[参考译文] MSPM0C1104：MSPM0C1104 BOR 阈值和闪存工作电压

尊敬的 Abel：
要确认、问题是否如下：
1. BOR-电平是否会影响闪存的规格？  

2.如果是,客户可能会做什么,以避免闪存损坏时发生此类级别?

此致、

Diego Abad

尊敬的 Diego：

是的,这些是主要的问题,与一个澄清。

我们并不担心被编程/擦除的数据扇区发生损坏 — 该扇区仅包含运行时数据，丢失数据是可以接受的。

我们担心的是、在对该数据扇区的闪存操作期间发生断电或欠压事件是否会影响 包含固件代码且不打算修改的其他 MAIN 闪存扇区。

因此、两个主要问题就像您提到的、但更具体地说是：

1. BOR0 是否可以保证断电期间的安全/定义闪存行为、尤其是考虑到闪存编程/擦除最小电源电压看起来高于 BOR0 下降阈值？
2. 如果闪存擦除/编程操作被欠压或 BOR 中断、TI 建议采用哪种方法来保持其他扇区中的固件完整性？  例如、如果固件执行变得不稳定、所有代码扇区的静态写保护是否会阻止对这些扇区进行意外的擦除/编程操作？  

此致、
Abdel

尊敬的 Abdel：
让我在内部与我的团队联系、并为您的两个问题提供答案。

此致、

Diego Abad

尊敬的 Abdel：

以下是上述问题的答案：

 在闪存编程/擦除操作期间、如果电源电压降至 BOR‑负阈值以下、则无法保证成功完成操作。

 2.如果目的不是更新闪存, MSP 可以应用静态写保护。 如果计划更新闪存、则无法使用静态保护。 如果 BOR 事件中断更新、在 BOR 时被编程或擦除的闪存区域将不可靠、而其他扇区将保持受保护状态。 闪存可‑不受保护来执行操作、之后会自动重新 μ s 自我保护、因此其他扇区默认保持受保护状态。 您可以在闪存的开头添加完整性检查、例如在 闪存扇区的前 1KB 中、然后静态写入‑保护该 1‑KB 扇区。 该区域的行为将类似于 ROM、保持永久保护、并允许在每个周期执行完整性检查。

此致、

Diego Abad