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[参考译文] AM6442:Infineon NOR 闪存 S28HS01GTGZBHI030 接口

Guru**** 2893300 points

Other Parts Discussed in Thread: SK-AM64B, UNIFLASH, AM6442, AM6421, TMDS64EVM, SYSCONFIG

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1634590/am6442-infineon-nor-flash-s28hs01gtgzbhi030-interface

器件型号: AM6442
Thread 中讨论的其他器件: AM6421 、SK-AM64B 、UNIFLASH、 TMDS64EVMSYSCONFIG

您好:

我需要支持使用 Infineon 或 1Gb (128MB) 器件 S28HS01GTGZBHI030 的闪存连接到 AM6442/AM6421 系列。 SK-AM64B 开发板的 AM64x-EVM 使用 512MB(或 64MB)的 S28HS512TGABHM010。 我需要支持 Python 脚本才能在 UART 引导模式下对闪存进行编程:

  1. 需要在 Python 脚本“uart_uniflash.py“中更改什么? 我是否需要不同版本的 sbl_uart_uniflash.release.hs_fs.tiimage? 如何擦除?
  2. 要使闪存驱动程序能够识别此设备、我需要做些什么?  

我知道许多参数需要更改、主引导从 CPU 如何识别此设备? 请尽快给我一个答案、我意识到 CPU 可以使用最大 128MB NOR 闪存。

非常感谢。

此致、

Huynh  

P.S.:在“default_sbl_ospi.cfg“中、其中 PHY 调整的步骤  

#对 OSPI PHY 调优攻击向量进行编程
--操作=flash-phy-tuning-data
操作挂起。 我想它需要重建  
sbl_uart_uniflash.release.hs_fs.tiimage
和/或  
sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage
和/或跳过调谐并先切换到 STR 安全模式???
我只是猜测和希望你的建议。
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    您好 Huynh、

    感谢您联系我们的支持团队。

    为了更有效地帮助您、我需要一些说明:

    问题 1: 万一出现这种情况、您能否确认您在定制电路板上成功测试了 UART 引导模式? 这意味着上电后、PCB UART 端口会打印一次由字母数字字符组成的长 SoC ID 序列、然后每 2 秒连续定期打印一次字符“C“。

    [引述 userid=“555281“ url=“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1634590/am6442-infineon-nor-flash-s28hs01gtgzbhi030-interface

    P.S.:在“default_sbl_ospi.cfg“中、其中 PHY 调整的步骤  

    #对 OSPI PHY 调优攻击向量进行编程
    --操作=flash-phy-tuning-data
    操作挂起。 我想它需要重建  
    sbl_uart_uniflash.release.hs_fs.tiimage
    和/或  
    sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage
    和/或跳过调谐并先切换到 STR 安全模式???
    我只是猜测和希望你的建议。
    [/报价]

    问题 2: 您使用的是哪个 TI MCU PLUS SDK 版本? 您是否 在定制电路板上使用了此 SDK 的刷写脚本“uart_uniflash.py“和闪存加载程序映像 sbl_uart_uniflash.release.hs_fs.tiimage?  

    注: 在运行 UART_UniFlash.py 脚本时、请确保已关闭任何其他串行控制台实例! 否则会挂起。

    正如我在下面的 E2E 主题中所读的那样、基于 SDK 的 UART UniFlash 映像考虑了 TMDS64EVM/SK-AM64B 可用的 S28HS512T NOR 闪存、该闪存为 512MB (64MB)。 因此、可能需要对 sbl_uart_uniflash 源文件进行修改。 我不确定是否有必要修改 uart_uniflash.py“脚本本身。   

    UART UniFlash tiimage

    刷写期间对错误状态的观察

    问题 3 您能否提供 在与 AM6442 上执行的闪存加载器进行通信的主机 PC 上运行 UART UniFlash.py 脚本时观察到的故障的控制台日志? 我将在内部与我们的 Sitara 闪存工具/器件专家进行讨论。  

    指向介绍 MCU + SDK 11.00 中 SBL_UART_UNIFLASH 的部分的链接:

    SDK 文档 SBL_UART_UniFlash 章节

    期待您的反馈!

