[参考译文] MSPM0G3507：无法对 MSPM0G3507SRHBR 进行编程

尊敬的 AB：

如何为您的硬件供电？ （通过 XDS110 ET 还是非 EVM）？

您是否尝试过按照本指南恢复器件出厂设置？

 MSPM0G3507：将器件复位为出厂设置 

在硬件设计方面、复位连接更优选择、但不是强制性的。

谢谢！

此致

Johnson

你好,谢谢你的答复。  

我不通过 XDS110 供电、硬件是单独供电的。 我检查了引脚 4 处的电源、它与 预期的 3.3V 一样。

我尝试了这个 MSPM0_RTOS Factory_Reset_Tool 工具、但它无法识别我的器件（未连接）。

我能够做一些工作,并获得了一个上拉在 NRST 现在当我尝试编程它通过手动探测我的 NRST 每次我得到以下之一:

连接到目标时出错：（错误–615 @ 0x0）目标无法看到正确格式化的 SWD 标头。 与目标的连接可能不可靠。 尝试降低 TCLK 设置、然后重试。 （仿真包 20.1.0.3429）  

或者、

CPU 子系统复位失败：（错误–1001 @ 0x0）此器件不支持请求的操作。 （仿真包 20.1.0.3429）
错误：连接到 MSPM0 内核失败。 可能的根本原因：1) 使用密码禁用或启用了 NONMAIN 内的调试访问。 2) 外设配置错误（例如看门狗或时钟不正确）。 要查看问题的更详细诊断、请按下“读取引导诊断“按钮。

或者、  

CS_DAP_0：连接到目标时出错：DAP 连接错误。 这可能是由于器件进入低功耗模式。 尝试强制外部复位。如果错误仍然存在、请尝试强制 BSL、批量擦除或恢复出厂设置。 有关更多信息、请查看器件常见问题解答。
在复位模式下检索等待失败：（错误–6311）PRSC 模块无法写入寄存器。 （仿真包 20.1.0.3429）
连接到目标时出错：（错误–6311）PRSC 模块无法写入寄存器。 （仿真包 20.1.0.3429）

或  

CPU 子系统复位失败：（错误–2063 @ 0x0）无法复位器件。 对电路板进行下电上电。 如果错误仍然存在、请确认配置和/或尝试更可靠的 JTAG 设置（例如下部 TCLK）。 （仿真包 20.1.0.3429）
JTAG 通信错误：（错误–615 @ 0x0）目标未能看到正确格式化的 SWD 标头。 与目标的连接可能不可靠。 尝试降低 TCLK 设置、然后重试。 （仿真包 20.1.0.3429）                                           CS_DAP_0：GEL：执行 PWRAP_DPREC0 时出现错误= PWRAP_DPREC0 | 0x00020000：无法读取寄存器 PWRAP_DPREC0：目标未连接在 (PWRAP_DPREC0|0x00020000)

目前、我已将 TCLK 配置为 100.0KHz。

在硬件设计方面、首选重置连接、但不强制要求。

是的、数据表提到了相同的内容、但在我的例子中、两线制接口似乎不起作用。

【编辑：在我收到的错误列表中添加了最新错误。】

当我尝试通过手动探测 NRST 对其进行编程时、我现在能够做一些工作、并在 NRST 获得上拉电阻：

很抱歉这里的这些模糊信息。  

最初、我的引脚 3 和引脚 4 短接 (NRST 和 VDD)、现在我设法切断布线、向 NRST 布线添加一个上拉电阻器、每当需要进行编程时、我 从 J102 引脚 10（来自 LaunchPad）连接另一根导线、并将其探测到电阻焊盘。

大家好、 A B 

先检查一下、您是否使用此工具进行编程？

https://www.ti.com/tool/LP-XDS110ET

如果是、

连接的 J102 SWDIO ->目标 SWDIO (PA20)
已连接 J102 SWCLK ->目标 SWCLK (PA19)

LP-XDS110-SWCLK 上不应有 SWDIO 和 ET、

在底层、

TMS = SWDIO

TCK = SWCLK

3V3 = 3V3

GND = GND

最好是连接

nRST = NRST

你好、 齐赫里克 、

先检查一下、您是否使用此工具进行编程？

https://www.ti.com/tool/LP-XDS110ET

我不使用专用的 LP-XDS110ET、而是使用 ET LP-MSPM0G3507 中提供的板载 XDS110-MSPM0G3507。

是的、信号不是 SWDIO 和 SWCLK、它们是 TMS_ SWDIO 和 TCK_SWDCLK。

• 硬件检查、检查电源（客户定义，3.3V）、检查 Vcore 电压 (1.35V)。
• 检查 XDS110 与 PC 的连接、该连接位于 PC 的设备管理器列表中。

我在 VDD 的电压为 3.29 ~ 3.3、但我刚刚注意到我的 V_CORE 电压为 2.65V！ 我认为这是导致我问题的原因。  

我已经确认 VDD 和 VCORE 之间没有短路。 尽管我在 V_CORE 上使用 1uF 电容器、而不是推荐的 0.47uF、但我预计这只会影响启动时间、而不会导致如此显著的电压增加。  

