[参考译文] AM2431：AM2431–FS 定制板上使用 HS-SBL 时 UART Uniflash 刷写故障

您好：

感谢您的详细步骤。

我了解了您的查询和您所面临的问题。

请查看以下调试步骤：

• 使用以下代码检查器件类型是否为 HS FS 或 GP、并仅使用相同类型的相关文件：  【常见问题解答】[AM6XX]：如何检查器件类型是 HS-SE、FS 还是 GP？ 
• 我看到您附加了 tiimage、但只能从二进制文件中提取 OSPI/QSPI /闪存/其他配置的配置。 我需要访问工程/应用中的 example.syscfg 文件、看看我的应用手册中提到的常见缺陷。
• 以下是指向应用手册的链接： https://www.ti.com/lit/an/sprads5/sprads5.pdf
• 请查看该部分 “常见的启动问题和调试“

此致、

Vaibhav

尊敬的 Vaibhav：

感谢您的详细答复以及分享调试步骤和应用手册。

根据您的建议、我们运行了常见问题解答中引用的 Python 脚本来识别器件类型。 根据输出、我们确认 SoC 为 HS-TCA FS 。
请查找附件 txt 文件 其中包含供您参考的脚本输出。

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/AM243_5F00_Device_5F00_type.txt

同时、我们已经开始查看您分享的应用手册 (SPRADS5)、特别是该部分 “常见的启动问题和调试“ 、以便在生成映像时识别我们的 OSPI/QSPI /闪存/引导配置中的任何潜在缺陷。

此外、我们还将分享我们的 SysConfig 文件 用于生成 SBL 映像。 如果您可以查看它并告诉我们您是否注意到任何配置问题或不匹配、将会非常有帮助。 与手动试错相比、您的审查将帮助我们更快地识别问题。

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/8407.example.zip

器件类型：HS-Device FS
DMSC ROM 版本：0.2.0.0
R5 ROM 版本：0.2.0.0

鉴于此、到目前为止使用的所有映像（闪存写入器，SBL NULL 和 SBL FS） 都）都构建为 HS-OSPI tiimage。
我目前正在查看上面提供的应用手册、尤其是“常见启动问题和调试“一节、以及验证example.syscfg用于编译的中的配置 sbl_null'.

介绍了有关我们定制电路板设计的 SysConfig 更改的要点：
The board does not include external DDR
相应地、已在 syscfg 中完全禁用/删除 DDR、这解决了 UART 刷写期间较早的*“文件标头中的无效魔术编号“*问题
在初始 sbl_null 编译期间、会观察到存储器重叠/冲突
为了解决此问题、在 CCS 链接器/存储器段配置中减小了栈和堆大小

在此阶段：
通过 UART Uniflash 成功执行 OSPI 擦除
闪存写入器成功加载
刷写 HS-OSPI SBL FS 映像失败
OSPI 引导时、没有 UART 输出
通过 CCS 进行调试时、执行会暂停在 Bootloader_socWaitForFWBoot ()`中

为了帮助确定任何配置差距、我附加了用于 sbl_null 的 syscfg 文件

我还想确认：
1. FS 在早期启动期间、是否存在任何特定于 HS-syscfg 器件的其他要求或常见缺陷。
2.如果 AM2431 FS + OSPI +无 DDR 用例有已知良好的基准 syscfg 或 SBL 配置。

如果您需要我们的任何其他详细信息,请告诉我们

再次感谢您的支持。

此致、  

马尼坎丹五世

您好：

此外、我还想确认：
1. FS 在早期启动期间、是否存在任何特定于 HS-syscfg 器件的其他要求或常见缺陷。
2.如果 AM2431 HS-DDR FS + OSPI +无 DDR 用例有已知良好的参考 syscfg 或 SBL 配置。

我已经查看了您所附的 SysConfig 文件。 看起来是针对 SBL NULL、是正确的。 您能否分享 SBL UART uniflash 的 SysConfig 文件？

