[参考译文] AM263P4-Q1：RBL/SBL 检查清单？

]我的问题是、当我将 SOC 引导引脚置于 QSPI 4S 模式时、自定义 SBL 和应用程序不运行。

在尝试在 4s 引导模式下从闪存引导之前、请确保设置了 QE（四路使能位）。 这是我认为电路板启动过程中存在的一个常见问题。

用于启用四路模式的序列  (1S-1S-4S)  从闪存更改为闪存。 根据 JEDEC 标准、有 7 种不同类型的四路使能 (QE)：

• 0  ：设备没有 QE 位。 基于指令进行检测。

• 1.  ：QE 是状态寄存器 2 的位 1。 它是通过具有两个数据字节的 Write Status 设置的、其中第二个字节的位 1 为一。 它通过具有两个数据字节的 Write Status 清除、其中第二个字节的位 1 为零。 仅向 STATUS 寄存器写入一个字节会产生清除状态寄存器 2（包括 QE 位）的副作用。

• 2.  ：QE 是状态寄存器 1 的位 6。 它通过使用一个数据字节（其中位 6 为一）的 Write Status 进行设置。 使用一个数据字节通过 Write Status 将其清除、其中位 6 为零

• 3.  ：QE 是状态寄存器 2 的第 7 位。 它通过写入状态寄存器 2 指令 3Eh 进行设置（带有一个数据字节，其中第 7 位为 1）。 使用一个数据字节（其中位 7 为零）通过写入状态寄存器 2 指令“0x3E"清除“清除该值。 使用指令“0x3F"读取“读取状态寄存器 2。

• 4.  ：QE 是状态寄存器 2 的位 1。 它是通过具有两个数据字节的 Write Status 设置的、其中第二个字节的位 1 为一。 它通过具有两个数据字节的 Write Status 清除、其中第二个字节的位 1 为零。 向 STATUS 寄存器写入一个字节不会修改 STATUS 寄存器 2。

• 5.  ：QE 是状态寄存器 2 的位 1。 使用读取状态指令“0x05"读取“读取状态寄存器 1。 使用指令“0x35"读取“读取状态寄存器 2。 QE 通过写入状态指令 01h 进行设置、该指令有两个数据字节、其中第二个字节的位 1 为一。 它通过具有两个数据字节的 Write Status 清除、其中第二个字节的位 1 为零。

• 6.  ：QE 是状态寄存器 2 的位 1。 使用读取状态指令“0x05"读取“读取状态寄存器 1。 使用指令“0x35"读取“读取状态寄存器 2、使用指令“0x15"读取“读取状态寄存器 3。 QE 通过写入状态寄存器指令“0x31"进行“进行设置、其中有一个数据字节、其中位 1 为 1。 它通过写入状态寄存器指令“0x31"清除“清除、并有一个数据字节、其中位 1 为零。

此配置作为 syscfg flash->Protocl enable configuration->Quad Enable 类型的一部分提供

非常感谢 Nilabh。 看起来 QE 在默认情况下未启用。

我必须弄清楚如何在 Infineon 闪存中对 NV 寄存器进行编程。 对我来说是一个新的领域。

这是一个很好的提示、非常感谢。