是否缺少任何其他导致 VDD_CORE 如此击穿的事件？

谢谢你。  

开关断开、可能是由外部的高电压引起的。

是的、启动时间、最好使用 0.47 μ F。

是否缺少任何其他导致 v_core 像这样启动的内容？

并不清楚、但通常情况下、输出电压的增加是由物理损坏引起的、例如内部 1.35V LDO 击穿。

不清楚、但通常情况下、输出电压的增加是由物理损坏引起的、例如内部 1.35V LDO 的击穿。

因此、如果我更换 MCU 没有错、应该会解决 CS_DAP 错误。  

是的、您需要替换为新的 M0。

可以了、谢谢。  

是否有任何失效防护机制、寄存器级控制或配置保护措施来防止损坏内部 LDO？

是否有任何失效防护机制、寄存器级控制或配置保护措施来防止损坏内部 LDO？

这应该是 由外部因素造成的物理损坏。

最好检查开发条件、例如确保所有输入电压都在数据表规格范围内。

通常情况下、Vcore 损坏并不是很常见。

是的、您需要替换为新的 M0。

替换它确实解决了我的问题 — 我现在可以对设备进行编程。 但 V_CORE 不是 1.35V！ 我更换并接通电源后、电压开始在 1.7V、使用几个小时后、电压增加到 2.04V。  

起始电压为 1.7V、使用几个小时后、电压增加到 2.04V。  [/报价]

这是不可能的！

VCORE 应保持在 1.35V、+/–10%是可以的、但最好保持在+/- 5%中。

这是您的定制 PCB 板还是 TI LP-MSPM0G3507 的官方 EVM？

Vcc 正常吗？ 在规格 1.62 < VDD < 3.6V 内？

这是不可能的！

VCORE 应保持在 1.35V、+/–10%是可以的、但最好保持在+/- 5%中。

这是您的定制 PCB 板还是 TI LP-MSPM0G3507 的官方 EVM？

定制 PCB、封装为 MSPM0G3507SRHBR（32 引脚）。  

Vcc 是否正常？ 在规格 1.62 < VDD < 3.6V？

是、VDD 为 3.3V。

更换 MCU 确实解决了我最初遇到的无法刷写程序的问题、但这也带来了一些新问题。 ADC 似乎不再工作。 我可以测量 ADC 引脚 (PA15、PA16) 上的电压、但在运行之前测试的代码时、无法读取任何电压。 我还尝试了将 ADC 基准从内部 VREF 更改为 VDDA、但没有区别。

ADC 似乎不再起作用。 我可以测量 ADC 引脚 (PA15、PA16) 上的电压、但在运行之前测试的代码时、无法读取任何电压。 [/报价]

为了验证 ADC、可能需要测试引脚焊接是否良好、ADC 内核是否正常。

尝试使用 ADC 对内部 Vdd 通道进行采样、首先验证 ADC 代码。

此外、您可以尝试测量引脚电压（直接从封装的引脚测量）、这不是一种易于测试的方法...

[报价 userid=“678767" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1601781/mspm0g3507-not-able-to-program-mspm0g3507srhbr/6182094 ]、但 V_CORE 不是 1.35V！ 我更换并接通电源后、电压开始在 1.7V、使用几个小时后、电压增加到 2.04V。  [/报价]

如果此现象仍然存在、请仔细检查您的硬件、并将其与 LP 开发板进行比较。

此外、如果您使用的是样品单位、请申请新批次进行测试。

要验证 ADC、可能需要测试引脚焊接是否良好以及 ADC 内核是否良好。

引脚焊接良好、需要检查 ADC 内核以对内部 VDD 进行采样。  

如果此现象仍然存在、请仔细检查您的硬件并将其与 LP 开发板进行比较。

有关此问题的新信息、我的设备再次停止闪烁代码。  

现在、  

上电时、V_Core 为 0.5V、当我连接 XDS110（来自 LP）时、电压升至 1.67 - 1.7。

在之前、仅为器件供电时、V_Core 的值为~1.7。  

Vcore 应保持在 1.35V、+/–10%是可以的、但最好保持在+/- 5%。

最初、我的引脚 3 和引脚 4 短接 (NRST 和 VDD)、现在我设法切断布线、在 NRST 布线上添加一个上拉电阻器、每当我需要编程时、我 从 J102 引脚 10（来自 LaunchPad）连接另一根导线、并将其探测到电阻器焊盘。

我正在进行的返工是否会导致 V_CORE 出现问题？ 我更换了 MCU 后、它工作了一段时间、但随后进入了热失控状态。

我在电路板上测试了另一个、其中我没有进行上述任何修改、因为 V_CORE 电压为 1.35、但我仍然无法刷写电路板、因为 NRST 在不连接上拉的情况下连接到 VDD。 （我得到  CS_DAP_0：错误）  