另外、请参阅以下内容： 关于 AM6442：什么是 Bootloader_socWaitForFWBoot ()？ 

此致、

Vaibhav

尊敬的 Vaibhav：

感谢您查看的 SysConfig 文件 SBL NULL 用于确认配置看起来正确。

根据要求、请查看随附的 用于生成 SBL UART Uniflash 映像的 SysConfig 文件 。 请查看本文档、如果您发现任何特定于 FS 器件的配置问题或其他要求、敬请告知我们。

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/Uniflash_5F00_example-_2800_1_2900_.zip

我们还在查看您分享的参考线程Bootloader_socWaitForFWBoot()、以更好地了解我们在调试期间观察到的行为。 是否有任何技术手册可以根据引用的主题来识别此问题？  

如果您需要我们方面的更多信息、请告知我们。

 

此致、

马尼坎丹五世

您好、

您能告诉我您电路板上的闪存器件名称吗？

此致、

Vaibhav

您好、  
我们使用 英飞凌科技部件号: S28HS512TGABHM010  

闪存 — NOR (SLC) 存储器 IC 512Mbit SPI — 八通道 I/O 200MHz 5.45ns 24FBGA (6x8)

此外、Im 共享 OSPI 电路原理图快照以供您参考。  

/resized-image/__size/640x480/__key/communityserver-discussions-components-files/908 OSPI-SCH-SNAP

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908 OSPI-SCH-SNAP．pdf

谢谢、  

马尼坎丹五世

尊敬的 Vaibhav：

我希望跟进我们之前的问题、并检查是否有任何更新。 我们目前正在等待您的指导继续下去、您的支持将极大地帮助我们向前迈进。 项目时间表很紧、我们非常感谢您在此阶段可以分享的任何方向或建议。

非常感谢您的持续支持。

此致、
马尼坎丹五世

您好、

昨天我审核了 SysConfig 文件和 SBL NULL/SBL UART Uniflash 工程、查看是否还有其他需要关注的问题。

更新：

我将让您运行基本的 OSPI 闪存 IO 和 OSPI 闪存诊断示例、以检查闪存是否正常工作。 为此、您需要按如下方式刷写：

1. 如何运行 OSPI 闪存 诊断应用程序？
   1. 下载 Tera Term 软件。
   2. 打开 Tera Term 软件并为 AM243 打开 UART 的 COM 端口 X。
   3. 将电路板设置为 UART 引导模式。
   4. 按以下方式发送 SBL NULL 释放 HS FS 文件。
      
      
      注意：  您需要发送一次、然后再发送一次、因为这样会克服热复位勘误表。 因此、基本上、逐个发送同一个 SBL NULL 版本 HS FS 文件两次。
      
      
   5. 完成后、内核将初始化、之后您可以打开 CCS 并从目标配置创建 AM243 .ccxml 文件。
   6. 连接到 CCS 中的 R500 内核并加载 OSPI 闪存诊断应用。
2. 对 OSPI 闪存 IO 执行相同的操作。

如果您观察到按照我之前提到的方式、SBL NULL 仍然无法执行、那么在这种情况下、请告诉我。

如果您观察到我提到的两个应用程序成功执行、请告诉我。

期待您的答复。

仅供参考、这是为了排除闪存导致问题或其他问题、如果是其他问题、我会将您的线程路由给另一位专家、但我会同时等待您的结果。

如果需要进一步说明、请告诉我。

此致、

Vaibhav

尊敬的 Vaibhav：  

感谢您的指导。

按照建议、我们执行了 OSPI 闪存诊断 和 OSPI 闪存 IO 应用、方法是遵循您共享的确切过程（（UART 引导模式、发送 SBL NULL HS-CCS 映像两次以克服热复位勘误表、然后通过 FS 加载应用程序）。

请查找附件 UART 日志和结果文件 供您参考。

日志中的观察结果

• SBL 空 (HS-SBL FS) 成功引导并正确初始化 SYSFW 和内核。

正在启动 NULL 引导加载程序...
DMSC 固件版本 11.0.7--v11.00.07 (Fancy Rat)
DMSC 固件版本 0xb
DMSC ABI 修订版 4.0
INFO：bootloader_runCpu:205：CPU m4f0-0 已初始化为 400000000 Hz！！
INFO：bootloadSelfCpu：257：CPU r5f0-0 初始化为 800000000 Hz！！
INFO：bootloader_runSelfCpu:267:全部完成、正在重新设置自身...

