[参考译文] MSPM0L1228：在移植基于 Zephyr 的 ARM 固件的上下文中进行闪存擦除

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号： MSPM0L1228

我觉得很傻的问,因为答案必须是显而易见的:

我的任务是编写一份基于 Zephyr 的 ARM 固件到 TI 微控制器的迁移指南。

写入前我是否需要擦除闪存扇区 (1KB)？

不同制造商提供的电流控制器需要在写入随机数据之前进行页 (2KB) 擦除。

TI 控制器接缝允许写入随机数据、而无需先显式擦除存储器？

我们在移植期间是否可以只禁用 flash_erase 调用？

www.ti.com/.../slau847e.pdf 第 6 章是我想要的。

0 admin 4 个月前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Michael：

大多数情况下、需要在编程前擦除。还应注意的是、存储器也在执行闪存操作后自动受到动态写保护。通用编程流程如下：

1KB 闪存是最小的擦除分辨率、但编程为 8 个字节（但也可以配置为 1 字节分辨率）。擦除一个扇区后、用户可以向任何闪存字大小的区域写入一次、然后才需要再次擦除。

最后需要注意的一点是、在不擦除的情况下、可以重新编程同一闪存字、但只能在将 1 转换为 0 时使用。如果不再次擦除、则无法将 0 转换为 1。

此致、
Brian

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)