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[参考译文] MSPM0G3519:MSPM0G3519:内部温度测量问题

Guru**** 2782615 points

Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G3519

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1614051/mspm0g3519-mspm0g3519-internal-temperature-measurement-issue

器件型号: MSPM0G3519

尊敬的 TI 团队:

目前、我正在启动映射 MSPM0G3519 上运行示例 adc12_internal_temp_sensor_mathacl。

内部温度结果如下、我认为不正确:

image.png

您能帮助我再次检查这一点吗?
另一个问题是、根据 G3519 的数据表、它将使用内部 VREF 1.4V 作为电压基准  
image.png

image.png

但我在示例代码中实际观察到的是使用 VDDA/VSSA 作为电压基准。 那么哪一个是正确的?  
image.png

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Khanh:

    要在存储器的出厂区域中使用校准常量、应使用 1.4V 基准。 您可以根据 3.3V 基准来缩放常数、读数将明显更准确(但仍然不如使用 1.4V 基准精确)。

    此致、
    Brian

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    您好、Brian、感谢您的回答。 我想问更多。

    如果我直接访问 FACTORYREGION->TEMP_SENSE0 而不使用您的 API、会发生什么情况。 这是否会对系统产生任何不良影响?

    或者我是否应该使用样片源代码中提供的 API?

    提出这一问题的原因是、在我们的工程中包含 FACTORY 区域的代码会导致更高的 ROM 成本  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Khanh:

    直接访问 TEMP_SENSE0 是有效的、 如果 FLASH_ERR_01 得到正确处理、则不会导致问题。

    此致、
    Brian