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[参考译文] TMS570LC4357:闪存模式5和7测试

Guru**** 2466550 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1086730/tms570lc4357-flash-diagmode-5-and-7-tests

部件号:TMS570LC4357

各位专家:

我们目前正在研究《安全手册》中的 FLA10 DIAGMODE 5和 FLA11 Diagmode 7测试。 两个测试都将 “分支到非闪存区域”列为第一步。
此外,在执行对角模式5时,不需要总线主控的请求。

据我所知,这意味着每次执行这些测试时,我们都需要从 RAM 运行它们并禁用所有中断。
这将使这些测试每隔几百毫秒就要持续运行非常困难。

(Q1)是否需要从 RAM 运行此测试并在执行过程中禁用所有中断?

(Q2)此类测试应运行多久一次? (每个系统安全时间1个,或每100小时1个,或...)

谢谢,致以诚挚的问候!
最大

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    您好,Max,

    1.是的,测试代码应该从 RAM 执行。 我认为您不必禁用中断。

    2.  FLA10/11诊断程序将测试通知路径以确保其正常工作。  必须在启动期间或定期运行这些诊断程序,但我不知道应该多久执行一次这些测试。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    QJ 您好,

    感谢您的快速回答。