Other Parts Discussed in Thread: MSPM0C1104, UNIFLASH
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器件型号： LP-MSPM0C1104
主题中讨论的其他器件： MSPM0C1104、 UNIFLASH
你好 每个人 、
我创建了空的示例程序、以便在 MSPM0C1104 LaunchPad 上从 MSPM0 SDK 2.9.0.01 检查 EEPROM 仿真 B 型示例 API。
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SDK 版本：2.9.0.01
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CCS 版本：20.4.1.4
问题描述
在以下情况下、EEPROM 仿真工作正常：
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使用进行编程 调试 工程 在 CC studio 中
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即使在断开 USB 电源并再次接通电源后、它也能正常工作。
不过：
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使用刷写时 UniFlash 或 Flash Project 在 CC studio 中 程序立即停止。
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代码在启动期间似乎卡住（无可见输出）。
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它的行为好像在复位后没有正常执行。
观察结果
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未对闪存区域边界进行任何修改。
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使用闪存引导模式。
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EEPROM 仿真 B 型示例逻辑集成到了我的工程中。
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该问题发生在 UniFlash /闪存工程编程之后的第一次上电过程中。
问题
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调试工程和 UniFlash/闪存工程之间的闪存擦除行为是否存在任何影响 EEPROM B 型的差异？
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EEPROM B 型是否需要在首次独立执行之前进行完整的批量擦除？
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这是否与闪存扇区初始化要求有关？
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独立闪存启动操作是否需要任何特殊的链接器或启动配置？
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这是否与调试加载和 UniFlash/闪存工程编程之间的矢量表或复位配置差异有关？
我将上传我的项目 PLZ 检查它. 请提供任何指导。
谢谢你。
