Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357
器件型号： TMS570LC4357
工具/软件：
嗨、 Gundavarapu
我对闪存的 ECC 功能有几个问题。
1. 闪存 ECC 是闪存数据反转的纠错机制, SPI ECC、sci ECC 是相同的吗?
2、 闪存 ECC 可以通过以下方法进行测试,该方法描述了 CPU 错误处理程序可以捕获该错误,您能解释如何知道 ECC 错误发生吗? 只通过读取 FEDAC_GBLSTATUS 寄存器来实现？
3. 发生 ECC 错误时,如何知道它发生在哪里?
您好、Sam、
[quote userid=“635171" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1547865/tms570lc4357-flash-ecc-problem 闪存 ECC 是一种用于闪存数据反转的纠错机制、SPI ECC、sci ECC 是否相同？不、它们是不同的。
闪存 ECC 适用于控制器中可用的所有闪存。
您可以看到器件中正好有 4MB 闪存、因此该 4MB 闪存将具有相应的 ECC 存储器来存储所写入数据的 ECC。 该 ECC 将用作数据的验证位。 这意味着、如果数据中发生任何损坏、就会收到事件。
而 SPI ECC 或 SCI ECC 特定于相应的外设。
例如、如果您验证 MibSPI、将有一个 RAM 来存储接收到的数据或要直接传输的数据、因此该存储器也会进行 ECC 验证。
不仅是寄存器、您还将根据错误类型获取闪存错误的 ESM 事件。
对于闪存中的可校正错误、您将获得 ESM 1.4：
对于无法纠正的错误、您将获得 ESM2.3 或 ESM3.13
您可以通过以下链接下载我们的诊断库：
SAFETI_DIAG_LIB 驱动程序或库|德州仪器 TI.com
在此诊断库中、您可以找到器件中所有诊断的示例代码。
对于与闪存相关的诊断、您可以使用以下 API 名称进行查找：
sl_Self Test_Flash
EPC 模块将帮助捕获 ECC 错误的地址。 更多详细信息、请参阅本章。
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此致、
Jagadish。
您好、jundavarapu
我的目标是测试闪存 ECC 的功能。 如果发生一位错误或双位错误、我想知道发生了什么、然后记录它（需要对一位错误进行计数）。
首先、我需要模拟闪存 ECC 错误。 根据您在另一个论坛的回复、我下载了您的 FEE_ECC_Errors_TEST_LC4357.zip 项目。
我对这个项目有一些不太理解的问题。
------------------------------------------------ TEST DIAGMODE = 7------------------------------------------------
如下图所示、我在图中的水平线执行了代码。
正如预期的那样使用模式 7、PortAErrStat 不应为 0、因此 ESM Stat1 寄存器不应为 0、应设置 Group1_Error、错误指示灯不应亮起、但结果相反、如下图所示。
您能解释一下这种现象是什么吗？
另外、下图中的 PoartA 和 PoartB 的概念是什么？
如果无法触发端口 B 的 ECC 错误中断、会出现什么问题？
---------------------------------------------------- TEST DIAGMODE = 5--------------------------------------------------------
执行下图所示的自检。
结果如下所示。
所选寄存器状态均符合预期、但我注意到、无论传递的参数是 FLASH_ECC_TEST_MODE_1BIT 还是 FLASH_ECC_TEST_MODE_2BIT、GROUP2Error 变量都被设置。 当传递的参数为 FLASH_ECC_TEST_MODE_1BIT 时、为什么不设置 Group1Error 变量？
在模式 5 诊断模式下、是否始终触发 Group3 中的地址标签错误？
您好、Sam、
我想您从下面的链接下载了代码：
您是否只下载了此代码？
如果是、那么如本注释中所述、此代码仅适用于端口 A 那么、您可以先尝试使用端口 A 吗？
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此致、
Jagadish。
我执行了如下所示的代码。
寄存器值如下所示：
值如下所示：
这是正确的吗？为什么 1 位 ECC 错误不会触发组 1 的中断？
此外、请帮助介绍 POART_A 和 POART_B 的概念、谢谢。
您好、Gundavarapu
感谢您对端口 A 和端口 B 的概念的回复
如操作所示、我在端口 A 上执行了 FLASH_ECC_TEST_MODE_1bit 测试。根据您之前的回复、应该触发组 1 通道 4 的中断。 我是否可以询问为什么我看到这里设置了 Group2Error？
您好、Sam、
我明白,为什么你在你的代码中得到 ESM2.3 错误。 这是由于闪存中的 ECC 值不正确、
请参阅以下主题：
(+) TMS570LC4357：Uniflash 工具无法正确擦除闪存。 -基于 Arm 的微控制器论坛 — 基于 Arm 的微控制器 — TI E2E 支持论坛
因此、这就是我们读取它正在触发的任何闪存区域（不可纠正的 ESM 标志、即 ESM2.3）的原因。
我取消选中 CCS 中的 Auto ECC Generation 选项。
我使用链接器 CMD 文件为整个闪存生成了 ECC、包括闪存的未使用区域：
进行此修改后、如果我触发 1 位 ECC 错误、那么我只得到 ESM1.4、而不是 ESM2.3。
我将在我的最后一端附加测试项目、请仔细阅读。
