[参考译文] AM263P4-Q1：有关在启用缓存的情况下写入闪存区域的信息

你好、Imaoka、

请注意、TI 将尽最大努力在您原始发布时间的 24 小时内在 E2E 论坛上为您提供初步回复。 希望这有助于节省一些时间在您的线程张贴,而无需指定一个专门的期望的响应日期。

尊敬的 Imaoka-San：

感谢您提供详细的后续问题。 我将系统地讨论您的每个要点。

对[1. RL2 高速缓存写入行为]的响应

没错。 如果您不使用 RL2（远程 L2 缓存）、则 RL2 写入行为不适用于您的系统。 RL2 是软件可配置的功能、必须显式启用。 每个 R5F 内核都有一个集成的 RL2 控制器、该控制器可以从 L2 SRAM 保留系统存储器、用于缓存 1-16MB 的目标闪存空间。 如果您的应用程序未启用 RL2 缓存、您可以忽略我之前响应中提到的 RL2 写入限制。

对[2. ECCM（ECC 存储器）约束的响应]

Q1：SysConfig 中的“缓存“是否对应于“正常和缓存“？

是的。 在 SysConfig 中将闪存区域配置为“缓存“时、它通常会映射到 FSS 区域 0 或区域 1、这两者都支持 OTFA（加密/身份验证）和 ECCM（ECC 保护）。 FSS 存储器区域的组织方式如下：

-区域 0 (0x60000000 - 0x67FFFFFF)：支持 OTFA + ECC
-区域 1 (0x80000000 - 0x87FFFFFF ):支持 OTFA + ECC 和地址重映射能力（引导空间）
-区域 3 (0x88000000 - 0x8FFFFFFF)：无 OTFA +无 ECC（旁路区域）

如果您的闪存区域配置为“缓存“、则默认情况下启用 ECCM。

问题 2：SDK 版本 09_02_00_56 是否支持 FLSOPSKD？

AM263Px 硬件包括一项称为“FOTA 硬件引擎“（固件无线硬件引擎）的功能、该功能可能与 FLSOPSKD 有关。 FOTA 硬件引擎支持 XIP 读取、同时 FOTA 更新在后台进行、这是实现并发 XIP 和闪存更新的硬件机制。

要在 SDK 09_02_00_56 中验证 FLSOPSKD/FOTA 支持、请执行以下操作：
-查看 SDK 发行说明中的“FOTA 硬件引擎“或“闪存操作计划程序“
-在 SDK 中查找 Opti-Flash 示例（这些示例应包括 FLC、RL2、RAT 示例）
-在 SDK 闪存驱动程序文档中检查与 FOTA 相关的 API

但是、根据您的用例说明（闪存更新期间无 XIP，更新后重新启动）、您的应用不需要 FLSOPSKD。

问题 3：是否有办法动态禁用 ECCM（例如，仅在闪存更新模式期间禁用 ECCM）？

否、ECCM 无法在运行时动态禁用。 ECCM 在每个 FSS 存储器区域进行配置、并在系统初始化期间进行设置。 FSS 提供可为 ECCM 配置的 4 个区域、此配置是 FSS 区域设置的一部分。

但是、您可以通过不同的存储器区域访问相同的物理闪存位置。 所有 FSS 区域 (0、1、3) 都映射到闪存中的相同物理位置。 您可以通过未启用 ECCM 的区域 3（旁路区域）写入闪存。 这是闪存更新的推荐方法。

问题 4：如果在 ECCM 保持启用状态的情况下更新闪存、会出现什么问题？

对启用 ECCM 的区域的闪存写入有严格的对齐要求：

-对 ECCM 区域的写入必须是 32 字节对齐的,并且大小是 32 字节倍数
-如果不满足这些条件中的任何一个、将发出错误中断
- FSS 不支持读取 — 修改-写入 ECCM 区域
-不支持用于 ECCM 的可变块大小（仅支持 32 字节块大小）

如果忽略该错误、闪存写入可能会失败或产生损坏的数据。 ECC 保护要求使用正确的 ECC 代码写入数据、该代码在标准 Flash_write () 操作期间无法内联计算。

对[3.修改后高速缓存一致性的响应]

问：如何实施旁路区域方法？

使用 FSS 区域 3（旁路区域）进行闪存写入、然后重新启动。 以下是针对您的用例建议的顺序：

// Calculate bypass address from cached address
#define FLASH_REGION0_BASE   0x60000000  // Cached region
#define FLASH_BYPASS_BASE    0x88000000  // Bypass region

// Convert cached address to bypass address
uint32_t cachedAddr = 0x60100000;  // Your target flash address
uint32_t bypassAddr = FLASH_BYPASS_BASE + (cachedAddr - FLASH_REGION0_BASE);
// Result: bypassAddr = 0x88100000