    谢谢

    此致

    Anastas Yordanov

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    您好、Anastas、

    感谢您的快速答复和详细说明。 以下是我对您的问题的回答:  

    Q1 :我已经成功地与 UART 启动与 SoC ID 序列和“C“字符每 2 秒照常. 然后我断开 UART 并运行:  python uart_uniflash.py -p COMx --cfg=default_sbl_ospi.cfg。 (cfg) 的脚本通过了第一步(也许是运气) --flash-writer=sbl_uart_uniflash.release.hs_fs.tiimage。 但它在第二步挂起:--operation=flash-phy-tuning-data  

    问题 2:我      安装了两个版本:mcu_plus_sdk_am64x_10_01_00_32 和 mcu_plus_sdk_am64x_11_02_00_24、但我以前使用 10.1 自我最初开发以来。 我不确定这些版本会有什么区别吗?

    问题 3:请查看屏幕截图  

    谢谢、

    Huynh

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    您好 Huynh Nguyen、

    同时、请考虑 AM64x/AM243x 器件勘误表 2.0 公告注释 i2371、根据该注释、UART 引导模式在生产用途中不可靠、因为在该模式下可能会出现零星的引导故障(挂起)。

    因此、请考虑仅出于调试和测试开发目的使用 AM64x/AM243x UART 引导模式。

    谢谢

    此致

    Anastas Yordanov

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    Anastas,

    感谢您的见解。

    我在 TDMSAM64EVM 和 SK-AM64B 开发套件上偶尔也会遇到挂起(很少)。 但这不是我的担心。 这里的问题是我们的定制电路板设计有 128MB 闪存、而不是 64MB。 我知道 USB (DFU) 或 SD 卡引导模式是一种替代模式。 但是、我们不使用这些接口。 刷写映像的另一种方法是使用外部 XDS110 JTAG 电缆和 CCS 工具、或/和使用提供直接刷写的软件供应商。

    SW2 和 SW3 开关的当前引导模式设置工作方式为:OSPI(主器件)/UART(辅助器件)。 由于闪存为空并会按如下所示自动切换到 UART 引导。

    我只需要一个来自 TI 团队的人来帮助我展示代码中的这些设置、以及如何重新编译“sbl_uart_uniflash “、“flash-phy-tuning-data“和“sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage“、如果您愿意、最新的可以称为“custom_sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage“。 我的担心是允许和不允许更改 CMU_SDK_XX 中工具、示例、驱动程序中的现有代码库的情况

    我在这里讨论的是基于窗口的 NORTOS 方法。 我们还有其他民间团体正在处理 U-boot 和 Linux 驱动程序的修改、以便与 H28SH01GT 闪存配合使用、我仅专注于 MCU_SDK 端。

    谢谢、

    Huynh

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    Anastas,

    我想提供更新、在 使用自定义闪存 S28HS01GT 重新编译“sbl_uart_uniflash“和“sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage“并对 DDR 使用 LPDDR4 配置后、我将能够成功地将自定义映像刷写到闪存中。 我唯一的障碍是 OSPI 引导它失败了,因为:  

    错误: Flash_norOspiPhyTune:1486: Flash_norOspiPhyTune:PHY 启用失败!!!                          在没有 PHY 的情况下继续...                                                                             错误:Board_flashOpen:213“闪存打开失败、例如 0!!!                                                断言:0.982762s:../main.c:main:124:status == SystemP_Success 失败!!!

    基本上、我只需要设置来重新编译工具并能够执行 PHY 调整。 请注意、在“default_sbl_ospi.cfg“中、我禁用 phy 调整、以确保它可以先刷写、但不知道这是否会影响操作:  

    #--operation=flash-phy-tuning-data
    --- skip-phy-tuning

    TI 专家关于帮助我解决最后一个问题的任何建议。

    非常感谢。

    Huynh

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    你好 Huynh

    谢谢你。

    专家即将离开本星期五和即将到来的星期一。

    请预计响应会延迟。

    此致、

    Sreenivasa.  

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    抱歉、尚未解决我的问题。

    以下是我需要重新构建“sbl_uart_uniflash“和“sbl_ospi“以与 1Gb 闪存 (S28HS91GT) 配合使用、并以参考 SK 作为起点、因为我将低功耗 LPDDR4 器件用于 SDRAM。 我需要帮助在这两个示例中为 SysConfig 设置哪些参数、以便在使用 UART 引导对闪存“sbl_uart_uniflash.release.hs_fs.tiimage“和“sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage“进行编程时构建新的二进制文件以替换启动文件夹中的默认二进制文件。 此外,如何生成“flash-phy-tunning-data“以校准此 128MB 设备?

    谢谢你

    Huynh

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    您好 Huynh、

    我将让我们的 AM64x MCU PLUS SDK OSPI 驱动器 专家 Vaibhav 帮助您解决此问题。

    请预计他的回复可能会出现一定的延迟(下周内)。  

    谢谢!

