[参考译文] AM263P4：与 AM2634 相比、AM263P4 上的代码执行需要更长时间

很高兴您找到了这个问题。 但是、请注意器件 TRM (AM263Px Sitara 微控制器技术参考手册（修订版 D） 第 3.2 节）中有关 AM263P 中 OCSRAM 组访问延迟的以下内容：

在 3 个互连（R5SS0 VBUSM、R5SS1 VBUSM 和 VBUSM 内核互连）之间放置 6 个 L2OCRAM 组的做法已经实现、使得集群中的内核可以更快地访问更靠近该特定集群的组（延迟更小）。 换言之、对于放置在 R5SS0 VBUSM 互连上的其附近的 L2OCSRAM 组 (BANK0 和 BANK1)、R5SS0_CORE0 和 R5SS0_CORE1 内核将具有更快的访问延迟。 同样、R5SS1_CORE0 和 R5SS1_CORE1 内核对位于 R5SS1 VBUSM 互连上的其附近的 L2OCSRAM 存储体（存储体 2 和 BANK3）具有更快的访问延迟。 与附近的存储体相比、所有 4 个内核的常见 L2OCSRAM 存储体 (BANK4 和 BANK5) 的访问延迟都相同、但较慢。 此外、与通用存储体相比、所有 4 个内核对其 far L2OCSRAM 存储体（集群 R5SS0 使用 BANK2 和 BANK3、集群 R5SS1 使用 BANK0 和 BANK1）的访问延迟都更慢。 总之、对于集群中的特定内核、以下是 L2OCRAM 存储体访问延迟比较：近存储体的访问延迟<常见存储体的访问延迟<远存储体的访问延迟

您好：

]是否可以共享 near、通用和 far 存储体访问之间的平均延迟差异？

请查看以下数据：

读取访问延迟：

• 靠近银行 ：32.5ns
• 公共银行 ：47.5ns（比近时慢 15ns）
• 远银行 : 57.5ns（比接近时慢 25ns、比普通时慢 10ns ）

写入访问延迟：

• 靠近银行 ：25ns
• 公共银行 ：35ns（比接近值慢 10ns）
• 远银行 : 40ns（比接近低 15ns、比普通低 5ns ）

延迟开销汇总：

• 公共与近 ：读取速度慢~46%、写入速度慢~40%
• 远比近 ：读取速度慢~77%、写入速度慢~60%
• Far 与 Common ：读取速度慢~21%、写入速度慢~14%

此致、

Sahana