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[参考译文] TM4C129XNCZAD:TM4C129X TM4C Flash Mirror Mode (TM4C129XNCZAD:TM4C129X TM4C闪存镜像模式)。

Guru**** 2539500 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1091054/tm4c129xnczad-tm4c129x-tm4c-flash-mirror-mode

部件号:TM4C129XNCZAD

TM4C团队,您好!

我的客户有以下问题...

我们正在为TM4C129X进行新的开发,数据表/TRM没有像我们需要的闪存镜像那样清晰(https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tm4c129xnczad.pdf 章节8.2。3.3 PG:641)。

我们希望从闪存的下半部分或上半部分执行操作代码,同时将固件升级到另一半,然后切换镜像位以进行转换。

您是否有关于镜像模式功能的其他文档?  参考手册的说明很简短,如前所述,有些模糊。

例如,参考手册似乎说所有读取都是通过镜像映射的,在这种情况下,在切换至新映像之前,似乎无法验证写入新映像(闪存的另一半)的正确性。

另一个例子是,手册暗示了在打开和关闭镜像模式之间的非对称操作,而我们希望对称--在执行的上半部分和下半部分之间选择镜像位,但处理是对称的。

 是否有资源或示例可用于执行原子"切换镜像模式和重新启动"操作?  是否建议在上半部分和下半部分都使用通用引导(因此不能在现场升级),或者是否可以从RAM执行切换并重新启动?

谢谢,Merril

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好Merril:

    WONG NGAI 说:
    您是否有任何有关镜像模式功能的其他文档?  参考手册的说明很简短,如上所述,有些模糊。[/QUOT]

    抱歉,除了数据表中所述之外,没有其他文档。 但是,我认为这些帖子可能会有所帮助。  

    https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/85.362万/faq-how-to-use-flash-mirror-mode

    https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/49.8393万/flash-mirror-mode

    WONG NGAI 说:
    例如,参考手册似乎说,在写镜像之前,没有对所有新的读写进行验证。

    在启用镜像之前,您需要验证上层地址映像的修补代码。  

    注意:执行镜像模式并交换代码位置后
    上部内存组位于下部,应用程序可以继续从下部读取
    内存插槽地址位置。 但是,在擦除或编程交换的时
    内存,应用程序必须使用其前面代码的“实际”上层内存地址
    已交换。 例如,在第609页的图8-7中,当黄色突出显示位置时
    0x00.3FE8与0x08.3FE8交换应用程序的下一个读取位置是0x00.3FEC。
    但是,如果应用程序要编程或擦除下一个位置,则需要写入
    或擦除位置0x08.3FEC

    WONG NGAI 说:
    另一个例子是,手动非对称操作意味着对称操作和上行对称操作,而选择对称操作则是对称操作。

    我不清楚您对执行的非对称性和处理的对称性的含义。 我想你有两个几乎完全相同的图像在闪光的上下半部。 上半部分是指包含已修补的代码/数据。 您将需要使用加载地址(用于上层地址)和运行地址(用于下层地址)来构建上部减半图像。  

    [/quote]
    [/quote][/quote]