This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] AM625-Q1:AM625:DDR SysConfig 配置问题

Guru**** 2964790 points

Other Parts Discussed in Thread: SYSCONFIG, AM625

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1653843/am625-q1-am625-ddr-sysconfig-configuration-issues

器件型号: AM625-Q1
Thread 中讨论的其他器件: SysConfig、 AM625

  1. 我们使用 SysConfig 工具配置 DDR 存储器、该存储器会生成 k3-am62x-sk-ddr4-1600MTs.dtsi 器件树头文件。
  2. 我们的配置参数:
    • 内存频率 (MHz):800
    • 数据总线宽度(每个器件):8.
    • 读取 DBI:已禁用
    • CL(CAS 延迟):12
问题:
 
一些电路板在 memtest 期间崩溃、具体来说是因为 Solid Bits 和 Bit Flip 测试项失败。 将 CL 从 9 调整为 12 可以提高稳定性、但我们需要有关调整其他参数的指导。 当前、所有其余参数均根据 DDR 芯片数据表进行严格配置。
请求:
 
是否有任何官方工具可以自动扫描并推荐 SysConfig 配置所需的参数? 或者、为了在 AM625 平台上实现出色的稳定性、正确校准这些 DDR 参数的标准化/建议方法是什么?
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、  

    您使用的是哪种 DDR4?  您能否提供器件型号和/或数据表?

    -您可以通过 SysConfig 工具(.syscfg 文件)提供完整配置吗?

    如果 DDR4 支持读取 DBI、则应启用此功能并设置 CL=14。   

    此致、

    James

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    内存部件号:IS46QRB1024A
    不支持读取 DBI

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好

    Memory Part Number: IS46QRB1024A
    Read DBI is not supported.
    
    
    LPASR mode: Manual mode, Normal temperature
    TCR mode: Disabled
    TCR range: Normal
    CL (CAS Latency, nCK): 12
    CWL (CAS Write Latency, nCK): 9
    CA Parity Latency: Disabled
    
    DRAM Timing B) Timing Parameters
    tCCD_L (tCK): 5
    tCCD_L (ns): 6.25
    tCCD_S (tCK): 4
    tCKE (tCK): 3
    tCKE (ns): 5
    tCKSRE (tCK): 5
    tCKSRE (ns): 10
    tCKSRX (tCK): 5
    tCKSRX (ns): 10
    tDLLK (tCK): 597
    tDQSCKmax (ns): 0.22
    tFAW (tCK): 20
    tFAW (ns): 25
    tMOD (tCK): 24
    tMOD (ns): 15
    tMRD (tCK): 8
    ODTH8 (tCK): 6
    tPAR_ALERT_PWmax (tCK): 96
    tPW_RESET_L (ns): 200000
    tRAS (ns): 32
    tRCD (ns): 14.16
    tREFI (ns): 7800
    tRFC (ns): 350
    tRP (ns): 14.16
    tRRD_L (tCK): 4
    tRRD_L (ns): 6
    tRRD_S (tCK): 4
    tRRD_S (ns): 5
    tRTP (tCK): 4
    tRTP (ns): 7.5
    tWR (ns): 15
    tWR_CRC_DM (tCK): 4
    tWR_CRC_DM (ns): 3.75
    tWTR_L (tCK): 4
    tWTR_L (ns): 7.5
    tWTR_S (tCK): 2
    tWTR_S (ns): 2.5
    tWTR_S_CRC_DM (tCK): 4
    tWTR_S_CRC_DM (ns): 3.75
    tXP (tCK): 4
    tXP (ns): 6
    tXPR (tCK): 5
    
    IO Control A) Processor / DDR Controller IO Configuration
    VREF Control Range DQ/DM: Range 1
    VREF Control % of VDDQ DQ/DM: 72.8
    Driver Impedance for DQ/DQS/DM: 48 Ohm
    Driver Impedance for Addr/Ctrl/Clk: 48 Ohm
    ODT for DQ/DQS/DM: 60 Ohm
    
    IO Control B) DRAM IO Configuration
    DQ VREF Range: Range 1
    DQ VREF: 72.4
    Output Driver Impedance (ODI): RZQ/5 (48 Ohm)
    Nominal ODT (RttNOM): RZQ/4 (60 Ohm)
    Dynamic ODT: Disabled

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    配置详细信息
    内存频率 800
    数据总线宽度 8
    密度 16
    芯片选择/等级:1.
    读取 DBI:已禁用

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    密度设置是每个器件的。  由于您使用的是 2 个 x8 设备 1Gx8、因此应将其设置为 8、而不是 16。  尝试使用此更改运行测试。

    此致、

    James

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、请回答我的问题

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我们建议执行板级 SI 仿真、以便为您的 DDR 配置提供理想 IO 参数。  使用 SysConfig 工具并输入数据表中的参数、将为 DDR 控制器执行初始化和训练提供理想的配置。

    此致、

    James