我正在进行的返工是否会导致 v_core 出现问题？ 更换 MCU 后、它工作了一段时间、但随后进入热失控状态。

造成物理损坏的可能性很低、但在焊接过程中长时间暴露在高温下仍可能损坏芯片。

我在我的电路板上测试了另一个、其中我没有完成上述任何返工、因为 V_CORE 电压为 1.35、但我仍然无法刷写电路板、因为 NRST 在没有上拉的情况下连接到 VDD。 （我得到  CS_DAP_0：错误） 

至少 1.35V Vcore 显示此处没有物理损坏、但 DAP 连接错误始终由 1 引起。 SWD 连接问题；2. 非主存储器擦除问题。 对于#1、请检查硬件连接。 对于#2、需要更换一个新的 M0。

立即解决了 CS_DAP_Error、  

JTAG 通信错误：（错误–1001 @ 0x0）此器件不支持所请求的操作。 （仿真包 20.1.0.3429）在断开连接之前无法从目标删除调试状态。 程序存储器中可能仍嵌入了断点操作码。 建议在连接并重新加载程序之前重置仿真器、然后再继续调试

我通过.ccxml 设置的 JTAG TCLK 频率为 100KHz。

之后、我尝试使用 MSPM0 MCU 开发指南 （修订版 G）复位电路板（拼盘->恢复出厂设置自动）。 我得到以下信息：

CS_DAP_0：读取寄存器 SECAP_RCR 时出现问题：（错误–2131 @ 0x2020C）无法访问器件寄存器。 重置器件、然后重试此操作。 如果错误仍然存在、请确认配置、对电路板进行下电上电、和/或尝试更可靠的 JTAG 设置（例如下 TCLK）。 （仿真包 20.1.0.3429）
CS_DAP_0：GEL：执行 GEL_DAPInit_SECAPCommand () 时出错：目标读取寄存器 SECAP_RCR 失败
AT (REG'：SECAP_RCR&0xFFFFU)[mspm0_cs_dap_init.gel：247]
AT GEL_DAP Init_Wait ForResponse ()[mspm0_cs_dap_init.gel：426]
在 GEL_DAPInit_SECAPCommand () 处

我已经尝试过 — 对电路板进行下电上电，我有尽可能低的 TCLK 设置、没有提到任何寄存器“SECAP_RCR"，“，我、我在 31.3.13 中只能找到“SECAPEN"</s>“

两种方法：  

1.如果可用、CCS 将告诉您读取 bootdiag、如果可用、将其值发送给我。

2.进入 BSL 模式并手动尝试恢复出厂设置,需要手动按下复位按钮。

以下是恢复 MSPM0 的常见步骤：

如果可用、CCS 将告诉您读取 bootdiag、如果可用、请将其值发送给我。

过去 9 - 10 天的工作正常。 今天、 我遇到了以下错误：

【错误】CORTEX_M0P：连接到目标时出错：连接到 MSPM0 内核失败。 可能的根本原因：1) 使用密码禁用或启用了 NONMAIN 内的调试访问。 2) 外设配置错误（例如看门狗或时钟不正确）。 要查看问题的更详细诊断、请按下“读取引导诊断“按钮。

读取引导诊断显示以下内容：

CS_DAP_0：器件诊断读取= 0x00010136
CS_DAP_0：

https://www.ti.com/lit/pdf/slaaed1 — 我已经完成了这个过程，尝试通过 CCS 和 UniFlash 进行复位 、但好像效果不好。  

CS_DAP_0：读取寄存器 SECAP_RCR 时出现问题：（错误–2131 @ 0x2020C）无法访问器件寄存器。 重置器件、然后重试此操作。 如果错误仍然存在、请确认配置、对电路板进行下电上电、和/或尝试更可靠的 JTAG 设置（例如下 TCLK）。 （仿真包 20.1.0.3429）
CS_DAP_0：GEL：执行 GEL_DAPInit_SECAPCommand () 时出错：目标读取寄存器 SECAP_RCR 失败
AT (REG'：SECAP_RCR&0xFFFFU)[mspm0_cs_dap_init.gel：247]
AT GEL_DAP Init_Wait ForResponse ()[mspm0_cs_dap_init.gel：426]
在 GEL_DAPInit_SECAPCommand () 处

我已经多次尝试对电路板/调试器进行下电上电。

CS_DAP_0：器件诊断读取= 0x00010136

这种情况似乎是由于非主区域的数据损坏而永久锁定此 M0。

建议在此处重新焊接一个新的 M0。

对于非主编程、如果不运行恢复出厂设置、则在下载仅主项目时、非主项目不会被擦除。

因此、为了 减少因非主数据丢失而导致的锁定、建议避免对非主数据进行编程。

您可以维护两个工程、一个是非主修改工程、另一个是应用程序代码仅修改 MAIN 区域。

在开发过程中、您只需下载一次 nonmain 工程、并对应用主工程进行多次编程以进行调试。

此外、请检查 SWD 信号质量、检查 SWD 噪声并将调试电缆长度保持在 20cm 以内。