[参考译文] AM2432：重新启动后闪存擦除问题

[报价 userid=“623297" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1638751/am2432-flash-erase-problem-after-reboot ]始终为 0x41

该值与闪存数据表相匹配。

如果查看闪存数据表中的状态寄存器 1、值 0x41h 表示位 7 和 0 设置为 1。 这意味着：

1. 先前的编程操作失败
2. 器件/闪存尚未准备好接受新的编程操作。

请允许我们稍后再发表评论。

您好、

因此、需要持续轮询状态寄存器 1、直到位值 1 恢复为 0。 我要讨论的位是 BUSY 位、更正式的是状态寄存器 1 中的 RDYBSY 位 0。

尝试次数不应是固定值、但 至少应是几秒钟。

对于您的用例、您可以按如下方式进行更新：

等待时间应为最大值（当前写入的字节数，写入整个闪存）-->因此写入整个闪存所需的时间+再写入几秒、应该是理想的时间。

如果您理解我的解释、请告诉我、以便我提出建议并咨询软件开发团队。

期待您的答复。

此致、
Vaibhav

你好、Vaibhav、

感谢您的答复。 现在我了解了为什么为闪存繁忙超时选择了较长超时。

同时、我可以更好地了解我的案例中发生的情况：在闪存块擦除操作期间断电。 当应用程序重新启动时、它期望块已成功擦除（因为它读取的是已擦除的第一个字节）、它会尝试执行写入操作但失败、然后尝试擦除块但会卡住等待。

以下是发生情况的示例：

status = Flash_offsetToBlkPage(gFlashHandle[0], offset, &blk, &page);
status = Flash_eraseBlk(gFlashHandle[0], blk);
status = Flash_write(gFlashHandle[0], offset, buffer, 1000);
// status = Flash_eraseBlk(gFlashHandle[0], blk); // Here erase operation starts but is not completed because of poweroff
status = Flash_write(gFlashHandle[0], offset, buffer, 1000); // Here the call fails because the application thinks the block has already been deleted, but it hasn't because of poweroff
status = Flash_eraseBlk(gFlashHandle[0],blk);  // Here the application get stuck in wait

现在、我实现了一个解决方案、如果检测到写入错误、则会触发热复位。 这允许应用程序退出等待循环、并在下一次运行时清除块、因为它检测到前几个字节未因部分写入而被擦除。 这似乎解决了问题、但我不确定它是最佳解决方案。

您对如何解决此问题有什么想法吗？

谢谢您、

此致、

Andrea

您好、Andrea、

在我们的驱动程序中、我看到对于擦除操作、我们只是等待并检查器件繁忙位、这意味着我们会轮询器件何时（在本例中为我的外部串行 NOR 闪存）准备好接受新操作。

我想了解您的应用流程、因为我提出了几个问题：

1. 当您说关闭电源时、是否仅在写入期间关闭？ 然后您会面临这一挑战吗？ 我相信是的。
2. 断电是仅针对 SoC、闪存还是仅针对两者关闭？ 我想两个。

此致、

Vaibhav