• OSPI 闪存 IO 应用程序成功执行、没有任何错误日志。  

• OSPI 闪存诊断 应用程序：OSPI 闪存诊断应用程序报告了：
  “All tests have passed“。

  • 0x340x5B1A正确检测闪存制造商 ID () 和设备 ID ()。

  • 成功执行读写测试。

  •   在块擦除操作期间报告失败：

    ""[OSPI Flash Diagnostic Test] Executing Flash Erase on first block...
    [OSPI Flash Diagnostic Test] Erase Failed !!!""

如附加日志中所示、所有其他操作均已完成。

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/OSPI_5F00_DIAG.zip

请提供有关的建议 后续步骤 根据这些结果、让我们知道我们应该如何继续下去？

谢谢。此致、
马尼坎丹五世

您好：

[报价 userid=“658703" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1604775/am2431-am2431-uart-uniflash-to-ospi-flashing-failure-with-hs-fs-sbl-on-custom-board/6188181 “]"[OSPI 闪“ 闪存诊断测试]在第一个块上执行闪存擦除... [OSPI 闪存诊断测试]擦除失败！！“

我认为这是一个问题。

我想  在执行特定操作后与我分享闪存寄存器的值。 该寄存器基本上是配置寄存器 3。

在 SDK 中、在 flash_nor_ospi.c 文件中、将有一个函数调用、即： flash_quirkSpansionUNHYSADisable

在其中、按如下方式修改函数调用：

int32_t Flash_quirkSpansionUNHYSADisable(Flash_Config *config)
{
    int32_t status = SystemP_SUCCESS;
    uint8_t regData = 0x00;
    uint32_t write = 0;

    status = Flash_norOspiRegRead(config, 0x65, 0x04, &regData);
    DebugP_log("Configuration Register 3, Non-Volatile value: %u \r\n", regData);
    
    regData = 0x00;

    /* Hybrid Sector Disable */
    status = Flash_norOspiRegRead(config, 0x65, 0x00800004, &regData);
    DebugP_log("Configuration Register 3, Volatile value: %u \r\n", regData);

    if(status == SystemP_SUCCESS)
    {
        if((regData & ((uint8_t)(1 << 3))) == 0)
        {
            /* Set UNHYSA bit */
            regData |= (1 << 3);
            write = 1U;
        }
        else
        {
            /* No action */
        }
    }

    if(write)
    {
        status = Flash_norOspiRegWrite(config, 0x71, 0x04, regData);
    }
    
    DebugP_log("After setting to Uniform Mode of the Flash, the values are as follows: \r\n");
    
    regData = 0x00;
    status = Flash_norOspiRegRead(config, 0x65, 0x04, &regData);
    DebugP_log("Configuration Register 3, Non-Volatile value: %u \r\n", regData);
    
    regData = 0x00;
    status = Flash_norOspiRegRead(config, 0x65, 0x00800004, &regData);
    DebugP_log("Configuration Register 3, Volatile value: %u \r\n", regData);

