您好，
这是一个有关 DMA 模块和 ESM1.88的高完整性位的问题。
我们已经检查了 SPNU563A 的 DMA 模块部分，但没有详细描述高完整性位。
我们希望识别 DMA 模块的高完整性位。
例如，SYS 模块被描述为 SPNU563A 第2.5.1.13节的以下内容。
2.5.1.13时钟域禁用寄存器(CDDIS)
注：所有时钟域都在唤醒时启用。
应用程序应确保当通过 HCLKOFF 位关闭 HCLK 和 VCLK_sys 时，GCLK1域也会关闭。
CDDIS 中的寄存器位被指定为高完整性位，并通过纠错逻辑实现，因此每个位(尽管读写为单个位)实际上是具有纠错功能的多位密钥。 因此，可以纠正“密钥”中的单位翻转，以保护整个系统。 检测到的错误会发送给 ESM 模块。
请告诉我哪一个寄存器对应于高完整性位。
谢谢，
肖
QJ 您好，
感谢您的回复。
我们对以下高完整性钻头操作的理解是否正确？
1)处理写入到 高完整性位
每3位配置高完整性位，每位都是相同的值(1或0)。
2)发生单位错误时的读取处理
如 GCLK1OFF 和 VCLK3OFF 的下图所示， 如果一个3位的位翻转，则高完整性位的读数是正确的值。
3)发生多位错误时的读取处理
如 GCLK1OFF 的下图 所示， 如果两个3位的位翻转，则高完整性位的读数不正确，并生成“寄存器软错误”的 ESM。
如果我们的理解正确，如何在两位3位的闪盘时检测到寄存器软错误？
谢谢，
肖
QJ 您好，
感谢您的回复。
我们有一个关于翻转高完整性位的问题。
要通知 ESM“寄存器软错误”，这些模块应检测到翻转的2位高完整性位。
请告诉我翻转2位的检测方法吗？
以下示例预计 CDDIS 寄存器的 GCLK1OFF 读值为零。
案例1)翻转1位，写入= 0，读取= 0
案例2)翻转2位，写入=1，读取=0
谢谢，
肖
QJ-San，您好！
感谢您的回复。
我是 Sho 的同事。
我还有更多问题。
(1)我创建了一个关于“高完整性位”和“ESM”之间关系的图表。 这是正确的吗？
(2)如果此图像正确，请告诉我“不可纠正的错误检测逻辑”的内容。
(3)如果此图像不正确，请告诉我“高完整性位”和“ESM”之间的关系。
此致，
特鲁希萨
