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你(们)好
我目前正在尝试使用 RM48L952中的闪存。
数据表显示 MCU 有两种存储器: 3MB 具有 ECC 的程序闪存(具有1000 个写入/擦除周期)和64KB 具有 ECC 的闪存(用于具有100000个写入/擦除周期的仿真 EEPROM)。
1. 3MB 闪存 用于编程、 EEPROM 仿真闪存用于数据存储是否正确?
2. 如果需要、我仍然使用(部分) 3MB 闪存作为数据吗?
3.如果闪存组宽度(3MB 和 EEPROM 均仿真)为128位宽、这是否意味着将单字节写入闪存(在代码中)会 影响所有16个字节、使用该部分的写入周期?(块16字节)
谢谢!
我 找到了 Thread RM48L952:闪存 F021编程状态错误-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛 并阅读该论坛。
因此、每个存储器区域只能写入一次(直到 整个 扇区或存储块被擦除)。 编程由64位单位完成。
编程和擦除可完成100000次。
主闪存(3MB)可用于存储代码和执行代码、也可用于存储数据。
EEPROM 被设计成用作仿真 EEPROM。
[引用 userid="471648" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1057383/rm48l952-using-program-flash-and-flash-for-emulated-eeprom ]2. 如果需要、我是否仍可以使用(部分) 3MB 闪存来存储数据?是的
[引用 userid="471648" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1057383/rm48l952-using-program-flash-and-flash-for-emulated-eeprom ]3. 如果闪存的组宽度(3MB 和 EEPROM 均仿真)为128位宽、这是否意味着将单字节写入闪存(在代码中)会 影响所有16个字节、使用该部分的写入周期?(是块16字节)[/QUERT]您每次都可以从1字节编程到带宽(16字节)。 起始地址加上数据缓冲区长度不能超过组宽度。 例如、您希望将14字节数据编程到闪存(128位宽)、从地址0x0开始是可以的、但不允许从0x04开始。