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[参考译文] MSPM0G3519:静态写保护配置

Guru**** 2782625 points

Other Parts Discussed in Thread: SYSCONFIG

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1615654/mspm0g3519-static-writes-protection-configuration

器件型号: MSPM0G3519
主题: SysConfig 中讨论的其他器件

您好、

我想对两个存储体应用静态写保护。 我使用 SysCnfig 配置闪存中的特定区域。 以下是我在 SysConfig 中完成的配置。

我所做的这一配置 是为了对两个存储体的前 80KB 进行写保护。 剂量清除 StaticWriteProtectionMainHigh 的低 4 位与清除`staticWriteProtectionMainLow`具有相同的影响?

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    问题是什么?

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    您能否确认我的计算值是否正确?
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    https://www.ti.com/lit/ug/slau846c/slau846c.pdf 1.4.7 NONMAIN TYPEF 寄存器

    FLASHSWP0 = 0x0

    FLASHSWP1 = FFFFFC00

    FLASHSWP2 =  FFFFFC00

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    清除的低四位是否FLASHSWP1.staticWriteProtectionMainHigh与清除中的相应位具有相同的效果FLASHSWP0.staticWriteProtectionMainLow
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    对于  FLASHSWP0 和 FLASHSWP1  、它们处理闪存组 0。  闪存组 0 的低 32kB 由 FLASHSWP0 处理。

    和 FLASHSWP1 的低 4 位将被忽略。

    您可以在 syscfg 中看到相应的“?“ 按钮 I 标有红色

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    那么、银行 1 呢? 为什么是 FLASHSWP 的值 1 and FLASHSWP2 is same?

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    清除的低四位是否 FLASHSWP1.staticWriteProtectionMainHigh 与清除中的相应位具有相同的效果 FLASHSWP0.staticWriteProtectionMainLow?  

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    您可以读取 syscfg 详细信息以获得答案、  由于 FLASHSWP0、FLASHSWP1 和 FLASHSWP2 之间存在一些小差异