[参考译文] AM263P4-Q1：ECC 错误注入

 你好、Imaoka、

对延迟的回复表示歉意！

我们的所有示例都仅启用了缓存、因此我认为这不是因为缓存。

我的建议：

硬件 ECC 初始化对于此测试非常重要

1. 始终确保在引导加载程序代码中具有“Bootloader_socInitL2MailBoxMemory“ API：

此 API 将有助于使用默认值初始化整个 L2RAM 存储器及其相应的 ECC 区域。

2. 如果您在没有引导加载程序的情况下进行测试并使用 DEV 引导模式、则在旧版本的 CCS 中、我发现 GEL 路径错误：

路径应为：

如果此 GEL 路径不正确、则我在步骤 1 中提到的初始化将不会在开发引导模式下发生。

此外、对于 AM263Px 器件、在初始化中确保正确的值为 0x3F：

因为我们发现、对于某些旧版本的器件、它仅为 0xF、这意味着仅初始化 4 个组、而不是 OCSRAM 中的全部 6 个组。

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此致、
Jagadish。

*我代表客户 Imaoka-San 发布此文章、因为他们似乎是 E2E 上的实际问题。  

（来自客户的消息）

尊敬的 Jagadish：

以下代码由我们根据示例代码创建。
与示例代码的区别在于、为了检查内存内容、我们添加了该行
testLocationValue = injectErrorConfig.pErrMem[0]；调用 sdl_ecc_injectError () 之前。

将此行注释掉后、错误检测按预期运行。

我们之前收到一个响应、指出缓存不是问题的原因。
但是、在我们的实现中、缓存是否会影响该行为？

**********************************************************************************************

sdl_ErrType_t RetVal；
sdl_ecc_InjectErrorConfig_t injectErrorConfig；
Volatile uint32_t testLocationValue；

/*请注意、该地址相对于 ram 的开头*/
injectErrorConfig.pErrMem =(uint32_t *)(a_addr)；

/*针对冲刺内存 x 位错误运行一次性测试*/
injectErrorConfig.flipBitMask = A_flipBitMask；

testLocationValue = injectErrorConfig.pErrMem[0]；

_ASM__ volatile (“：：：“内存“）；

RetVal = sdl_ecc_injectError (a_aggr、a_id、a_type、&injectErrorConfig)；

_ASM__ volatile (“：：：“内存“）；

if (RetVal == SDL_PASS)
｛
/*访问需要注入的内存*/
testLocationValue = injectErrorConfig.pErrMem[0]；
}

**********************************************************************************************

此致、Imaoka

你好、Imaoka、

在这种情况下、您是对的、问题仅是由于缓存造成的。 我进行了测试、我最终也能够重现您的问题。

正如您所看到的、我添加了注入前的注入错误位置读取、我可以看到没有 ESM 回调、这意味着检测根本无法正常工作。

因此、您对这个问题是正确的。

我做了下面的工作,再次工作。

在再次读取位置之前使缓存无效、如下所示：

/*使错误注入存储器的位置失效*/
CacheP_inv ((uint32_t *)&injectErrorConfig.pErrMem[0]、sizeof (uint32_t)、CacheP_TYPE_ALLD)；

您现在可以看到、它按预期运行。

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此致、
Jagadish。