    return status;
}

将 API 替换为我给出的实现（只是一堆日志记录语句）后、请在执行 OSPI 闪存 IO（不是 OSPI 闪存诊断）时与我共享日志。

为了确保您的应用 OSPI 闪存 IO 选择您所做的更改、您需要执行以下操作：

转到中的目录 命令提示符 AS： MCU_PLUS_SDK_INSTALL_PATH>source>board

>gmake -s -f makefile.am243x.r5f.ti-arm-clang.freertos profile=debug

>gmake -s -f makefile.am243x.r5f.ti-arm-clang.freertos profile=release

>gmake -s -f makefile.am243x.r5f.ti-arm-clang.nortos profile=debug

>gmake -s -f makefile.am243x.r5f.ti-arm-clang.nortos profile=release

然后重新构建应用 OSPI 闪存 IO。

请告诉我结果。

此致、

Vaibhav

尊敬的 Vaibhav：

我已经通过将 API 替换为提供的日志记录实现方案来实现您在 Flash_quirkSpansionUNHYSADisable 中建议的更改。

在重新构建电路板库 并重新构建 OSPI 闪存 IO 应用后、我尝试对其进行调试以观察与配置寄存器 3 相关的日志。 但是、在调试过程中、不会打印其他日志。 观察到的唯一日志是“所有测试均已通过“、这与之前看到的行为相同、即使在应用这些更改之前也是如此。

调试结果：  

正在启动 NULL 引导加载程序...

DMSC 固件版本 11.0.7--v11.00.07 (Fancy Rat)
DMSC 固件版本 0xb
DMSC ABI 修订版 4.0

INFO：bootloader_runCpu:205：CPU m4f0-0 已初始化为 400000000 Hz！！
INFO：bootloadSelfCpu：257：CPU r5f0-0 初始化为 800000000 Hz！！
INFO：bootloader_runSelfCpu:267:全部完成、正在重新设置自身...

所有测试均已通过！！

-未打印预期的调试日志-  

我还使用相同的修改更改测试了 OSPI 闪存诊断。 在这种情况下、擦除失败错误也会继续发生、我无法观察到任何与配置寄存器 3 相关的日志。

我想澄清一点：
是否应该在调试 OSPI 闪存 IO 时观察日志记录变化、或者是否应该调试 OSPI 闪存诊断？ 您前面提到的错误会出现在 OSPI 诊断应用程序中、因此我想确认哪个应用程序应该会反映这些与寄存器相关的日志。

请让我知道您希望我如何继续。

请找到随附的文件来获取调试结果和 重新编译 电路板库（make 文件 CMD 提示符）。   

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/OSPI-flash-IO_5F00_Updated-Result.txt

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/makefile_5F00_log.txt

谢谢、  

马尼坎丹五世  

尊敬的 Vaibhav：

此外、我们还捕获了 OSPI 波形 中的示例 CLK、CS 和 DQ0 有两个引导信号。

我们观察到 时钟、芯片选择和数据线路在擦除命令阶段切换 。 不过、 擦除操作完成后、我们正在刷写、但 没有观察到进一步的数据活动 高速控制器。

共享配置文件中用于擦除和刷写 OSPI 的命令  

//先擦除：  
--operation=erase --flash-offset=0x0 --erase-size=0x100000

//永久引导加载程序（存储在 OSPI @ 0x0 中）

-file=sbl_userbuild/sbl_null.Release.hs_fs.tiimage --operation=flash --flash-offset=0x0

我们将共享捕获的波形图像以供您参考、因为它可能有助于进一步理解和调试问题。

请告知我们您的想法或您建议的任何其他检查。

波形文件：  

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/OSPI_5F00_WAVEFROM.zip

-对不起匆忙,我们是在瓶颈上完成项目,请做必要的一举一动。  

谢谢。此致、
马尼坎丹五世

尊敬的 Vaibhav：

温馨提示、请关注以下查询中有关 OSPI 刷写问题的内容。  

如果您有 任何已知可正常工作的 AM2431 OSPI 引导二进制文件或参考文件、请与我们分享吗？
我们希望从最后测试相同内容、以排除任何与配置相关的问题。

谢谢、  

马尼坎丹五世  

您好、

我已将该主题重新分配给另一位专家、他们会在某个时候回复您。

谢谢、

Vaibhav

尊敬的会议：

我们希望分享一个快速更新、并在另外一点上寻求您的指导。

对 UART Uniflash 示例应用建议的更改后、OSPI 刷写和引导流程开启 AM2431 此时正常工作。 我们能够在 UART 上看到有效和成功的引导日志。

