[参考译文] TMS570LS1224：CPU 从闪存中读取错误的数据

更新：
1) 1)当我在写入 CRC 之前关闭 ECC 校验时、一切都正常。 但 专用 ECC 存储器中的 ECC 片段(我想它是0xF0402000)对我来说似乎是可以的-对于第一个非空数据字为0x2E、对于空白数据剩余部分为0xFF。

2) 2)是否使用 F021 API 不起作用。

Tomas、您好！

1：Flash 存储 器只允许将1更改为0、因此编程前应该擦除存储器。 将数据写入未擦除的闪存位置不会将新数据正确编程到闪存中。

调用 F021闪存 API 时： Fapi_issueProgrammingCommand (...) 若要对数据进行编程、如果 启用了 Fapi_AutoGeneration、则会计算 ECC 并将其编程到相应的 ECC 区域。  

3.我不知道 CCS 存储器浏览器为什么不显示闪存内容。 关闭/重新打开内存浏览器是否有帮助？ 您可以读回代码中的数据、以确保数据被成功写入。

  FLASH_DATA = *(uint32_t *) Flash_Address；

QJ Wang、您好！

感谢您的回答！

1) 1)这很清楚

2) 2)我根据  SPNA148使用我自己的函数、它的工作原理是 -如 下图所示、0x10010和其他位置被擦除和重新编程：

0x10000 (CRC 位置)也被擦除、但尚未编程

3) 3)我使用类似的语法、谢谢。 关闭并重新打开内存浏览器也会有所帮助。

我会用不同 的语言来表达问题 -

(a) I 编程 CRC 值

(b)在 CCS 存储器浏览器中、我可以看到0x10000 - 0x10010存储器的 ECC 位发生了变化：

(C)但在 CCS 存储器浏览器中都不能、在代码中我都看不到 CRC 值(例如0x100)

(D)如果我尝试将不同的数据(例如0x200)写入 CRC 位置、那么它将不起作用

(e)由于 在 CCS 存储器浏览器中发生复位或同时读取不同位置后、存在0x100 -现在我可以看到(或代码)可以看到 CRC 值

问题是-为什么我(或代码)在(c)时看不到 CRC 值-有正确的 ECC 位、以及(d)数据在第一次尝试时清楚地写入到位置。 和(e)为什么在 CCS 存储器浏览器中重置或读取其他位置有用？

此致、

Tomas

感谢 QJ Wang -您是否还可以根据  SPNA148中的"对128位数据和16位 ECC 进行编程示例"一章来测试闪存的编程？ 因为这是我使用的东西。

我还没有找到错误、但我发现、如果我将 CRC 值写入从 0x10000 (0x10008)移位的8个字节的位置、则一切正常。 CPU 在 扇区4的开头写入数据是否有问题？

我还想问一下、如何仅对64位进行编程、然后对闪存组宽度的其他64位进行编程？ 我有两个困难：

1) 1)如果我为 已经 存在的另一个 ECC 字节(我之前写过)用0xFF 填充 FWPWRITE_ECC 寄存器、则它的目的是将1写入0。

2) 2)如果我尝试读取另 一个 ECC 字节(将其写入 FWPWRITE_ECC 寄存器-以便匹配)、如果位置为空、则可能会导致 ECC 错误。

此致、

Tom