型号： AM623

尊敬的先生：

AM6234 是否支持 2 平面阵列 QSPI NAND？

引导模式设置如下所示、  

  • 对于 Ref CLK = 25MHz、位[2：0]= 011
  • 对于串行 NAND 模式/SPI 1-1-1 模式、位[6：3]/[9：7]= 0000/111
  • 位[12：10]/[13]= 000/0（无）
  • 位[15：14]= 00 表示保留的引脚

我们使用 1 平面 NAND (W25N02KVZEIR) 并成功引导、但 2 平面 NAND (F50L2G41XA-104YIG2B) 引导失败。  

 

https://www.esmt.com。tw L2G41XA(2B).pdf

ESMT NAND：F50L2G41XA-104YIG2B

image.png

 

image.png

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    TI__Guru**** 2826855 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、陈阿莫斯、

    感谢您提供的查询和数据！  

    根据 AM62x 处理器器件版本 1.0、1.1 勘误表的公告 i2372、 AM623 ROM 加载程序具有某些限制、以便从多普通串行 NAND 闪存引导。

       AM62x TRM 的“串行 NAND 引导/部分“串行 NAND 引导加载程序操作“一节中还提供了一个提示

     F50L2G41XA-104YIG2B 的文档显示存在 平面选择位  在 1S-1S-1S 配置 (0xB) 下的串行 NAND 引导模式期间、AM623 ROM 加载程序使用的“从高速缓存读取“命令中应存在的此类偏移。  

     F50L2G41XA-104YIG2B 的读取缓存命令中存在“平面选择位“似乎 与 ROM 代码的要求相矛盾。 为了使 ROM 能够从多平面存储器成功引导、不应有这样的位。  

    请允许我有时间在内部再次检查。  

    谢谢

    此致、

    Anastas Yordanov

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    TI__Guru**** 2826855 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、陈阿莫斯、

    很抱歉、延迟的回复。

    我从 AM62x ROM 专家处得到确认、AM6234（即 AM62x 器件修订版 1.0）ROM 不支持从 双平面 SPI-NAND  F50L2G41XA-104YIG2B 引导。

    谢谢

    此致、

    Anastas Yordanov