变更摘要：  

• 添加了 MSSRAM_2 内存区域

• 移动了 bss.filebuf 部分（从中） MSRAM_1 最终目的 MSSRAM_2

• 更新了 Bootloader_UNIFLASH _MAX_FILE_SIZE 最终目的 0x150000

重建 UART Uniflash 后、OSPI 擦除和刷写过程现在成功完成、没有任何问题。 请在下面找到 UART Uniflash 日志以供参考（状态显示所有步骤都成功）。

目前是我们的产品 禁用 DDR 以避免启动期间出现“幻数不正确“问题。 禁用 DDR 后、引导成功完成。 但是、由于未来可能需要 DDR 支持、我们想了解在不遇到该问题的情况下启用 DDR 的正确方法。 （请查看该主题中的消息历史记录以获取问题详细信息）  

您能否分享您的想法或建议的检查/配置、以解决 AM2431 上的 DDR 幻数错误问题？

再次感谢您的支持。

此致、
马尼坎丹五世

嗨、Manikandan、

这可能是与 DDR 配置相关的问题、如果使用定制电路板、则可能是由不正确的 DDR 配置引起的。

您可以使用此工具为自定义 DDR 生成配置： https://dev.ti.com/sysconfig/#/config/?args=--product%20%2Fmnt%2Ftirex-content%2FProcessor_DDR_Config_0.10.32.0000%2F.metadata%2Fproduct.json%20--device%20AM2431%20--package%20%22FCBGA%20P$OPEN$ALVP$CLOSE$%22%20--variant%20AM2431-C%20--context%20system 

有关更多详细信息、请参阅以下内容： https://software-dl.ti.com/mcu-plus-sdk/esd/AM243X/11_02_00_24/exports/docs/api_guide_am243x/DRIVERS_DDR_PAGE.html#autotoc_md2453

此致、

会面。

您好、认识 Thakar、

感谢您提供的信息。

我们希望寻求您对 A 的指导 DDR4 配置问题

我们正在使用与 TMDS243EVM 相同的 DDR4 存储器系列：

• TMDS243EVM DDR 器件： MT40A1G16KD-062E IT：E

• 定制电路板 DDR 器件： MT40A1G16TB-062E IT：F

我们定制电路板上使用的 DDR 器件还在 EVM BOM 中作为替代/替换器件列出、根据审查结果、我们没有看到这两种器件之间有任何技术或时序差异。

因为 TMDS243EVM 可以与配合使用 SDK 中提供的默认 DDR 配置文件 、我们的理解是、相同的默认配置也应适用于定制电路板。 如果此假设无效、请更正我们。

但是、在定制电路板上使用默认 SDK 文件时、我们在刷写过程中会遇到以下错误：

Parsing config file ...
Parsing config file ... SUCCESS. Found 2 command(s) !!!

Executing command 1 of 2 ...
Found flash writer ... sending sbl_prebuilt/am243x-evm/sbl_uart_uniflash.release.hs_fs.tiimage
Sent flashwriter ... SUCCESS

Executing command 2 of 2 ...
--file=sbl_prebuilt/am243x-evm/sbl_null.release.hs_fs.tiimage --operation=flash --flash-offset=0x0
Sent sbl_null ...
[STATUS] ERROR: Incorrect magic number in file header !!!
All commands from config file are executed !!!

[STATUS] ERROR: Incorrect magic number in file header !!!

上面共享了完整的 UART Uniflash 日志以供参考。

我们的理解是、如果 DDR4 配置问题得到正确解决、我们应该能够：

• 应用 DDR4、用于在引导期间访问 RAM 而不是依赖 MSSRAM_2 区域

• 使用在 EVM 上工作的相同默认 SDK 启动文件

请告知我们这一理解是否正确、或者定制硬件是否需要进行任何其他 DDR 特定配置更改。

我们还分享了 DDR4 原理图部分 供您审查。 您在解决此问题方面的指导将非常有帮助。

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/DDR4-Section-Image.pdf

EVM BOM：  

MT40A1G16KD-062E IT：E

FBGA96_31-49_520X360_1-2

MT40A1G16TB-062E IT：F

 

