[参考译文] TMS570LC4357：有关 F021 API Fapi_doMarginReadByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByBy()

您好，Vimal，

当您打开读取边距模式时，它将影响所有闪存库。 由于您正在从 bank0中运行代码，所以 bank0在提取代码时也会受到边界模式的限制。  在 LC43x 设备上始终启用 ECC， 如果闪存位单元处于边缘状态，且在边界模式下本应读取错误的闪存位单元将由 ECC 进行修正，如果在读取边界测试期间两个或更多位处于边缘状态，则可以看到不可纠正的错误。 步骤1中是否出现 ECC 错误？ 您是否已从 SRAM 中运行代码(与闪存操作相关)？

对于读取边距，您不必启用银行扇区，即启用该扇区进行程序和擦除。

您好，

感谢您的回复。 该代码正在从 SRAM 执行，而不是从 Bank0执行。 对此表示歉意。

使用的 Bank0地址为0x00180000U。 步骤1中没有 ECC 错误。 对于写入操作，使用了 Fapi_AutoEccGeneration 参数。

我在第1列气缸组中尝试了相同的地址序列(未使用)，但也出现了相同的问题。  用于擦除/写入的闪存 API 不会返回任何错误，但闪存内容保持不变。 仅当在删除/写入同一地址之前对地址执行读取时，才会出现该问题。 如果在写入操作后读取，则不会出现此问题。 以下 是两个序列来证明此问题(“传递的数据”是指示性的)：

序列 1：
擦除0x00180000U => 无错误
写入0x00180000U => 数据 通过：0x1234，无错误
读取0x00180000U =>无错误，返回0x1234

序列2：
读取0x00180000U =>无错误，返回0xffffff
擦除0x00180000U =>无错误
写入0x00180000U =>数据 通过：0x1234， 无错误
读取0x00180000U =>无错误，返回0xffffff

序列2对银行0和银行1都失败，但在银行7 (费用)的地址(0xF0201000U)上按预期工作。

此外，如果在步骤4后将数据写入到另一个 Bank0地址或对其执行擦除操作，则该操作将成功执行，如下所示：

顺序3：
读取0x00180000U =>无错误，返回0xffffff
擦除0x00180000U =>无错误
写入0x00180000U =>数据 通过：0x1234， 无错误
读取0x00180000U =>无错误，返回 0xffffff
擦除0x001BFF00U =>无错误
写入0x001BFF00U => 数据通过：0xABCD， 无错误
读取 0x001BFF00U =>无错误，返回 0xABCD

在    执行 Fapi_doMarginReadByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByByBy()之前，不会调用 Fapi_setActiveFlashBank

我面临的另一个问题是 ，在 Bank0上执行擦除银行操作会在后续闪存操作中导致 UndefEntry 异常。 对从 RAM 执行代码进行更改的链接器文件如下所示：

内存
｛
矢量(X)：原点=0x00000000长度=0x00000020
FLASH0 (RX)：Origal=0x00000020 Length=0x001FFFE0
FLASH1 (RX)：原点=0x00200000长度=0x00200000
堆栈(RW)：原点=0x08000000长度=0x00001500
RAM (rwx)：Origin =0x08001500 length=0x0007EB00
}

章节
｛
.intvecs：{}>矢量
.TI.ramfunc align(32)：{-l F021_API_CortexR4_be_L2FMC_V3D16.lib(.text)}
load=FLASH0，run=RAM，
load_start (ramfunctsLoadStart)，
load_size (ramfunctsLoadSize)，
load_end (ramfunctsLoadEnd)，
run_start (运行启动)，
run_size (ramfunctsRunSize)，
run_end (运行环境)
文本对齐(32)：{}> FLASH0 | FLASH1
const align(32)：{}> FLASH0 | FLASH1
电影对齐(32)：{}>电影 H0|电影 H1
Pinit align(32)：{}> FLASH0 | FLASH1
.bss：{}>内存
数据：{}>内存
sysmem：{}>内存
}

