[参考译文] TIDA-010979：在 ISSI IS25LP016D 闪存中将 QE 位从 0（默认值）更改为 1

Other Parts Discussed in Thread: TIDA-010979, UNIFLASH

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1621399/tida-010979-change-qe-bit-from-0-default-to-1-in-issi-is25lp016d-flash

器件型号： TIDA-010979
Thread 中讨论的其他器件： UNIFLASH

尊敬的专家：

  在 TIDA-010979 设计中、有一个具有 OSPI (4 通道、D0~D3) 连接的闪存 ISSI IS25LP016D、引导模式为 OSPI (4S)、用于启动应用映像。 根据 IS25LP016D 的数据表、QE 位（状态寄存器的位 6）默认为 0（不支持四路输出功能）。

  我的问题是、通过以下步骤启用四路输出功能是否有效？ 如果没有、是否有任何软件权变措施来修复它？ 提前感谢您的答复。

1 将引导模式切换到 UART

2 为闪存写入器/sbl/App 映像加电并刷写

【命令】

(1) CD ~/ti/mcu_plus_sdk_am261x_11_01_00_19/tools/boot

(2) python3 uart_uniflash.py -p ttyACM0 --cfg=sbl_prebuilt/am261x-LP/mcelf_sbl_ospi.cfg

其中 mcelf_sbl_ospi.cfg 内容如下所示

-- flash-writer=sbl_prebuilt/am261x-lp/sbl_uart_uniflash.release.tiimage

#对 OSPI PHY 调优攻击向量进行编程
--操作=flash-phy-tuning-data

#发送引导加载程序时、请确保闪存偏移为 0x0。 ROM 期望引导加载程序位于偏移量 0x0 处  
-- file=sbl_prebuilt/am261x-lp/sbl_ospi_multicore_elf.debug.tiimage --操作=flash -- flash-offset=0x0

#发送应用程序映像时,请确保闪存偏移为 0x81000（默认值）或引导加载程序配置的任何偏移
-file=~/workspace_ccstheia/gpio_led_blink_am261x-lp_r5fss0-0_nortos_ti-arm-clang/Debug/gpio_led_blink_am261x-lp_r5fss0-0_nortos_ti-arm-clang.mcelf --option=flash-sector-write --flash-sect-offset = 0x81000

3.断电、将引导模式切换到 OSPI (4F) 并为电路板上电