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器件型号： MSPM0G3507-Q1
嗨
我们使用 MSPM0G3507-Q 驱动 3D 霍尔、SPI_CLK 和 SPI_MOSI 和 SPI_CS 中有一个 1nF 电容器、用于 ESD 保护。 它完全正常工作、可以满足 TR 和 tF 要求 (100ns)、但峰值电流远大于 DS 中的给定值。
SPI 频率为 300kHz、标准 I/O
计算的平均电流 Iavg=C*U*F=Iavg 0.99mA
假设：
如 DS 中所述、最大允许电流为 6mA、压降电压为 0.4V、因此高 FET 的电阻约为 60 Ω、因此峰值电流将~3.3/60=~Ω 55mA
您能告诉我此用例是会损坏 MCU 还是会缩短使用寿命
此致
