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[参考译文] TMS570LS1224：需要操作闪存才能使用引导加载程序功能

admin
Guru**** 2540810 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LS1224

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1023199/tms570ls1224-need-to-operate-flash-to-use-the-bootloader-function

器件型号：TMS570LS1224

尊敬的团队：

以下是我的客户提出的问题。 请帮助。

 闪存如何 操作擦除和写入；

hCG   软件在操作闪存时如何配置与闪存相关的内容；

我能否   直接从绝对地址值读取闪存地址？  我 是否需要调用闪存读取接口；

已尝试的操作：

使用官方  F021库 迁移到工程。 由于 TMS570LS1224只有一  个主 BANK0区域、因此将闪存 API 复制到  RAM  以进行操作、并且操作 停留 在  oReturnCheck = Fapi_initializeFlashBanks (160)；Final Entry  _ dabort  函数中；

擦除  BANK7 和  EEPROM  区域。 使用 裸机时、软件可以擦除、读取和写入。 但是、使用  FreeRTOS 后、您无法擦除和读取/写入。

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    TI__Guru**** 2540810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Susan、

    1.内部闪存可使用 F021闪存 API 进行擦除和编程。  

       Fapi_issue19 CommandWithAddress() --用于擦除闪存组或扇区

       fapi_issueProgrammingCommand() --用于将数据和 ECC 写入闪存中的位置

    2.您可以使用 HCG 中的默认闪存设置。 默认设置：组0和7处于活动状态、数据等待状态= 3、addr 等待状态= 1。

    3.您无需使用闪存 API 从闪存读取内容。

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    TI__Guru**** 2540810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [引用 userid="163191" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1023199/tms570ls1224-need-to-operate-flash-to-use-the-bootloader-function ]1.使用官方  F021库 迁移到工程。 由于 TMS570LS1224只有一  个主 BANK0区域、因此将闪存 API 复制到  RAM  以进行操作、并且操作 停留 在  oReturnCheck = Fapi_initializeFlashBanks (160)；最终条目 _ dabort  函数；[/quot]

    如何将 PAI 复制到 SRAM？ 调用闪存 API 的函数也应复制到 SRAM。

    [引用 userid="163191" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1023199/tms570ls1224-need-to-operate-flash-to-use-the-bootloader-function ]Erase  BANK7  and  EEPROM  areas。 使用 裸机时、软件可以擦除、读取和写入。 但是、使用  FreeRTOS 后、您无法擦除和读取/写入。

    闪存 API 必须在特权模式下执行。