// Perform erase and write through bypass region
Flash_eraseSector(bypassAddr, sectorSize);
Flash_write(bypassAddr, dataBuffer, dataSize);

// Reboot after update
// Cache invalidation handled automatically by reboot

要点：
1.所有 FSS 区域映射到相同的物理闪存位置、因此对 0x88100000（区域 3）的写入将更新与 0x60100000（区域 0）相同的闪存单元
2.区域 3（旁路）没有 ECCM,因此可以执行标准 Flash_eraseSector () 和 Flash_write (),无需 32 字节对齐约束或 ECC 计算
3.无需禁用缓存 — 您只需通过绕过 ECCM 的不同内存区域访问闪存
4.由于刷新更新后重新引导、因此重新引导会自动处理缓存失效

对【帮助完善此建议】的回应

Q1：我们的应用在通过 XIP 执行代码时不执行闪存擦除/写入。 程序和数据位于 OCSRAM 中。 更新闪存后、我们会重新启动。

太棒了。 这是理想情况和最简单的方法：

1.闪存更新期间无 XIP 可消除执行过时缓存代码的风险
2. OCSRAM 中的更新代码可确保所有更新操作从 RAM 运行
3.更新后重新启动会自动使所有缓存无效

推荐方法：
-为 Flash_eraseSector () 和 Flash_write () 使用 FSS 区域 3（旁路区域）地址
-无需调用 CacheP_disable ()
-无需手动使缓存失效（重新引导处理此问题）

问题 2：在 SysConfig 中将闪存区域配置为“缓存“。 ECCM 是否已启用？

是、已为“缓存“区域启用 ECCM。 如前所述、“缓存“区域映射到 FSS 区域 0 或区域 1、这两个区域都启用了 ECCM。

要在系统中进行验证：
-检查您的 SysConfig“缓存“设置映射到的 FSS 区域地址范围
-如果是 0x60000000-0x67FFFFFF（区域 0）或 0x80000000-0x87FFFFFF（区域 1）、则启用 ECCM

问题 3：“旁路区域配置“具体指什么？

“旁路区域“指 FSS 区域 3：

- SoC 地址范围：0x88000000 - 0x8FFFFFFF
-大小：128 MB
-特点:无 OTFA +无 ECC
-说明:外部存储空间 — 旁路区域

主要功能：
-绕过 ECC 和 OTFA 处理
-使用预先验证和 ECCM 保护的数据实现直接闪存编程
-支持纠错（清理）操作

用法：在闪存写入/擦除操作期间、通过区域 3 地址而不是区域 0/1 地址访问相同的物理闪存。

问题 4：在 SDK 版本 09_02_00_56 中是否支持 FLSOPSKD？ 如何验证硬件支持？

要在 SDK 09_02_00_56 中验证 FLSOPSKD/FOTA 硬件引擎支持、请执行以下操作：
1.查看 SDK 发行说明中的“FOTA 硬件引擎“或“闪存操作调度程序“
2.在 SDK 中查找 Opti-Flash 示例
3.检查 SDK 闪存驱动程序文档中与 FOTA 相关的 API

FOTA 硬件引擎是 AM263Px FSS 子系统的硬件功能、具有 2KB 内部程序存储器和 256 字节数据存储器、并生成 FOTA 完成和错误中断。 查看器件型号文档、确认存在 FOTA 硬件引擎。

但是、对于您的用例（闪存更新期间无 XIP，更新后重新启动）、FLSOPSKD 不是必需的。 FLSOPSKD 专为并发 XIP 读取和闪存写入而设计、您明确指出不需要。

总结和建议解决方案

鉴于您的特定要求（闪存更新期间无 XIP、更新代码从 OCSRAM 运行，闪存更新后重新启动）、我建议使用以下方法：

使用 FSS 区域 3（旁路区域）进行闪存写入/擦除操作

这种方法提供：
1.无需禁用缓存 (CacheP_disable() 不需要）
2.无 ECCM 限制（区域 3 绕过 ECCM）
3.写入无 32 字节对齐要求
4.无需手动使缓存失效（重启即可处理它）
5.最简单的实现方式
6.不依赖 FLSOPSKD（您的用例不需要）

实施步骤：
1.通过将缓存地址的偏移量加到旁路基址 (0x88000000 ) 来计算旁路区域地址。
2.在 Flash_eraseSector () 和 Flash_write () 调用中使用旁路地址
3.刷新更新完成后重新启动

直接回答您的原始问题:是的,只要您通过 FSS 区域 3（旁路区域）地址访问闪存,就可以使用 Flash_eraseSector () 和 Flash_write () 安全地擦除和写入闪存区域。 使用旁路区域方法时、在闪存操作之前不需要调用 CacheP_disable ()。

如果您需要任何澄清或有其他问题、请告诉我。

此致、
Zackary Fleenor