[参考译文] AM2434：当应用程序在 DDR 下运行时、ECC 注入错误失败

是的、测试的注入旨在从 DDR 以外的存储器运行。  检查 MCU+ SDK 中的原始代码、我认为示例测试从内部存储器运行。

此致、

James

根据 TRM 中的描述、它符合我上面的猜测。  

此外、我通过测试进行了验证：通过使用 ddr_ecc_test 示例、未受保护区域 (0x80000000~0x80000FFF) 的地址映射在切换 ECC 前后发生了变化。



因此、是否有任何其他方法可以触发 ECC 错误、例如修改寄存器？

正确、启用 ECC 后、对整个存储器物理寻址进行重组、如下所示：

要触发 ECC 错误、您应该能够遵循示例代码中的顺序。  我还没有详细研究、但它应该禁用 ECC 以在特定物理地址注入错误、然后重新启用并执行。

此致、

James

是的、该示例的方法是禁用 ECC、修改数据、重新启用 ECC、然后读取数据以触发 ECC 错误。

但在示例中、代码以 MRAM 模式运行、因此当启用或禁用 ECC 时、DDR 逻辑地址的重映射不会影响代码执行。 我们的代码以 DDR 模式运行、在启用或禁用 ECC 时发生的地址重映射会导致代码撕裂和崩溃。

我找到了一个解决方案：确保将用于启用/禁用 ECC 和注入错误的代码放置在 DDR 的前 256 个字节中、并在此过程中禁用中断。 这样、在禁用和启用 ECC 的过程中、CPU 执行的代码既不会出现撕裂、也不会重新映射 、测试表明这种方法有效。