谢谢、  

马尼坎丹五世  

您好、

我将此主题分配给另一位专家来回答您有关 DDR 配置的问题、请等待他们的响应。

此致、

会面。

您好、认识 Thakar、

感谢您的更新。

***我们正在等待专家对 DDR 配置问题的反馈。 鉴于时间紧迫、如果能尽早澄清这一点、我们将不胜感激。***

使用 MSRAM_2 进行 OSPI 引导：  

同时、我们一直在与合作 MSSRAM_2 存储器区域 。 通过此配置、 SBL Null 引导加载工作正常 、我们可以看到一条成功的引导消息。

但是、当我们使用时 默认 SBL_OSPI 映像 以及中 修改的 UniFlash 文件  、我们在引导过程中遇到以下错误：

日志：

ERROR: Flash_norOspiOpen:1329: Flash_norOspiOpen : PHY enabling failed!!! Continuing without PHY...
Configuration Register 3, Non-Volatile value: 0
Configuration Register 3, Volatile value: 0
After setting to Uniform Mode of the Flash, the values are as follows:
Configuration Register 3, Non-Volatile value: 0
Configuration Register 3, Volatile value: 0
ERROR: Board_flashOpen:204: FLASH open failed for instance 0 !!!
ASSERT: 0.46198s: ../main.c:main:131: status == SystemP_SUCCESS failed !!!

您能否检查并帮助我们了解为什么会发生此错误？

我们怀疑这个问题可能与将 RAM 区域更改为有关 MSSRAM_2 。 如果仅在 UniFlash 文件中进行此更改、是否会导致此失败？
此外、我们是否需要修改任何其他内容、无论是在生成启动映像时还是在默认值范围内 SBL_OSPI —支持 RAM 区域更改？

如果我们的理解有误、请纠正我们。

谢谢。此致、
马尼坎丹五世

尊敬的会议：

请找到我们使用 DDR 旁路 UniFlash 文件测试的其他点。 添加了在测试过程中记下的更多观察结果：

1. UniFlash 文件 ：DDR 已绕过、内存区域已配置为 MSSRAM_2 区域 。

2. SBL_OSPI :使用 SDK 中提供的默认文件。

3. 自定义应用映像文件 :我们使用 uart_echo_Polling_LLD 作为基本文件,并对引脚映射进行了一些更改。

   BAS 工程文件路径：  C：\ti\mcu_plus_sdk_am243x_11_00_00_15\examples\drivers\uart\uart_echo_polling_LLD\am243x-evm\r5fss0-0_nortos

这是我们正在使用的当前配置。 根据我们内部团队的讨论、我们计划绕过 DDR、继续使用不依赖于 DDR 的定制电路板。

测试步骤：

• 步骤 1. ：使用上述配置时、UART 引导模式刷新成功。 我们随附了成功刷写的日志、以供您参考。

• 步骤 2. :刷写后,电路板断电,引导带引脚更改为 OSPI 引导模式。

• 步骤 3. :下电上电后,我们会在 OSPI 引导期间收到附加的错误消息。 共享日志以供您参考。

我们还将共享所有配置和引导文件以供您查看。 如果缺少成功引导所需的任何内容、请告知我们。

我们希望此 SoC 能够在不依赖 DDR 的情况下成功引导。 在这种情况下、是否需要对进行任何具体更改 SBL_OSPI 还是在应用映像生成期间绕过 DDR？ 请查找包含重要项目文件的 ZIP 文件以供您查看。

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/modified_5F00_uniflash_5F00_default_5F00_sbl_5F00_ospi-22_2D00_01_2D00_26.zip

我们尽早请求您的帮助、因为我们在此设置过程中遇到了问题、而且我们的项目时间表非常紧迫。 请认为这是紧急的,并尽快做必要的。

此致、
马尼坎丹五世

嗨、Manikandan、

SBL 还利用 DDR、将应用映像临时加载到缓冲区以进行解密和身份验证、我认为这正是导致该问题的原因：

如果您目前计划绕过 DDR、我建议您使用为 am243-LP 板打造的示例和 SBL、因为该板也没有 DDR、因此在用于用例时应该更容易移植。

此致、

会面。