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[参考译文] TMS570LS1114:闪存 ECC 问题

Guru**** 2392605 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1068044/tms570ls1114-the-problem-of-flash-ecc

部件号:TMS570LS1114

我对闪存的诊断还有一些疑问,安全手册中提到闪存的修正数据不会写入闪存? 非常感谢。

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    您好,晓红,

    没错。 修正后的闪存数据不会写入闪存。 校正的 SRAM 数据会自动写入 SRAM。   

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    如果闪存的修正数据未写入闪存,那么每次读取时都会纠正一位错误?

    硬件错误缓存的功能是记录发生单位错误的地址(只要记录单位错误?)。 如果只能记录一个地址,如果其他地址发生单位错误,则不会记录该地址,也不会记录该地址的更正数据。 它不会写入闪存,因此每次读取时都会触发一个比特错误中断吗?

    我可能仍然不理解硬件错误缓存的概念,请回答我的疑问

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    [引用 userid="465499" url="~/support/icles/arm-based 微处理器组/基于 ARM 的微控制器/f/基于 ARM 的微控制器-forum/1068044/tms570lsr1114-the-problem-of -flash-ecc/3953044#3953044"]如果闪存的修正数据不是一次写入闪存错误,那么闪存校正数据将被重新写入一次写入数据,然后再读取一次写入闪存错误数据[引用]

    如果 CPU 从与上次读取内存相同的错误地址读取数据,则 CPU 只从高速缓存读取数据,而不是从闪存读取数据,因为该地址匹配。 如果 CPU 从其他闪存地址读取,它将从闪存读取,检测信号位 ECC 错误,更正数据并将更正的数据保存到高速缓存中。

    [引用 userid="465499" url="~/support/icles/arm-based 微处理器组/基于 ARM 的微控制器/f/arm-based 微控制器-forum/1068044/tms570ls1114-fem-problem-f-cc/3953044#3953044"]如果单位错误发生在其它地址,则不会记录该地址[引用]

    新地址和新更正的数据存储在 HW 错误缓存中。

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    感谢您的回复,诚挚问候。