    此致

    Anastas Yordanov

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    尊敬的 Huynh:

    在“Sysconfig Flash“选项卡中、只需将器件 ID 更改为 0x5B1B、而器件大小需要更改为 134217728 字节。

    其余值与默认 S28HS512T 闪存情况相同。

    此致、

    Aryamaan Chaurasia

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    [引述 userid=“555281“ url=“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1634590/am6442-infineon-nor-flash-s28hs01gtgzbhi030-interface

    在“default_sbl_ospi.cfg“中、其中包含 PHY 调整的步骤  

    #对 OSPI PHY 调优攻击向量进行编程
    --操作=flash-phy-tuning-data
    操作挂起。 我想它需要重建  
    sbl_uart_uniflash.release.hs_fs.tiimage
    和/或  
    sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage
    [/报价]

    上述更改需要应用于 UART Uniflash 和引导加载程序 SBL OSPI 应用程序。

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    您好、Aryamaan、

    非常感谢你跳进来支持线程!

    此致、

    Anastas Yordanov  

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    您好:

    并不完全符合这 3 个参数。 当我运行闪存诊断时、结果与仅这 3 个参数略有不同。 这是 JSON 报告、其中包含与 64MB 器件不同的其他参数  

    “原型“:{

    ...“p888d“:{  

        “dummyCfg“:{

             “移位“:0、

             “Mask“:“0x03“、

             bitp“:11.

         “protocfg“:{

             “移位“:0、

             “Mask“:“0x00“、

             “BitP“:0

        “strDtrCfg“:{

             “移位“:1、

             “Mask“:“0x00“、

             “BitP“:1.

    MAIN_Cortex_R5_0_0:}

    MAIN_Cortex_R5_0_0:

    MAIN_Cortex_R5_0_0:所有测试均已通过!!

    因此、诊断和闪存 I/O 测试工作正常。 但似乎它尚无法从 SBL 引导中正常工作。

    我注意到 SysConfig 中的一些其他默认设置、我认为这些设置可能与“default_sbl_ospi.cfg“相矛盾。 在引导加载程序下的 SysConfig 中、“Boot Image Offset“= 0x80000、“Memory Region“= 0x60100000

    其中“default_sbl_ospi.cfg“

    --文件 sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage --operation=flash --flash-offset=0x0

    我的问题是、SBL 引导的闪存引导地址从 0x60000000 开始、偏移= 0x0 是否正确。 偏移量 0x80000 用于应用程序二进制文件、而不是 SBL?

    我设置好让应用在 TDMS64-EVM 上运行、在 XIP 模式下运行该应用时可以正常运行。 但我无法将其用于定制电路板上的全新 128MB Infineon OSPI 闪存。 当 OSPI 引导时、该控制器将挂起、并且不显示任何额外的 CPU 5RF 和/或 A53 速度以及其他输出。 它与 NULL 引导类似、不同之处在于第一行没有指示为 NULL。  

    谢谢、

    Huynh

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    尊敬的 Huynh:

    是的、SBL 应刷写到 0x0 偏移处、即闪存的 0x60000000 地址。 您能否验证应用程序映像偏移是否与 SBL OSPI SysConfig 中的“Bootloader“选项卡中指定的偏移匹配?

    此外、您能否分享在刷写 SBL OSPI 映像和应用映像并将器件设置为 OSPI 引导模式后获得的日志?

    此致、

    Aryamaan Chaurasia

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    您好、

    在 “default_sbl_ospi.cfg“中、选择了 SBL  

     文件 sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage --operation=flash --flash-offset=0x0

    文件 my_app.appimage.hs_fs --operation=flash --flash-offset=0x80000

    --文件 My_app.appimage_XIP --operation=flash-XIP

    它运行正常、并且能够在 AM64x-EVM 的 OSPI 引导时运行 XIP

    但是、对于使用 S28HS01GT (128MB) 闪存的定制电路板、它根本无法正常工作。 在 SBL 引导时它会挂起。

    请记住、对于新闪存、我已经根据闪存 sie = 134217728、JEDEC 器件 ID=0x5B1B 的基本闪存配置更改重新生成了新的“sbl_uart_uniflash“和“sbl_ospi“。 我还测试了闪存页大小= 256 和 512 种情况(因为我使用这些信息,因为同一扇区,因此大小必须是两倍)。 无论如何、它始终在 OSPI 引导时挂起。  

    如前所述、在刷写初始 NULL SBL 后、我能够使用 CCS 运行基本示例“ospi_flash_diag“和“ospi_flash_io“的调试。 但当使用相同示例或其他示例(如“enet_cpsw_loopback_phy_end“)刷写 OSPI 时、它将不起作用。 调试正常。 现在我还有一个问题、下面的“Boot Image Offset(引导映像偏移)“的正确值是多少? 是 SBL 引导加载程序偏移还是 My_App 映像偏移? 如果 SBL 引导加载程序偏移、那么为什么它是 0x80000???

