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零件号：TM4C1294NCPDT 您好，TI论坛：
我正在开发一个使用TM4C129微控制器的应用程序。 在某些情况下，我希望微控制器在仍保留SRAM的情况下进入尽可能低的功率模式。 阅读数据表后，我仍然无法判断要使用的电源配置。 我知道休眠模块有16个32位字的电池后备内存，但我需要更多的内存。 数据表不100 % 清楚哪种低功耗模式将擦除SRAM，哪种模式将保留SRAM，因此我希望有人能帮助我解决这一问题。
根据我的阅读，我不想使用休眠模式，因为RAM似乎已丢失。 但是，休眠+ VDD3ON模式似乎至少会保留GPIO引脚状态，因此可能还会保存所有RAM？ 但我不确定。
额外问题：如果电压下降到足够低的程度，微控制器是否会在电压下降到足以损坏RAM之前自动关闭并擦除所有内容？ 或者我是否需要自己担心？ 我担心备用电压下降到如此低的程度，RAM被破坏，然后当主电源重新接通时，微控制器认为它有有效的数据，但实际上它被破坏了。 理想情况下，我希望尽可能长时间地保留RAM，但如果达到某个低电压阈值，则将其擦除。 这样，当使用主电源时，我要么保留了有效数据，要么根本没有数据。
谢谢！