调用 Flash API 的函数的前缀为：

#pragma code_section (<xxx>，".TI.ramfunc")；

已使用以下语句将这些函数从闪存复制到代码中的 RAM：

Memcpy (&RamfunctsRunStart，&RamfunctsLoadStart，(size_t)&RamfunctsLoadSize)；

此外，MPU 已配置为将 SRAM 区域定义为 MPU_NORMAL _OIWTNOWA_NONSHARED (MPU_PRIV_RW_USER_NA_EXEC 许可)类型 。

是否需要其他更改？

谢谢，此致，

Vimal

您好，

希望您能就此问题提供任何意见。

谢谢，此致，

Vimal

您好，QJ Wang，

这是一个关键问题。 如果您能分享任何有助于解决问题的信息，我们将不胜感激。

谢谢，此致，

Vimal

您好，Vimal，

Cortex-R5F Hercules MCU 上的所有可缓存位置均为读取分配。 这意味着数据高速缓存行在发生高速缓存丢失时被分配， 从而将32字节的数据从主内存传输到高速缓存内存中。 因此，对这些内存位置的后续访问将导致高速缓存命中，数据将直接从高速缓存内存中读取。

通过 F021闪存 API 编程闪存时不会将数据写入高速缓存，因此高速缓存不会更新。 因此，您的第二个读取的值与第一个读取的值相同。

您好，QJ Wang，

感谢您的回复。 昨天我通过禁用高速缓存解决了该问题。 我将尝试您的解决方案并 进行相应的更新。 此外，请分享一些用于将代码从闪存移至 RAM 的示例代码。 如上所述，我在删除 Bank0和某些(但并非所有) Bank0扇区时遇到问题。

谢谢，此致，

Vimal

您好，QJ Wang，

感谢您的回复。 我似乎没有访问引导加载程序代码的权限。 当我尝试访问 bl_link.cmd 文件时，它显示“您无权访问此资源”。 请提出建议。

谢谢，此致，

Vimal

您好，QJ Wang，

我已经对 链接程序命令文件进行了建议的更改 ，但当我尝试以下操作时，在步骤3中仍会出现一个“未定义”异常：

1.从 Bank0，Sector0读取数据并将数据写入 SRAM。

2.擦除 Bank0，Sector0。

3.将步骤1中读取的数据从 SRAM 写入 Bank0，Sector0。

我的理解是，在执行步骤2中删除的代码时可能会出现此问题。 请告诉我这是否正确，以及可以采取哪些措施来确保上述方案成功。

请注意，函数调用序列如下：

main()函数 A()函数 B_xx()函数 Fapi_xxx()

所有函数 B_xx()函数都被放入一个文件中，并配置为从 RAM 运行(类似于 BL_FLASH。c)。 以上三个步骤是 函数 A()的一部分。 我尝试从闪存和 RAM 执行 funcA()，但没有成功。 我还在执行步骤1之前禁用了中断，并在步骤3之后启用了中断。  我能够删除和编程第0列银行中未使用的部门。

感谢您在这方面的投入。

谢谢，此致，

Vimal

Vimal，

如果您的代码位于闪存 sector0中，并且您要擦除扇区0，则必须将所有代码从 sector0复制到 SRAM，并从 SRAM 中执行代码。

位于扇区0开头的异常矢量表将被擦除，因此当您有任何外部中断或任何中止(数据中止和 pAbort)时，您将收到错误。  

[引用 userid="506337" url="~ë/support/dominice-based 微控制器-组/基于 ARM 的微控制器/f/基于 ARM 的微控制器- forum/1077786/tms570lc4357-query-usage-of-f021-api_fapi_domarginreadbybyte/399699999]#99999]

当我尝试访问 bl_link.cmd 文件时，它显示“您无权访问此资源”。 请提出建议。

[/引用]

应该解决这一问题-我报告 了在 HTTP 403 Forbidden 错误中尝试浏览 https://git.ti.com/下的.cmd 文件时出现的类似问题