    我尝试使用 EVM 和 SK 的两个引用来测试的附加信息、以生成 sbl_ospi 和 uart_uniflash、但没有可用。 我已经尝试了所有的组合。 其他信息是我在定制电路板上使用了 LPDDR4(类似于 SK)、因此我尝试了这两者。 但当我使用 EVM 引用时、我将 soc 配置文件的头文件更改为:driver/V0/ddr/am64x_am243x/board_lpddrReginit.h

    在具有 128MB 闪存并使用 AM6421 (2 R5F、1 A53) 的 SK 开发板中使用 LPDDR4 的定制电路板、您是否需要更改 SysConfig 上的任何内容以适应该 CPU 衍生器件(而不是 AM6442)?  

    谢谢你。

    Huynh

    P.S:我还将闪存时钟更改为 100Mhz 或 80MHz、并将拓扑更改为 1S-1S-1S 或 8D-8D-8D、这是相同的

    OSPI 引导时的唯一提示如下所示:  

    DMSC 固件版本 10.0.8--v10.00.08 (Fiery Fox)
    DMSC 固件版本 0xA
    DMSC ABI 版本 4.0

    这样或者有时显示错误、如 SBL 引导时所示:
    错误: Flash_norOspiPhyTune:1486: Flash_norOspiPhyTune:PHY 启用失败!!!   
    在没有 PHY 的情况下继续...                   
    错误:Board_flashOpen:213“闪存打开失败、例如 0!!!      
    断言:0.982762s:../main.c:main:124:status == SystemP_Success 失败!!!
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    尊敬的 Huynh:

    偏移= 0x8000 是应用映像的偏移、这意味着 SBL OSPI 将从此偏移中拾取应用映像。 此偏移量是正确的、因为它与.cfg 文件中的偏移量匹配:

    --file my_app.appimage.hs_fs --operation=flash--flash-offset=0x80000

    所以、这里没有问题。

    只是为了确认、SBL NULL 正确刷写、您可以看到 SBL NULL 的相关日志、对吗? 如果是、则这意味着通信可以与自定义闪存进行、并且闪存配置没有问题。

    您是否也可以尝试使用 SBL OSPI 但禁用了 PHY?

    如果要使用 PHY、请确保.cfg 文件中包含以下内容:

    [引述 userid=“555281“ url=“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1634590/am6442-infineon-nor-flash-s28hs01gtgzbhi030-interface
    #对 OSPI PHY 调优攻击向量进行编程
    --操作=flash-phy-tuning-data
    [/报价]

    此致、

    Aryamaan Chaurasia

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    尊敬的 Aryamaan:

    OSPI PHY 调优是可以的、也没有问题、但 SBL 引导是 Main.c 中的错误

    错误:Board_flashOpen:213“闪存打开失败、例如 0!!!      
    断言:0.982762s:../main.c:main:124:status == SystemP_Success 失败!!!

    问题是、为了能够为 AM6421 衍生产品进行正确的配置、我需要在“sbl_ospi“配置中更改什么? 我注意到  

    除了 SDRAM 与 SDcard/MMC 等器件的差异外、USB 在库和/或其他功能中是否有其他基本功能区分在 UART 和 OSPI 引导的任何示例中使用 EVM 与 SK?