e2e.ti.com/.../7024.FEE_5F00_ECC_5F00_Errors_5F00_TEST_5F00_LC4357.zip
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此致、
Jagadish。
嗨、 Gundavarapu
1. 未能触发 1 位纠错中断的问题
原因是该函数没有被调用:epcEnableSERREVENT()；
2. 2 位错误是否导致中止？
3. 由 2 位错误触发的中断是否仅限于下图所示的内容？
4. 我调用了函数 sl_Self Test_Flash (FLASH_ECC_TEST_MODE_2BIT、TRUE、&failInfoFlash、Port_Var)、并设置了 Group2Error。 如何获取错误地址？ 根据手册、该错误涉及以下寄存器。 但在实践中、这些寄存器的值为 0。 为什么会这样？
嗨、 Gundavarapu
`SL_Self Test_Flash (FLASH_ECC_TEST_MODE_2BIT、TRUE、&failInfoFlash、Port_Var)`函数模拟 2 位错误、但它一直滞留在`μ s while`循环中、不会触发中止异常。 这可能是什么原因？
2. 我仔细地看了一下手册。我发现了以下几点:
2.1 “互连和 RAM IP 模块“是什么意思？ 这是否意味着 EPC 捕获的内容不包括闪存 ECC 2 位错误？
2.2 您能否解释一下第 2-4 节中描述的以下术语是什么意思：CPU0 可校正错误、PS_SCR_M I/F 的 CPU SCR 可校正 ECC、DMA I/F 的 CPU SCR 可校正 ECC 和 L2RAMW RMW 可校正错误？
3. 将 0x45 写入 FEMU_ECC 寄存器来模拟 2 位闪存 ECC 错误的原理是什么？
4. 下面的屏幕截图显示了我执行 1 位和 2 位仿真时发生变化的寄存器内容。 当您提及 ERR_STATUS_CLR 寄存器时、您指的是哪个寄存器？
由于 1 位错误而变化的寄存器：
由于 2 位错误而变化的寄存器：
5. 此外,我发现 FUNCERRADD 注册表没有在手册中声明或描述。
您好、Sam、
2.1 “互连和 RAM IP 模块“是什么意思？ 它是否意味着 EPC 捕获的内容不包括闪存 ECC 2 位错误？
“互连和 RAM IP 模块“ 参考：
是、EPC（错误分析控制器）不会直接捕获闪存 ECC 2 位错误。 手册中的语句表明 EPC 专门从“互连和 RAM IP 模块“捕获不可纠正的故障。
2.2 能否解释第 2-4 节中描述的以下术语是什么意思：CPU0 可更正错误、PS_SCR_M I/F 的 CPU SCR 可更正 ECC、DMA I/F 的 CPU SCR 可更正 ECC 和 L2RAMW 可更正错误？
CPU0 可校正错误 ：在 CPU0 操作（指令提取或数据访问）期间检测到并校正了一位 ECC 错误
PS_SCR_M I/F 的 CPU SCR 可校正 ECC ：
DMA I/F 的 CPU SCR 可校正 ECC ：
L2RAMW RMW 可校正错误 ：
主要目的是在 ECC 或数据中设置两位或更多位错误。
我在此器件上创建了一个用于 ECC 计算的 Excel 文件。
e2e.ti.com/.../0028.ECC_5F00_calculation_5F00_Big_5F00_Endian_5F00_Devices_2800_LC4357_2900_.xlsx
如果您提供地址数据值、则提供相应的 ECC 值。
您可在此处验证我们的输入、并将 ECC 和数据与这些 Excel 进行比较。
[quote userid=“635171" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1547865/tms570lc4357-flash-ecc-problem/6163377 下面的屏幕截图显示了当我执行 1 位和 2 位仿真时更改的寄存器内容。 当您提及 ERR_STATUS_CLR 寄存器时、您指的是哪个寄存器？。 ERR_STATUS_CLR 寄存器是的一部分 闪存 ECC/错误日志寄存器 耦合。 具体信息如下：
对于 TMS570LC4357（类似于具有 M3 和 C28x 的双核器件）：
闪存 ECC 错误状态清除寄存器 (ERR_STATUS_CLR)：
用途： 该寄存器用于 清除错误状态标志 在 ERR_STATUS 寄存器中、包括：
在屏幕截图中： 查看寄存器转储、ERR_STATUS_CLR 寄存器应位于闪存包装程序寄存器空间中。 您看到的寄存器如下所示：
是的 EPC（错误分析控制器）寄存器 、而不是闪存包装程序寄存器。 ERR_STATUS_CLR 位于不同的寄存器块中、专门用于闪存 ECC 控制。
[quote userid=“635171" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1547865/tms570lc4357-flash-ecc-problem/6163377 此外,我发现 FUNCERRADD 寄存器没有在手册中声明或描述。[/报价]无文档记载的闪存包装程序寄存器：
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此致、
Jagadish。
您好、Sam、
我的上述陈述是否正确？
您的大部分理解是正确的、但我想进一步澄清：
这是数据或代码、将按如下方式触发 2 位错误：
每当内核尝试从存储器中获取数据或指令时、 将执行 ECC 验证。 我的意思是、它将与存储器中的数据（也包括指令）一起读取 ECC、现在它会将该 ECC 和数据提供给 SECDED 模块以进行错误检测、如下所示。
因此、验证后、它将根据相应的 ECC 错误生成 ESM 中断和 ESM 标志。
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此致、
Jagadish。
