• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 2 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 61 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS570LC4357：闪存 OTP 实现原则

admin
Guru**** 2874300 points

Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1624551/tms570lc4357-flash-otp-implementation-principle

器件型号： TMS570LC4357

嗨、gundavarapu

我已经回顾了我提到的相关论坛内容。 您能否进一步详细介绍一下硬件保护机制？

为什么一次性可编程区域只能编程一次？ 这种机制是否与防熔丝技术类似？ 这一原则是否具有耐辐射特性？

  • 0
    TI__Guru**** 2874300 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Shuo、

    在 TMS570LC4357 微控制器中、OTP 存储器由于其物理设计而只能编程一次：

    • OTP 通常采用反熔丝技术（类似于您建议的技术）
    • 与标准保险丝开始连接并在设定时断开不同、防保险丝：
      • 从高电阻/开路连接开始
      • 编程后、创建永久的低电阻连接
      • 这种物理变化是不可逆转的

    --
    此致、
    Jagadish。

  • 0
    TI__Guru**** 2874300 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、gundavarapu

    感谢您的答复。 我明白。