    事实上、我可以为 ospi_diagnostic 运行调试(使用 CCS)、那么我知道它与 CPU 的接口是可以的。 但到目前为止,尝试将发行版和 XIP 刷新并在启动时运行是不成功的。

    我注意到、在独立 SysConfig (V1.27) 中、我可以选择 CPU 型号、其中、如示例中所示、我不知道如何更改此参数、因为 example.syscfg 文件中的该参数默认为 AM6442。 我没有尝试单独操作、而是将其复制到工程文件夹以了解其工作原理。

    我还必须查看自定义闪存(来自诊断打印输出)的输入参数、除了 2 个设置之外、您提到的是大小和器件 ID 以及它是 512byte/页还是 256 字节和虚拟周期数。 Google 告诉我、128MB 设备与 64MB 设备的参数不同

    谢谢、

    Huynh

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    尊敬的 Huynh:

    我已经查看了 S28HS01GTGZBHI030 数据表、延迟周期表与 S28HS512T 的延迟周期表相同。 因此虚拟周期数将保持不变。

    每页 256/512 字节也是如此、使用这些值中的任何一个都不应该是问题。

    Q1:您是否也可以分享 SBL OSPI 的 example.syscfg? 我可以验证 OSPI 和闪存配置。

    问题 2:您能否按照此处提到的指南调试 SBL OSPI? 【常见问题解答】AM62X/AM64X:【常见问题解答】在 RTOS SDK 中调试 SBL 引导

    我们期待 SBL OSPI 的 example.syscfg 文件和调试结果。 调试的目的是告诉我 Flash_norOspiOpen 内的 SystemP_FAILURE 状态在哪里会变为 SystemP_FAILURE。 Flash_norOspiOpen 最终在 Board_driversOpen 中调用。

    此致、

    Aryamaan Chaurasia

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    您好、 Aryamaan、

    我最终解决了在配置中使用新的 OSPI 器件重新编译“sbl_uart_uniflash“和“sbl_ospi“的问题。 使用 am64x-SK 的参考示例时、下载有时无法正常工作、SBL ospi 引导卡住、这种情况令人沮丧。  最后、使用 am64x-EVM 中这 2 个示例的参考示例、编译新的 sbl_uart_uniflash 和 sbl_ospi、闪存引导最终会运行得很漂亮。 我只需要更改的是驱动程序头文件为“board_lpdf.h“、而不是常规的 DDR4。 使用 SK 的唯一原因是它已经使用了 LPDDR4、除了前面提到的新 OSPI 闪存外、我不必更改任何内容。  问题是为什么它在一个参考 (EVM) 上工作、而在另一个参考 (SK) 上工作?

    此致、

    Huynh

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    尊敬的 Huynh:

    感谢您的更新和努力。

    只是为了确认、在您从 EVM 重新编译示例时、SK 中的闪存引导运行良好? 使用 SK 中的示例时、闪存引导功能无法正常工作? 您能否在工作案例中共享 example.syscfg 文件和所有生成的文件? 然后、我可以调查 它们并将其与设置中的默认文件进行比较。 除了 LPDDR 配置差异外、我看不到 SK 和 EVM 示例之间还有任何其他差异

    此致、

    Aryamaan Chaurasia

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    让我澄清一下。 我正在为 128MB OSPI 器件构建定制电路板闪存引导、并尝试使用 SK 和 EVM 的参考闪存引导、并将闪存参数更改为自定义新闪存、而不是开发板闪存 (64MB)。 EVM 基准在定制电路板上工作、因为 SK 基准已挂起。 测试参考 SK 的原因是它随我的定制电路板使用的是携带 LPDDR4。 除了使用 EVM 闪存引导参考以外、我只需要从以下位置更改此 DDR 头文件:

    /ddr/v0 /ddr/am64x_am243x/DRAC/Reginit.h board_ddrReginit.h   中的 soc:    drivers/ddr/v0/reginit/am64x_am243x/board_lpddrReginit.h soc

    闪存繁忙超时 = 448000000 (该值来自 128MB 闪存的 OSPI 诊断打印输出)

    两个引用都将闪存参数更改为:CUSTOM FLASH / SIZE = 134217728/JEDEC ID = 0x5B1B、协议= 8D-8D-8D 且 CLOCK = 166MHz。

    我注意到 SK 上的 OSPI 参数有:启用 DAC 和验证 OTP、其中 EVM 中省略了这些字段。 除此之外、在这两者上都禁用(未选中)DMA 和启用 PHY 模式检查。 所以它应该是相似的。 除此之外、其余的都是相同的。

    足够有趣;EVM 闪存引导参考在定制电路板上工作、SK 不工作。

    R、

    Huynh

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    尊敬的 Huynh:

    明白了、感谢您的澄清。

    只要 SDK 版本相同、SK 和 EVM 的 OSPI 参数在 SysConfig 中应相同。 您能否共享您正在用于 SK 和 EVM 的 SDK 版本?

    由于 SBL OSPI 使用 SK 示例挂起、您能否进行调试并告诉我故障点? 这将帮助我确定配置之间的差异。

    此致、

    Aryamaan Chaurasia