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[参考译文] MSP432WARE:闪存编程器错误"尝试在不擦除的情况下写入 NONMAIN "

Guru**** 2872490 points

Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G3519, LP-MSPM0G3519

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1638593/msp432ware-flash-programmer-error-attempting-nonmain-write-without-erasing

部件号: MSP432WARE
Thread 中讨论的其他器件: MSPM0G3519LP-MSPM0G3519

器件: MSPM0G3519(使用 LP-MSPM0G3519 LaunchPad) 工具: CCS Theia /XDS110 调试器

问题: >我无法加载我的代码。 我在控制台中收到以下错误:

  1. 闪存编程器:无效的批量擦除命令

  2. 文件加载程序:存储器写入失败:闪存编程器:错误、尝试在不擦除的情况下写入 NONMAIN!

  3. 加载失败。

环境: 我正在处理 CAN 引导加载程序工程。 我已经尝试刷写代码、但 NONMAIN 区域似乎已锁定或未正确擦除。

问题: >如何正确擦除 NONMAIN 区域或执行恢复出厂设置以允许加载新代码?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Abhishek:

    当尝试修改 NONMAIN 存储器时、需要更新工程设置以允许擦除 NONMAIN。

    这可通过以下方式实现:

    1. 在 Explorer 视图中右键点击您的工程并选择属性
    2. 导航至 Debug->Category:MSPM0 Flash Settings
    3. 转至“Erase Configuration“、并选择“Erase main and NONMAIN memory“(请参阅上面的警告)、“Erase main、data、and NONMAIN memory“(请参阅上面的警告)或“Erase main and NONMAIN necessary sectors Only(请参阅上面的警告)“。 选择最适合您应用需求的解决方案。 建议仅选择具有必要扇区的选项。

    此外、可以按照以下步骤来恢复器件出厂设置:

    1. 在资源管理器视图中展开项目->展开目标配置文件夹
    2. 右键点击.ccxml 文件并选择启动无工程调试
    3. 在调试器视图中、展开“线程“选项卡、然后左键点击 CORTEXS_M0P 内核
    4.  在 Mailbox_Factory Mailbox_Factory 顶部工具栏中选择 Scripts->MSPM0G3519_Commands->MSPM0_IDE Reset_Manual 或 MSPM0_IDE Reset_Auto。

    此致、
    Brian

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    尊敬的 Abhishek:

    您是否能够使用前面所述的方法恢复设备?

    在闪存设置中更改擦除配置后、您是否仍然无法刷写器件?

    此致、
    大脑